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公开(公告)号：CN102543172A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210046710.9
申请日：2012-02-27
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明公开了一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法。本发明的控制方法在神经元电路里，阻变忆阻器的两个端口分别和MOS晶体管的漏端和源端相连，组成并联结构，并分别连接于前神经元和后神经元，在MOS晶体管的栅端加上栅电压。本发明通过阻变忆阻器与MOS晶体管并联，在学习态，通过调节MOS晶体管的栅电压将阻变忆阻器设置到预定阻值；在计算态，通过栅电压控制MOS晶体管的沟道电阻从而精确控制阻变忆阻器和MOS晶体管的并联结构的阻值，从而快速精确地对并联结构的阻值进行调节。MOS晶体管的面积可以很小，有利于大规模集成，同时，控制MOS晶体管的栅电压能够实现阻变忆阻器的阻值可变并且可以精确控制阻值浮动。
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公开(公告)号：CN101789778B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910243256.4
申请日：2009-12-29
Applicant: 北京大学
IPC: H03K17/94
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高抗干扰性的射频开关，属于CMOS超大规模集成电路技术领域。本发明的射频开关为串联和并联两种，串联射频开关的连接关系为：阻变器件R与电感为串联；阻变器件R与电感的连接端与信号输出端口连接；电感另一端与地线连接；阻变器件R另一端与输入信号端连接；阻变器件R控制器与阻变器件R的一端口连接。并联射频开关的连接关系为：阻变器件R与电感并联；阻变器件R与电感的一连接端分别与输出信号端口连接、经电容与输入信号端口连接；阻变器件R与电感的另一连接端与地线连接；阻变器件R控制器与阻变器件R的一端口连接。本发明具有结构简单、功耗低、成本低、开关速度快、高抗干扰性等特点。
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公开(公告)号：CN101976676A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010279505.8
申请日：2010-09-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L27/249 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供一种三维结构阻变存储器阵列及其制造方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明三维结构阻变存储器阵列包括衬底和底电极/隔离介质堆栈结构，在底电极/隔离介质堆栈结构上刻蚀出深槽，在深槽侧壁上淀积阻变材料以及顶电极层，其中底电极和顶电极在深槽侧壁上呈十字交叉，交叉点之间有阻变材料，每个交叉点形成一个阻变存储器单元，所有的阻变存储器单元形成三维阻变存储器阵列，阵列中的三维阻变存储器由隔离介质层隔离。本发明可以提高阻变存储器的存储密度，并且简化工艺，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN101826597A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010161422.9
申请日：2010-05-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，其中，中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜。本发明在钛氧酞菁薄膜生长过程中，引入均匀的金属的掺杂来实现金属杂质与有机薄膜的氧化还原反应，进而实现阻变双稳态。同时，人为引入均匀的金属掺杂，实现了均匀的陷阱分布，从而有效减小了陷阱随机分布造成的单个器件特性的不稳定以及不同器件之间的阻变特性的不均一。本发明有机阻变材料具有较好的化学稳定性和温度稳定性，并且可在柔性衬底上实现，在低成本，高性能的有机存储器方面具有很高的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101789777A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910312616.1
申请日：2009-12-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种射频接收和发射(T/R)转换开关，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该T/R转换开关包括两个相互连接的阻变器件，这两个阻变器件在一控制电压的作用下电阻特性相反，即阻变器件R1和阻变器件R2连接同一控制电压端，阻变器件R1的电阻处于高阻态，阻变器件R2的电阻处于低阻态，或阻变器件R1的电阻处于低阻态，阻变器件R2的电阻处于高阻态。本发明利用了阻变器件的双极特性，通过电压控制端的电压极性改变，使开关中两个阻变器件的电阻状态改变，从而实现了射频接收和发射(T/R)转换。本发明T/R转换开关电路可以完全做在信号处理元器件的上方，实现了三维集成。
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公开(公告)号：CN118315336A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410353312.4
申请日：2024-03-26
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向排布的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；其中，第一晶体管包括：第一源漏结构、第一源漏金属和第一栅极结构；第一源漏金属与第一源漏结构连通；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、覆盖第二有源结构的第二层间介质层，以及与第二有源结构沿第二方向交替间隔排布的第二栅极结构；光刻第二层间介质层和第二栅极结构，直至分别形成源漏互连凹槽和栅极互连凹槽；在源漏互连凹槽内形成源漏互连结构以及在栅极互连凹槽内形成栅极互连结构，以形成第二晶体管。
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公开(公告)号：CN102354128B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110147405.4
申请日：2011-06-02
Applicant: 北京大学
IPC: G05B19/04
Abstract: 本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，以输出电压的形式实现情感模拟，其中，加法器电路经过忆阻器改进，用忆阻器代替电阻，由于忆阻器能在外加电压的控制下改变其阻值，因此能够将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，得到输出电压，以不同的输出电压表示机器人对事物的不同的反应，从而以输出电压的形式实现机器人的情感模拟。
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公开(公告)号：CN101826597B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010161422.9
申请日：2010-05-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，其中，中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜。本发明在钛氧酞菁薄膜生长过程中，引入均匀的金属的掺杂来实现金属杂质与有机薄膜的氧化还原反应，进而实现阻变双稳态。同时，人为引入均匀的金属掺杂，实现了均匀的陷阱分布，从而有效减小了陷阱随机分布造成的单个器件特性的不稳定以及不同器件之间的阻变特性的不均一。本发明有机阻变材料具有较好的化学稳定性和温度稳定性，并且可在柔性衬底上实现，在低成本，高性能的有机存储器方面具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN102354128A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110147405.4
申请日：2011-06-02
Applicant: 北京大学
IPC: G05B19/04
Abstract: 本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，以输出电压的形式实现情感模拟，其中，加法器电路经过忆阻器改进，用忆阻器代替电阻，由于忆阻器能在外加电压的控制下改变其阻值，因此能够将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，得到输出电压，以不同的输出电压表示机器人对事物的不同的反应，从而以输出电压的形式实现机器人的情感模拟。
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