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公开(公告)号：CN101826597B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010161422.9
申请日：2010-05-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，其中，中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜。本发明在钛氧酞菁薄膜生长过程中，引入均匀的金属的掺杂来实现金属杂质与有机薄膜的氧化还原反应，进而实现阻变双稳态。同时，人为引入均匀的金属掺杂，实现了均匀的陷阱分布，从而有效减小了陷阱随机分布造成的单个器件特性的不稳定以及不同器件之间的阻变特性的不均一。本发明有机阻变材料具有较好的化学稳定性和温度稳定性，并且可在柔性衬底上实现，在低成本，高性能的有机存储器方面具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN101826598B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010162689.X
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜，在钛氧酞菁膜内有金属Cu或者Ag纳米细丝。本发明引入了两种阻变机制。一是，利用顶电极加足够的正压使得金属Cu或者Ag纳米丝熔断形成关态；加负压后金属Cu或者Ag纳米细丝再次形成而转换成开态；二是，利用顶电极和有机薄膜的氧化还原反应的正向进行和逆向进行实现阻变。本发明实现了多态的阻变特性和多值存储功能，在低成本、高性能的有机存储器方面具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN101853922A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010158789.5
申请日：2010-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(SixOyNz)。本发明通过对标准CMOS工艺中后端的等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺进行参数调节，制备出和标准CMOS工艺完全兼容的氮氧硅单极阻变存储器，其可以在低温工艺下实现，同时达到了人为控制缺陷浓度的目的，从而得到了较低的阻变电压和阻变电流，在低压低功耗存储器方面，具有很高的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102222512A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010146401.X
申请日：2010-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性有机阻变存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域。该器件采用聚对二甲苯聚合物膜为衬底，衬底上为MIM结构的阻变存储器，阻变存储器的底层和顶层分别为金属电极，阻变存储器的中间功能层为聚对二甲苯聚合物膜。由于用聚对二甲苯聚合物膜同时作为有机阻变存储器的衬底和功能层，可制备出柔韧、可弯曲的有机阻变存储器。本发明柔性有机阻变存储器的关态电流小，性能优异，且工艺成本低。开关态的电流比率高达108，比基于SiO2/Si衬底的聚对二甲苯阻变存储器的开关比率高出3-4个数量级。
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公开(公告)号：CN101853922B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010158789.5
申请日：2010-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(SixOyNz)。本发明通过对标准CMOS工艺中后端的等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺进行参数调节，制备出和标准CMOS工艺完全兼容的氮氧硅单极阻变存储器，其可以在低温工艺下实现，同时达到了人为控制缺陷浓度的目的，从而得到了较低的阻变电压和阻变电流，在低压低功耗存储器方面，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN101826598A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010162689.X
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜，在钛氧酞菁膜内有金属Cu或者Ag纳米细丝。本发明引入了两种阻变机制。一是，利用顶电极加足够的正压使得金属Cu或者Ag纳米丝熔断形成关态；加负压后金属Cu或者Ag纳米细丝再次形成而转换成开态；二是，利用顶电极和有机薄膜的氧化还原反应的正向进行和逆向进行实现阻变。本发明实现了多态的阻变特性和多值存储功能，在低成本、高性能的有机存储器方面具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN102222512B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010146401.X
申请日：2010-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性有机阻变存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域。该器件采用聚对二甲苯聚合物膜为衬底，衬底上为MIM结构的阻变存储器，阻变存储器的底层和顶层分别为金属电极，阻变存储器的中间功能层为聚对二甲苯聚合物膜。由于用聚对二甲苯聚合物膜同时作为有机阻变存储器的衬底和功能层，可制备出柔韧、可弯曲的有机阻变存储器。本发明柔性有机阻变存储器的关态电流小，性能优异，且工艺成本低。开关态的电流比率高达108，比基于SiO2/Si衬底的聚对二甲苯阻变存储器的开关比率高出3-4个数量级。
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公开(公告)号：CN101826597A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010161422.9
申请日：2010-05-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，其中，中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜。本发明在钛氧酞菁薄膜生长过程中，引入均匀的金属的掺杂来实现金属杂质与有机薄膜的氧化还原反应，进而实现阻变双稳态。同时，人为引入均匀的金属掺杂，实现了均匀的陷阱分布，从而有效减小了陷阱随机分布造成的单个器件特性的不稳定以及不同器件之间的阻变特性的不均一。本发明有机阻变材料具有较好的化学稳定性和温度稳定性，并且可在柔性衬底上实现，在低成本，高性能的有机存储器方面具有很高的应用价值。
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