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公开(公告)号：CN110707213A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911145732.9
申请日：2019-11-21
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及其制备方法，所述的阻变型选通器，结构包括从底部至顶部依次设置的衬底、底电极薄膜、功能层薄膜和顶电极薄膜，且所述底电极薄膜的面积大于所述功能层薄膜的面积；每层材料薄膜层之间没有其他材料，相邻薄膜层之间通过一定程度的相互扩散形成多级次功能层，使所述阻变型选通器在高电压下仍保持低电流值，可有效抑制阻变器件集成阵列中的串扰电流；改善功能层薄膜在真空状态下沉积得到的成分偏析问题，使高电阻状态更稳定。使底电极薄膜与功能层薄膜之间形成一种特殊的材料界面效应，在大电压下将通过该选通器的电流稳定在一个极低的固定值，形成自限流效应，省略外加钳位电流。
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公开(公告)号：CN107483150A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710681650.0
申请日：2017-08-10
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H04L1/00
CPC classification number: H04L1/0065
Abstract: 本发明涉及一种基于TSV传输的信道级联码编码方法和信号传输方法及装置。该方法在待传输的二进制随机信息序列进入TSV传输通道之前，对该二进制随机信息序列进行信道级联码编码，即首先进行汉明码编码，然后进行LDPC码编码；在采用上述方法编码的信息序列通过TSV传输通道之后，对编码的信息序列进行信道级联码译码，即首先进行LDPC码译码，然后进行汉明码译码，得到最终的信息序列。本方案能够在不影响TSV结构、不增加大量成本的情况下，高效地克服误码，减小耦合串扰对信号传输的影响。
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公开(公告)号：CN103165492B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310115902.5
申请日：2013-04-03
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供一种晶圆的贯穿硅通孔(TSV)的光学显微图像检测方法，在晶圆上加工有TSV阵列，所述方法包括：(1)利用标定板对光学显微成像系统进行标定，确定光学显微成像系统所采集的显微图像像素与实际尺寸之间的对应关系；(2)利用光学显微成像系统对加工有TSV阵列的晶圆成像，采集TSV阵列的显微图像，对TSV阵列的显微图像进行图像处理，获得TSV阵列的显微图像中TSV的待测尺寸占据的像素数量；(3)利用TSV阵列的显微图像中TSV的待测尺寸占据的像素数量以及确定的所述对应关系，来测量TSV的加工尺寸；(4)确定测量出的TSV的加工尺寸是否在预定误差范围内。
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公开(公告)号：CN103165492A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310115902.5
申请日：2013-04-03
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供一种晶圆的贯穿硅通孔(TSV)的光学显微图像检测方法，在晶圆上加工有TSV阵列，所述方法包括：(1)利用标定板对光学显微成像系统进行标定，确定光学显微成像系统所采集的显微图像像素与实际尺寸之间的对应关系；(2)利用光学显微成像系统对加工有TSV阵列的晶圆成像，采集TSV阵列的显微图像，对TSV阵列的显微图像进行图像处理，获得TSV阵列的显微图像中TSV的待测尺寸占据的像素数量；(3)利用TSV阵列的显微图像中TSV的待测尺寸占据的像素数量以及确定的所述对应关系，来测量TSV的加工尺寸；(4)确定测量出的TSV的加工尺寸是否在预定误差范围内。
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公开(公告)号：CN116760668A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310010138.9
申请日：2023-01-04
