-
公开(公告)号：CN111663175A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910171869.5
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种通过嫁接制备单晶金属的方法，以已有的金属单晶A为子晶，将其放置在需要单晶化的金属B上，通过退火工艺处理，嫁接得到与子晶晶面指数相同的大尺寸单晶金属B。本发明提出的方法，解决了单晶金属难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用小尺寸(0.05～1cm2)的单晶金属制得了大面积(1～700cm2)的单晶金属。
-
公开(公告)号：CN109837587B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810493951.5
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种元素辅助快速制备大尺寸单晶二维材料的方法，涉及单晶石墨烯及其它二维材料的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用含特定元素的衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯及其它二维材料。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶二维材料生长周期长的技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯及其它二维单晶样品。
-
公开(公告)号：CN109883347B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910194330.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种基于光学三倍频的测量二维材料应变张量的装置及方法。所述装置包括脉冲激光光源、反射镜、第一偏振片、分束镜、1/2波片、镜头、被测二维样品、滤光片、第二偏振片和光谱仪。本发明实现了对二维材料应变张量的测量，具有测量速度快、简单有效、不破坏被测样品的特点。本发明首次实现了不受二维材料体系(能带结构、晶体对称性等)限制的应变张量测量，对与应变工程精准调控二维材料性能，以满足其在光学、电学、光电子学器件等领域的应用具有极大帮助。
-
公开(公告)号：CN109545986B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811166401.9
申请日：2018-10-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种超净界面异质结的制备方法及应用，所述异质结的制备方法包括如下步骤：首先利用化学气相沉积法生长大面积单晶石墨烯膜，然后利用非聚合物辅助的清洁转移方法制备透射电子显微镜网格上的悬浮石墨烯，最后使用一步溶液法在清洁的石墨烯表面上直接合成厚度为5‑100nm的钙钛矿单晶，完成超净界面异质结材料的制备。该方法完全避免了转移过程中的聚合物污染，异质结电子耦合非常好，界面非常干净。同时，根据进一步的表征验证，在超净的界面下，石墨烯作为二维电极及受体材料可实现超快、高效率的载流子收集，此方法得到的异质结具有高达98％的光电流转换效率，并且光生载流子的收集时间尺度为百飞秒量级。
-
公开(公告)号：CN108535892B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710123200.X
申请日：2017-03-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种新型的石墨烯光子晶体光纤液态电极电光调制器。该器件在光子晶体光纤表面和内壁覆盖石墨烯薄膜，在光纤内部充入离子液体与电极接触制成离子液体电极，通过调节电压改变石墨烯费米能级进而调控光在石墨烯光纤的透过率，最终实现电光调制。本发明采用石墨烯光子晶体光纤以及离子液体电极技术，与其他类似的石墨烯电光调制器相比有更高的工作带宽，调制效率和更低的能量损耗。本发明提供的新型石墨烯光子晶体光纤液态电极电光调制器具有工作频带宽，调制效率高，能量损耗低，制作工艺简单，与光纤光路系统耦合方便，利于光电系统集成，在光纤通信，传感器和光互联系统等领域有广阔的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108363221B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810057823.6
申请日：2018-01-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种基于石墨烯的可调节波长范围的长波通过型的滤光器。该器件在光学窗口表面覆盖石墨烯薄膜，在石墨烯表面覆盖离子液体或者离子凝胶，从石墨烯和光学窗口引电极连接至电压源。通过调节电压可改变石墨烯的费米能级进而调节某特定波长范围的光透过率，即调节滤光器截止波长的位置，大于滤光器截止波长的光将通过滤光器从另一侧出射，小于截止波长的光不通过，最终实现可调节的长波通过型滤光器。与传统的滤光器先比，本发明提供的滤光器的截止波长范围可调，功耗低等特点，可方便替换传统滤光器，可广泛应用于光学工程，光学仪器等领域。
-
公开(公告)号：CN108728813B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710278012.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置，涉及超大单晶薄膜的制备方法。所述方法为将原材料(如金属箔片)或所需耐高温衬底放在耐高温隔离支架中，置于局部高温加热体上，然后利用常压化学或物理气相沉积法，采用局部高温加热，并在非熔融状态下利用高温驱动单个小晶畴或成核位点长大的原理，通过两端的转动装置，直接或在各类耐高温衬底表面快速连续获得高质量超大单晶薄膜。本发明提出的方法，解决了传统方法制备的单晶薄膜能耗高、工艺复杂、设备昂贵，以及所制备单晶薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备高质量超大单晶薄膜样品。
-
-
公开(公告)号：CN110629190A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201811497178.6
申请日：2018-12-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备方法，涉及氮化硼制备方法，氦离子显微镜加工，和石墨烯的化学气相沉积生长。其主要特征为将氮化硼置于金属箔片基底，并用氦离子显微镜在氮化硼上刻蚀出亚10纳米孔洞，然后利用化学气相沉积法，在氮化硼纳米孔洞中生长石墨烯量子点。本发明提出的方法，解决了石墨烯量子点几何尺寸和位置不能有效控制，且稳定性不好的技术喝科学问题，氦离子加工辅助生长的方法，实现了高度可控的亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备。
-
公开(公告)号：CN110295357A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810233438.2
申请日：2018-03-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置，涉及超大尺寸二维材料薄膜的制备方法。所述方法为将金属箔或其他柔性耐高温衬底与柔性耐高温隔层复卷成大卷，放在支架上，并在材料生长腔中同时整体生长的方法，在金属箔或其他柔性耐高温衬底表面快速宏量制备出尺寸大，易裁剪，易加工，成本低的高质量超大尺寸二维材料薄膜。本发明提出的方法及装置，解决了传统方法制备的二维材料薄膜工艺复杂、设备昂贵，以及所制备二维材料薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低，卷对卷制备方法生长效率较低，且所需设备复杂成本较高，无法满足大规模应用的需要等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速宏量制备高质量超大尺寸二维材料薄膜样品。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
124
records
(took 0.02 seconds)
