公开(公告)号：CN102623638A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210116833.5

申请日：2012-04-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭胜虎 ,  毛俊 ,  蔡一茂 ,  潘岳 ,  杨庚雨 ,  唐昱 ,  黄英龙 ,  林増明 ,  罗长宝

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N+离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N+的移动实现空位导电通道的形成和断裂。可降低器件的阻变电压，提升器件的阻变性能。同时，本发明提供的制备方法通过在金属氧化物阻变材料层上淀积一层阻挡层之后，对器件进行N+离子注入，再去除阻挡层，保证了离子注入时的效率，防止大量离子直接注入对金属氧化层的严重损伤。

公开(公告)号：CN102623638B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201210116833.5

申请日：2012-04-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭胜虎 ,  毛俊 ,  蔡一茂 ,  潘岳 ,  杨庚雨 ,  唐昱 ,  黄英龙 ,  林増明 ,  罗长宝

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N+离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N+的移动实现空位导电通道的形成和断裂。可降低器件的阻变电压，提升器件的阻变性能。同时，本发明提供的制备方法通过在金属氧化物阻变材料层上淀积一层阻挡层之后，对器件进行N+离子注入，再去除阻挡层，保证了离子注入时的效率，防止大量离子直接注入对金属氧化层的严重损伤。