公开(公告)号：CN108362694A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810040236.6

申请日：2018-01-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 王金焕 ,  徐小志 ,  乔瑞喜 ,  刘开辉

IPC: G01N21/84

Abstract: 本发明提供了一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用水蒸气氛围低温加热后，可以在光学显微镜下观察到样品的晶界。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可观察到多晶二维过渡金属硫族化合物的晶界。

公开(公告)号：CN108362694B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201810040236.6

申请日：2018-01-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 王金焕 ,  徐小志 ,  乔瑞喜 ,  刘开辉

IPC: G01N21/84

Abstract: 本发明提供了一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用水蒸气氛围低温加热后，可以在光学显微镜下观察到样品的晶界。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可观察到多晶二维过渡金属硫族化合物的晶界。

公开(公告)号：CN112760714B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201911065167.5

申请日：2019-11-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  王金焕 ,  徐小志

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法，所述方法包括以特定晶向的a‑plane三氧化铝作为衬底，高温下生长大面积单晶二维过渡金属硫族化合物，其中，所述特定晶向为 / 。所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。所述方法解决了化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物单晶尺寸小的问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶二维过渡金属硫族化合物的制备。

公开(公告)号：CN112760714A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911065167.5

申请日：2019-11-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  王金焕 ,  徐小志

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法，所述方法包括以特定晶向的a‑plane三氧化铝作为衬底，高温下生长大面积单晶二维过渡金属硫族化合物，其中，所述特定晶向为 / 。所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。所述方法解决了化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物单晶尺寸小的问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶二维过渡金属硫族化合物的制备。