公开(公告)号：CN102315129A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110190786.4

申请日：2011-07-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  樊捷闻 ,  艾玉杰 ,  孙帅 ,  王润声 ,  邹积彬 ,  黄欣

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种寄生电阻较小的垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。利用本发明制备出的垂直型硅纳米线场效应晶体管相比于传统的平面场效应晶体管，一方面由于其本身的一维几何结构导致的良好栅控能力，能够提供很好的抑制短沟道效应的能力，并减小泄漏电流和漏致势垒降低(DIBL)；另一方面，进一步缩小器件面积，提高了IC系统的集成度。

公开(公告)号：CN102064096A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010572032.0

申请日：2010-12-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 浦双双 ,  黄如 ,  艾玉杰 ,  郝志华 ,  王润声

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L28/20

Abstract: 本发明提供一种细线条的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺，有效地改善了线条形貌，大大减小了LER(线边缘粗糙度)；同时与侧墙工艺相结合，成功制备出纳米级细线条并能够精确控制到20纳米，从而在衬底材料上制备出优化LER纳米级的线条。

公开(公告)号：CN101930954A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010259659.0

申请日：2010-08-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄欣 ,  薛守斌 ,  艾玉杰 ,  黄如

IPC: H01L23/38

CPC classification number: H01L23/38 ,  H01L27/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于肖特基源漏SOI场效应晶体管的散热结构，属于微电子领域。该散热结构是与SOI场效应晶体管的源端或源、漏两端分别连接填充N型和P型高热电常数材料的两孔，漏端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接高电位，漏端附近的P型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接低电位；源端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于源端接高电位，源端附近的P型材料的金属引线相对于源端接低电位。本发明利用帕尔帖效应，在热电材料与源或漏接触处吸收热量同时在热电材料与底电极金属连接处放出热量，从而将器件有源区的热量有效地传递到衬底，通过散热片散走。

公开(公告)号：CN101915624A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010163419.0

申请日：2010-05-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄欣 ,  薛守斌 ,  艾玉杰 ,  黄如

IPC: G01K7/01 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供了一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构，属于表征晶体管热效应的监测技术领域。该方法通过在晶体管栅上设置一材料层，材料层与晶体管栅构成P-N结，利用P-N结的IV特性测得晶体管器件的温度。本发明将单个器件与高灵敏度的温控二极管结合，因PN结位于沟道上方的多晶硅栅上，更真实地接近器件的实际温度，可实时监测器件温度，操作简单。在大规模晶体管阵列中，该结构用于解决实时监控芯片温度和热点分布等问题的同时，可对器件局部区域进行加热，据此分析器件的可靠性和电路失配等问题，除此之外，该结构面积与器件尺寸相当，可集成于芯片。

公开(公告)号：CN102315170B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201110138735.7

申请日：2011-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  樊捷闻 ,  艾玉杰 ,  孙帅 ,  王润声 ,  邹积彬 ,  黄欣

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/762 ,  H01L21/311 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法，包括：定义有源区；淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜；并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；通过刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；抑制底管离子注入；通过湿法腐蚀硅材料，悬空连接源漏的硅细线条；将硅细线条缩小到纳米尺寸形成硅纳米线；淀积多晶硅薄膜；通过电子束光刻形成多晶硅栅线条，跨过硅纳米线，并形成全包围纳米线的结构；通过在衬底上淀积氧化硅薄膜和接下来的刻蚀氧化硅工艺，在多晶硅栅线条两侧形成氧化硅侧墙；通过离子注入和高温退火，形成源漏结构，最终制备出纳米线场效应晶体管，该方法与常规集成电路制造技术兼容，制备工艺简单、方便、周期短。

公开(公告)号：CN102509697A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110339762.0

申请日：2011-11-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  孙帅 ,  艾玉杰 ,  樊捷闻 ,  王润声 ,  许晓燕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: B82Y40/00 ,  H01L29/0676

Abstract: 本发明公开了一种制备超细纳米线条的方法，属于微电子半导体器件晶体管制造的技术领域。该方法将掩膜阻挡氧化及分步氧化工艺相结合来得到悬空超细线条。制备出的悬空超细线条直径可由淀积氮化硅的厚度和两次氧化分别通过时间及温度来精确地控制在20nm，且干法氧化速度较慢，所以对最终细线条的尺寸可以得到精确地控制；同时利用此方法制备超细线条，成本低，可行性高。

公开(公告)号：CN101924139B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010219179.1

申请日：2010-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  艾玉杰 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849

Abstract: 本发明公开了一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底、源漏、栅介质层和栅极，其特征在于，所述源漏与衬底之间有“L”形的复合隔离层，包住源漏靠近沟道一边的部分侧面和源漏底部，该复合隔离层又分为两层，即与衬底直接接触的“L”形绝缘薄层和与源漏直接接触的“L”形高应力层。该结构的场效应晶体管通过高应力层在沟道中引入应力，提高了载流子的迁移率，同时从根本上改善了场效应晶体管的器件结构，提升了器件的短沟效应抑制能力。

公开(公告)号：CN101930954B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201010259659.0

申请日：2010-08-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄欣 ,  薛守斌 ,  艾玉杰 ,  黄如

IPC: H01L23/38

CPC classification number: H01L23/38 ,  H01L27/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于肖特基源漏SOI场效应晶体管的散热结构，属于微电子领域。该散热结构是与SOI场效应晶体管的源端或源、漏两端分别连接填充N型和P型高热电常数材料的两孔，漏端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接高电位，漏端附近的P型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接低电位；源端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于源端接高电位，源端附近的P型材料的金属引线相对于源端接低电位。本发明利用帕尔帖效应，在热电材料与源或漏接触处吸收热量同时在热电材料与底电极金属连接处放出热量，从而将器件有源区的热量有效地传递到衬底，通过散热片散走。

公开(公告)号：CN102214596A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110139453.9

申请日：2011-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  诸葛菁 ,  樊捷闻 ,  艾玉杰 ,  王润声 ,  黄欣

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。方法包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；光刻定义Fin条硬掩膜；刻蚀材料A，形成Fin条的硬掩膜；源漏注入；光刻定义沟道区和大源漏区；形成Si Fin条和大源漏；去除材料A硬掩膜；形成纳米线；腐蚀SiO2，形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；多晶硅注入；杂质激活退火；刻蚀多晶硅；淀积SiN；光刻定义栅线条；刻蚀SiN和多晶硅形成栅线条；将源漏与栅分离，之间区域为空气填充；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火致密SiO2层；后续流程完成器件制备。本方法与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。

公开(公告)号：CN102074577A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010506129.1

申请日：2010-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  郝志华 ,  黄如 ,  浦双双 ,  樊捷闻 ,  孙帅 ,  王润声 ,  许晓燕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/7827 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。与常规的垂直结构Si台场效应晶体管相比，本发明的圆环结构场效应晶体管可有效抑制短沟效应，达到改善器件性能的目的。