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公开(公告)号：CN111518320B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202010511059.2
申请日：2020-06-08
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司 , 北京大学
IPC: C08L7/00 , C08L9/06 , C08L9/02 , C08L83/04 , C08L9/00 , C08L23/16 , C08L11/00 , C08K13/06 , C08K9/10 , C08K3/04 , C08K5/14 , C08K3/22 , C08K5/11 , C08K5/39 , B29B7/00 , B29C35/02
Abstract: 本发明提供一种石墨烯改性橡胶及其制备方法，以质量份计，该石墨烯改性橡胶，包括橡胶基底70～90份和石墨烯包覆炭黑材料10～40份，所述石墨烯包覆炭黑材料的制备方法包括步骤如下：将氧化石墨烯和炭黑置于水中分散均匀，得分散液；及加入还原剂于所述分散液中进行还原反应，得到石墨烯包覆炭黑材料。本发明通过采用石墨烯包覆炭黑材料增强橡胶材料，该石墨烯包覆炭黑材料能够很好的分散在橡胶混合物中，避免了石墨烯易在橡胶中团聚的问题。该方法工艺简单、原料成本低廉、环境友好，且产品结构设计简单合理，分散效果明显，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113387347B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010167294.2
申请日：2020-03-11
IPC: C01B32/186 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种粉体石墨烯的制备方法，通过控制生长过程中的成核密度和/或反应气氛流经反应区的时间，调控气相石墨烯尺寸。本发明方法简单有效，首次实现气相中石墨烯尺寸地调控，可控制石墨烯尺寸的适当增大或者减少。并可在气相中直接获得石墨烯量子点，相较于传统方法而言，简单高效，石墨烯纯净并且结晶性高。
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公开(公告)号：CN113387347A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010167294.2
申请日：2020-03-11
IPC: C01B32/186 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种粉体石墨烯的制备方法，通过控制生长过程中的成核密度和/或反应气氛流经反应区的时间，调控气相石墨烯尺寸。本发明方法简单有效，首次实现气相中石墨烯尺寸地调控，可控制石墨烯尺寸的适当增大或者减少。并可在气相中直接获得石墨烯量子点，相较于传统方法而言，简单高效，石墨烯纯净并且结晶性高。
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公开(公告)号：CN108085656B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201611044393.1
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种(n，n‑1)型碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法包括如下步骤：将氢氧化铁、氢氧化钴或氢氧化镍转移至基底上；采用氢气对氢氧化铁、氢氧化钴或氢氧化镍进行还原；还原步骤结束后，继续通入氢气并引入碳源气进行生长，即得。本发明制备的半导体型碳纳米管的纯度很高，理论上(n，n‑1)型碳纳米管均为半导体型，因此该方法潜在可以制备超高纯度的半导体型碳纳米管。本发明制备的半导体型碳纳米管的质量极高，器件性能测试表明该方法制备的碳纳米管具有稳定的双极性行为，而双极性是碳纳米管的本征性质。本发明方法中碳纳米管具有极慢的生长速率，该过程有利于碳纳米管缺陷的修复，拉曼光谱和电学性质测量表明获得的结构很完美。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108085655A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611040477.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y40/00 , C23C16/0272
Abstract: 本发明公开了一种(2m，m)碳纳米管水平阵列及其制备方法。所述方法包括如下步骤：将铵盐转移至基底上，然后进行退火处理，铵盐为钼酸铵或钨酸按；采用氢气对铵盐进行还原；还原步骤结束后，向反应容器中通入碳源气进行生长，即得。本发明(2m，m)碳纳米管水平阵列，其中的碳纳米管的管径为0.7～1.3nm，长度为100～300μm。本发明采用的催化剂为碳化物，其催化活性较高，较现有的金属催化剂具有更高的活性，这是本发明能够获得密度较高的碳纳米管的关键。本发明采用的催化剂碳化钼的熔点较高，能够保持固体形态，因此能够获得手性选择性极高的碳纳米管。本发明选用单晶基底作为生长基底，由于单晶基底具有二重对称性，因此生长得到的碳纳米管具有很高的阵列性。
