公开(公告)号：CN111663175B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201910171869.5

申请日：2019-03-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  徐小志 ,  俞大鹏 ,  王恩哥

IPC: C30B1/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提出一种通过嫁接制备单晶金属的方法，以已有的金属单晶A为子晶，将其放置在需要单晶化的金属B上，通过退火工艺处理，嫁接得到与子晶晶面指数相同的大尺寸单晶金属B。本发明提出的方法，解决了单晶金属难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用小尺寸(0.05～1cm2)的单晶金属制得了大面积(1～700cm2)的单晶金属。

公开(公告)号：CN108362694B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201810040236.6

申请日：2018-01-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 王金焕 ,  徐小志 ,  乔瑞喜 ,  刘开辉

IPC: G01N21/84

Abstract: 本发明提供了一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用水蒸气氛围低温加热后，可以在光学显微镜下观察到样品的晶界。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可观察到多晶二维过渡金属硫族化合物的晶界。

公开(公告)号：CN108169262B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201711384239.3

申请日：2017-12-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 张志斌 ,  徐小志 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: G01N23/20 ,  G01N23/203 ,  G01N23/20058

Abstract: 本发明提供了一种快速标定金属晶面的方法，所述金属例如为铜箔，利用高温氧化后铜表面形成的氧化物的厚度与颜色的关系来判断晶面，不同晶面由于氧化速率不同，氧化物薄膜就会有不同的厚度，由此的衬度(颜色)则有不同的差别。不同晶面的区别在光学显微就下就可以明显地看到。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可区分出不同的晶面。

公开(公告)号：CN105624778B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201610191702.1

申请日：2016-03-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 张智宏 ,  徐小志 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供了一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法，涉及大晶畴石墨烯薄膜的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物为衬底使金属箔片穿过氧化物衬底夹层，然后利用常压化学气相沉积法，通过两端的转动装置，快速连续获得大晶畴高质量石墨烯薄膜。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯薄膜晶畴尺寸小、电学性能低、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜样品。

公开(公告)号：CN108169262A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711384239.3

申请日：2017-12-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 张志斌 ,  徐小志 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: G01N23/20 ,  G01N23/203 ,  G01N23/20058

Abstract: 本发明提供了一种快速标定金属晶面的方法，所述金属例如为铜箔，利用高温氧化后铜表面形成的氧化物的厚度与颜色的关系来判断晶面，不同晶面由于氧化速率不同，氧化物薄膜就会有不同的厚度，由此的衬度(颜色)则有不同的差别。不同晶面的区别在光学显微就下就可以明显地看到。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可区分出不同的晶面。

公开(公告)号：CN105624778A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610191702.1

申请日：2016-03-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 张智宏 ,  徐小志 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/02

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供了一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法，涉及大晶畴石墨烯薄膜的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物为衬底使金属箔片穿过氧化物衬底夹层，然后利用常压化学气相沉积法，通过两端的转动装置，快速连续获得大晶畴高质量石墨烯薄膜。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯薄膜晶畴尺寸小、电学性能低、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜样品。

公开(公告)号：CN109837587A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810493951.5

申请日：2018-05-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘灿 ,  徐小志 ,  吴慕鸿 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C30B29/02 ,  C30B25/00 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提供了一种元素辅助快速制备大尺寸单晶二维材料的方法，涉及单晶石墨烯及其它二维材料的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用含特定元素的衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯及其它二维材料。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶二维材料生长周期长的技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯及其它二维单晶样品。

公开(公告)号：CN108362694A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810040236.6

申请日：2018-01-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 王金焕 ,  徐小志 ,  乔瑞喜 ,  刘开辉

IPC: G01N21/84

Abstract: 本发明提供了一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用水蒸气氛围低温加热后，可以在光学显微镜下观察到样品的晶界。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可观察到多晶二维过渡金属硫族化合物的晶界。

公开(公告)号：CN107904654A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201710020397.4

申请日：2017-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐小志 ,  张智宏 ,  吴慕鸿 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C30B1/02 ,  C30B29/02 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸单晶铜箔的制备方法。所述方法为多晶铜箔作为原料，一端剪成尖端，利用特殊退火工艺制备出大尺寸单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸单晶铜箔的制备。

公开(公告)号：CN105714382B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610098625.5

申请日：2016-02-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 张智宏 ,  徐小志 ,  刘开辉

IPC: C30B29/52 ,  C30B1/02

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸Cu(100)单晶铜箔的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(100)。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(100)价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了Cu(100)单晶铜箔的制备。