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公开(公告)号：CN102623638A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210116833.5
申请日：2012-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N+离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N+的移动实现空位导电通道的形成和断裂。可降低器件的阻变电压，提升器件的阻变性能。同时，本发明提供的制备方法通过在金属氧化物阻变材料层上淀积一层阻挡层之后，对器件进行N+离子注入，再去除阻挡层，保证了离子注入时的效率，防止大量离子直接注入对金属氧化层的严重损伤。
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公开(公告)号：CN102306705A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110274869.1
申请日：2011-09-16
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/08 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种大容量多值阻变存储器，属于阻变存储器制备技术领域。该阻变存储器包括上电极和下电极，在上、下电极之间插入多个阻变材料层和缺陷层组合，其中，与上、下电极接触的是阻变材料层(例如Ta2O5，TiO2，HfO2等薄膜)，阻变材料层之间是缺陷层(例如Ti，Au，Ag等金属薄膜)。本发明可增加阻变存储器存储容量。
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公开(公告)号：CN102638030B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210119083.7
申请日：2012-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用。本发明的电压保护电路包括：电阻连接至运算放大器的一个输入端；运算放大器的另一输入端接地；阻变忆阻器连接在电阻连接至运算放大器的一端与运算放大器的输出端之间；阻变忆阻器为双极阻变忆阻器；电阻和阻变忆阻器与运算放大器的连接为同相电压保护电路或者为反相电压保护电路。本发明利用加在阻变忆阻器两端的电压超过发生阻变的阈值时，阻变忆阻器的阻值变小的特性，通过在电阻与运算放大器的输出端之间连接阻变忆阻器，使得当输入电压变大时，输出电压不会过高，从而以起到保护元件的作用。本发明的电压保护电路，可调范围宽，电路稳定，好控制，而且电路简单。
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公开(公告)号：CN102663497B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201210097673.4
申请日：2012-04-05
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条支路具有不同的结构，随着阻变忆阻器的数目、极性的连接方向以及串并联方式的不同而形成具有与特定电压相应的一种自路由单元电路。本发明的电路能够自动地选择向后神经元传递信号，并且电路简单、结构小以及便于大规模集成；而且为非挥发电路，一旦设定，在条件不变的情况下，不需重新设定。
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公开(公告)号：CN102683586B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210104120.7
申请日：2012-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置电路，并由端口ln1和lnn+1连接至设置电路或者计算电路，其中n为自然数，且n≥2。本发明通过端口将两个以上的阻变存储器串联起来，实现了可变的多值存储的阻变存储器。本发明的多值阻变存储器，能够稳定控制，且可重复性好，而且可以实现等差的多值存储的阻变存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102354128B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110147405.4
申请日：2011-06-02
Applicant: 北京大学
IPC: G05B19/04
Abstract: 本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，以输出电压的形式实现情感模拟，其中，加法器电路经过忆阻器改进，用忆阻器代替电阻，由于忆阻器能在外加电压的控制下改变其阻值，因此能够将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，得到输出电压，以不同的输出电压表示机器人对事物的不同的反应，从而以输出电压的形式实现机器人的情感模拟。
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公开(公告)号：CN102354128A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110147405.4
申请日：2011-06-02
Applicant: 北京大学
IPC: G05B19/04
Abstract: 本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，以输出电压的形式实现情感模拟，其中，加法器电路经过忆阻器改进，用忆阻器代替电阻，由于忆阻器能在外加电压的控制下改变其阻值，因此能够将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，得到输出电压，以不同的输出电压表示机器人对事物的不同的反应，从而以输出电压的形式实现机器人的情感模拟。
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公开(公告)号：CN102169891A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110005329.3
申请日：2011-01-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器，属于半导体器件技术领域。该半导体存储器包括一个N-P-N型或P-N-P-型半导体，其中，在N-P-N型半导体中的一个N型掺杂区或者P型掺杂区中掺入多能级杂质，或在P-N-P-型半导体中的一个P型掺杂区或者N型掺杂区中掺入多能级杂质。本发明通过控制多能级杂质，使其在施主能级和受主能级间进行转变，通过邻近区域间势垒的改变实现存储器关态或开态。
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公开(公告)号：CN102623638B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210116833.5
申请日：2012-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N+离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N+的移动实现空位导电通道的形成和断裂。可降低器件的阻变电压，提升器件的阻变性能。同时，本发明提供的制备方法通过在金属氧化物阻变材料层上淀积一层阻挡层之后，对器件进行N+离子注入，再去除阻挡层，保证了离子注入时的效率，防止大量离子直接注入对金属氧化层的严重损伤。
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公开(公告)号：CN102456745B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010523321.1
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/115 , G11C16/02 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11556 , H01L29/7391 , H01L29/7889 , H01L29/8616
Abstract: 本发明公开了一种快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括两个垂直沟道的存储单元，以轻掺杂N型(或P型)硅作为衬底，在硅平面的两端各有一个P+区(或N+区)，中间为两个垂直于硅平面的沟道区域，沟道之上为两个沟道共用的N+区(或P+区)，每个沟道的外侧由内向外依次为隧穿氧化层、多晶硅浮栅、阻挡氧化层和多晶硅控制栅，多晶硅浮栅和多晶硅控制栅由侧墙氧化层与P+区(或N+区)隔开。整个器件呈两位垂直沟道的TFET型快闪存储器，与现有的标准CMOS工艺有着较好的兼容性，较之基于MOS场效应晶体管的传统快闪存储器具有编程效率高、功耗低、可有效抑制穿通效应、密度高等多方面的优点。
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