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公开(公告)号：CN106904605B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510962569.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种转移石墨烯的方法。该方法利用易升华的物质作为转移石墨烯的支撑层，首先通过加热易升华物质，使其在生长于初始基体上的石墨烯表面凝华形成致密支撑层，然后去除初始基体并将石墨烯/支撑层转移至目标衬底，再将支撑层升华即可。相比现有PMMA法、PDMS法存在的残胶问题以及热压印法、热释放胶带法对目标衬底平整性、粘附性要求较高等问题，本发明使用易升华物质作为支撑层，转移过程更加简单、便捷，可实现石墨烯向任意目标衬底的大面积、无损、无残胶转移，将大大拓展石墨烯在柔性电子、有机纳米电子学、有机太阳能电池、有机传感器方面、有机高性能微纳电子器件、有机材料能量存储等领域的应用。
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公开(公告)号：CN106904605A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510962569.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种转移石墨烯的方法。该方法利用易升华的物质作为转移石墨烯的支撑层，首先通过加热易升华物质，使其在生长于初始基体上的石墨烯表面凝华形成致密支撑层，然后去除初始基体并将石墨烯/支撑层转移至目标衬底，再将支撑层升华即可。相比现有PMMA法、PDMS法存在的残胶问题以及热压印法、热释放胶带法对目标衬底平整性、粘附性要求较高等问题，本发明使用易升华物质作为支撑层，转移过程更加简单、便捷，可实现石墨烯向任意目标衬底的大面积、无损、无残胶转移，将大大拓展石墨烯在柔性电子、有机纳米电子学、有机太阳能电池、有机传感器方面、有机高性能微纳电子器件、有机材料能量存储等领域的应用。
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公开(公告)号：CN101165004A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710175600.1
申请日：2007-10-08
Applicant: 北京大学
IPC: C04B41/53
Abstract: 本发明公开了一种制备硅纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)将纳米线分散在硅衬底上；2)以所述纳米线为掩膜干法刻蚀所述硅衬底，刻蚀掉纳米线以外的硅衬底部分，得到硅纳米线。本发明采用纳米线作为掩膜，并结合ICP干法刻蚀手段，可以获得尺寸和电学性能可控制的硅纳米线，该方法操作简单、速度快、可靠，不需要采取通常的气体生长源、催化剂、高温生长炉等。本发明方法适合于制备各种硅纳米线器件，以及其他半导体纳米材料与硅相结合的器件，在发展新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面将具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109727846B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201811558523.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜，通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜，再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜，然后生长钼薄膜，剥离得到金属钼和半导体相碲化钼相间的薄膜，进一步通过化学气相沉积法使金属钼薄膜转变为金属相碲化钼薄膜，从而得到金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结。通过该方法制备的金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结场效应晶体管阵列具有低的接触电阻，提高了载流子的注入效率，提高了器件的电学性能。同时该方法为二维半导体材料在集成电路以及柔性器件方面的应用提供了基础。
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公开(公告)号：CN108588831A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810017489.1
申请日：2018-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置。本发明采用在柔性生长衬底上生长钙钛矿纳米材料，并将柔性生长衬底粘贴在载玻片上，将载玻片固定在三维移动台上，将目标衬底放置在显微镜的载物台上，通过分别调节三维移动平台和载物台，使得目标衬底接触钙钛矿纳米材料，从而钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置上；本发明采用PDMS作为CVD钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底，使得钙钛矿纳米材料的定向转移成为可能；解决了之后采用钙钛矿纳米材料制备激光器、太阳能电池、柔性器件等相关器件中关键的技术难点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104111235A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410331238.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种测量二维薄膜材料复折射率谱的方法，包括：测量所述样品的反射光谱，包括覆盖有二维材料区域的反射光谱和没有覆盖二维材料区域的反射光谱，利用二位薄膜材料在衬底上的衬度公式，得到二维薄膜材料的衬度谱；改变透明介质厚度，得到不同透明介质厚度下的衬度谱；在固定照明波长下通过多层薄膜反射光强的理论公式拟合衬度与透明介质厚度的关系获得二维薄膜材料的复折射率参数；改变照明波长，最终获得二维薄膜材料的复折射率谱。该方法具有空间分辨率高、测量范围宽、重复性好、成本低等优点。避免了传统椭偏仪和filmetrics测量方法不适用于新型小尺度二维材料的缺点，在以二维薄膜材料为功能单元的新型器件设计与制备方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1302159C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200410038099.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极(1)、(2)和(3)，带气嘴的通气导管及两个钼舟或/和钽舟，所述加热电极接地，分别与加热电极(1)及加热电极(2)组成两套蒸发电极；所述两个钼舟或/和钽舟并排水平放置，一端均与加热电极(3)连接，另外一端分别连接于加热电极(1)和加热电极(2)上；所述使气体沿水平方向吹过两个钼舟或/和钽舟表面的通气导管气嘴高度与两个钼舟或/和钽舟表面高度相当。利用单晶半导体纳米线的生长装置生产单晶GaN纳米线的方法，包括如下步骤：1)将金属Ga源和Si样品衬底分别置于两个钼舟或/和钽舟的表面；2)抽真空；3)向真空室中通入NH3气。本发明可广泛用于新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面。
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公开(公告)号：CN116960127A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311204378.9
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/8256 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法。本发明基于二维半导体材料薄膜，二维半导体材料薄膜与源电极和漏电极的侧壁接触，沟道的长度仅由源电极与漏电极间的绝缘层的厚度决定；本发明不需要采用电子束曝光、深紫外光刻和极深紫外光刻等方法，即能够制备出沟道长度在纳米尺度的大面积场效应晶体管阵列；本发明通过源电极和漏电极的侧壁与二维半导体材料薄膜接触，能够降低器件制备成本，而且由于源电极和漏电极在垂直方向构建，并且源电极和漏电极分布在沟道的同一侧，因而减小了单个场效应晶体管的面积，进而能够提高器件密度。
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公开(公告)号：CN114171392A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111361183.6
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , C23C14/04 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法。该方法先在衬底上生长半导体相碲化钼薄膜，再图案化半导体相碲化钼薄膜并生长钨薄膜，得到金属钨和半导体相碲化钼相间的薄膜，继而通过化学气相沉积法使钨薄膜变为半金属相碲化钨薄膜；再次图案化后得到分立的以半导体相碲化钼为沟道、以半金属相碲化钨为电极的器件阵列；最后通过原子层沉积氧化铪薄膜对器件实现n型掺杂，并制备图案化的顶栅金属电极，获得大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列。该方法对二维碲化钼n型掺杂效果理想，掺杂程度可调，同时所制备的器件源漏电极接触电阻低，提高了器件性能，为二维半导体材料在集成电路等领域的应用提供了基础。
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公开(公告)号：CN109727846A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811558523.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜，通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜，再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜，然后生长钼薄膜，剥离得到金属钼和半导体相碲化钼相间的薄膜，进一步通过化学气相沉积法使金属钼薄膜转变为金属相碲化钼薄膜，从而得到金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结。通过该方法制备的金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结场效应晶体管阵列具有低的接触电阻，提高了载流子的注入效率，提高了器件的电学性能。同时该方法为二维半导体材料在集成电路以及柔性器件方面的应用提供了基础。
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