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公开(公告)号：CN105565292A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410594881.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C30B29/02 , B05D1/005 , B05D1/60 , B05D3/007 , B05D3/0406 , B05D3/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0233 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/08 , C01B2202/22 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C16/45512 , C30B25/186 , C30B29/20 , C30B31/04 , H01L51/0002 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0558 , H01L51/0566 , Y10S977/75 , Y10S977/843 , Y10S977/938
Abstract: 本发明公开了一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法，包括如下步骤：在单晶生长基底上加载催化剂，退火后，在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应，并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长即得。该方法制备得到超高密度单壁碳纳米管水平阵列的密度超过130根/微米，这是目前世界上已报道直接生长密度最高的单壁碳纳米管水平阵列。对本发明制备的超高密度单壁碳纳米管水平阵列进行电学性能测试，其开电流密度达到380μA/μm，跨导达到102.5μS/μm，均是目前世界上碳纳米管场效应晶体管中的最高水平。
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公开(公告)号：CN103242656A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310169948.5
申请日：2013-05-09
Applicant: 北京大学
IPC: C08L79/02 , C08G73/04 , C08L33/02 , C08K9/02 , C08K7/00 , C08K3/04 , C08K3/22 , C08K3/30 , C08L29/02 , C08L29/04 , C08L75/04 , C08L77/00 , C08L25/18 , C08K3/08 , C08J3/24 , C08J3/075 , C09J179/02 , C09J133/02 , C09J11/04 , G01K11/06 , G01J1/48 , G01N31/00
Abstract: 本发明公开了一种多组分超分子水凝胶及其制备方法。所述水凝胶由含强氢键的组分、含弱氢键的组分和水组成；所述含强氢键的组分为氧化碳纳米管、氧化石墨烯、羧基化四氧化三铁纳米粒子、羧基化银纳米粒子、羧基化量子点、聚丙烯酸、聚丙烯醇、聚乙烯醇、聚氨酯、聚酰胺和聚对苯乙烯磺酸钠中的一种或多种；所述含弱氢键的组分为小分子化合物或高分子化合物。本发明水凝胶的大部分交联力来源于弱氢键，故水凝胶对外界环境的刺激很敏感，当其化学组成合适时，可以在升温、近红外光照射、酸的作用下发生凝胶-溶胶转变，且这种转变是可逆的，即在降温、移去近红外光源、碱的作用下实现溶胶-凝胶转变。
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公开(公告)号：CN101597053B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910088735.3
申请日：2009-07-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备全同手性单壁碳纳米管阵列的方法。该方法包括如下步骤：1)通入碳源进行生长反应得到单壁碳纳米管，同时使得到的单壁碳纳米管游离漂浮于基底表面；2)关闭所述碳源结束所述生长反应，同时将所述生长反应的体系进行降温，并同时向所述生长反应的体系中通入惰性气体或还原性气体，使所述单壁碳纳米管着落于所述基底上，得到全同手性单壁碳纳米管阵列。本发明方法制备的全同手性碳纳米管阵列的产率可高达96.5％。另外，本发明方法操作简单，成本低廉、省时省力。因此本发明方法将会有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101671013A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810222216.7
申请日：2008-09-11
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明公开了一种克隆生长单壁碳纳米管的方法。该方法是将至少有一端开口的单壁碳纳米管放入化学气相沉积容器中，在所述容器中通入Ar气和H 2 ，其中Ar气和H 2 的气体流量分别为500sccm、300sccm；将所述容器由室温升至到700℃，并恒温稳定10～60分钟，之后升到二次生长温度900～1050℃，达到二次生长温度后关闭Ar气体，继续通300sccm氢气，然后通入碳源，二次生长5～30分钟，得到克隆生长的单壁碳纳米管；所述碳源为下述a)或b)：所述a)为气体流量为50～300sccmCH 4 和气体流量为1～20sccm C 2 H 4 ；所述b)为气体流量为50～300sccmCH 4 和气体流量为1～20sccm C 2 H 4 。这种以开口生长机理克隆生长单壁碳纳米管的技术可以推广到其它纳米结构材料的合成中，具有广阔的应用前景。
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