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明设计一种适用于超短距离(Very Short Reach，VSR)信道、面向112Gb/s四电平脉冲幅度调制(Pulse Amplitude Modulation 4，PAM4)接收机的自适应均衡设计方案。本方案中，接收机前端利用三个连续时间线性均衡器(Continuous Time Linear Equalizer，CTLE)对信号分别在高频、中频和低频进行补偿；可变增益放大器(Variable Gain Amplifier，VGA)和饱和放大器(Saturation Amplifier，SatAmp)则用于对信号幅值的缩放。除了三个数据采样器外，引入四个辅助采样器用于进一步改善阈值自适应算法性能。同时，采用符号最小均方算法利用接收端数据采样器和辅助采样器之间的偏移推动辅助参考电压收敛到信号星座电平，从而确保PAM4接收信号的眼图在垂直方向上三个眼睛具有相等的间隔和恒定的信噪比(Signal‑Noise ratio，SNR)。采用本方案的112Gb/s PAM4接收机能够在损耗为15dB的信道上实现小于10‑12的误码率，并且具有良好的眼图性能，其最差眼高为75mv，眼宽为0.34UI(Unit Interval)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114546070A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011327405.8
申请日：2020-11-25
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F1/20
Abstract: 本发明提供一种基于热电转换效应的智能手机动态温控管理系统及方法，针对目前智能手机运算量越来越大所导致的手机温度控制困难，以及在不同使用环境中温度波动对手机性能影响较大的问题，开发出基于热电转换效应的智能辅助温控系统。热电器件具有轻薄，无活动器件等优点，通过改变电流方向可以在同一热电器件中实现制热和制冷两种工作模式，避免了在一个辅助温控装置中添加制冷和制热两种模块的情况，增加了有限空间的利用率。整个动态温控系统通过微型温度传感器对智能手机的温度进行监控，并把监控数据反馈给智能微处理器。辅助温控装置的智能微处理器对温度检测模块采集的温度信息进行分析，通过预设方案控制热电器件的工作状态，实现对手机温度的动态智能调控。基于热电转换效应的动态温控管理系统，可以在智能手机等小型电子设备上工作，利用有限的空间实现冷热一体的温度控制。
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公开(公告)号：CN112711928A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910953191.6
申请日：2019-10-09
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明设计一种基于分段传输线的分段微带线电互连结构单元，该单元包括设计所需的基因算法以及不同阻抗微带线片段构成的分段微带线。由于高频环境条件下电信号是以波的传播形式进行传播，并且信号波对于阻抗变化的敏感特性会导致阻抗变化位置的信号反射。本发明通过不同微带线片段组合以引发复数的信号反射，并利用反射波的叠加以对高频条件下微带线上由于并联电容造成的信号损失进行弥补。本发明通过基因算法获取最优的微带线片段长度和阻抗信息。基因算法中将微带线片段的长度和阻抗作为目标基因染色体特征，通过基因算法种群的生成、交叉、变异、评估等优化步骤，以获取具有良好信号弥补效果的微带线片段组合方式，以实现分段微带线的设计。
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公开(公告)号：CN110491847B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201810454322.1
申请日：2018-05-14
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种基于硅通孔的神经元功能电路单元，该单元包括衬底、硅通孔、晶体管和互连，硅通孔中金属、二氧化硅和N型重掺杂层组成的电容与晶体管连接构成浮栅结构。本发明提供的单元利用浮栅的原理，其功能是将若干个输入电压信号的加权和与阈值相比较得到一个二值化输出，以构成神经形态计算的基础电路单元。同时，本发明采用成熟的工艺技术实现，使得单元极易加工，避免了制造的困难，同时，浮栅结构的工作原理是基于电荷求和而不是电流求和，有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN110516272A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810708362.4
申请日：2018-07-02
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种三维集成电路缺陷TSV的动态自修复方法和装置。修复电路分为主端修复电路和从端修复电路，主端修复电路用于配置修复路径，从端修复电路用于恢复修复后的数据信号。当缺陷TSV的数量小于或等于冗余TSV数量时，应用冗余容错修复(硬修复)对其进行修复。否则，先对缺陷TSV进行冗余容错修复(硬修复)，再将剩余缺陷TSV进行并串-串并转换修复(软修复)。本发明避免了传统修复方案中修复率高低取决于冗余TSV数量的弊端，增加了修复路径的选择，进而提高了缺陷TSV被修复的可能性。通过重构电路来修复由于工作环境及芯片老化率等因素影响下的TSV数据通道缺陷问题，有利于延长芯片的工作寿命，减少经济损失。
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公开(公告)号：CN101577358B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910087333.1
申请日：2009-06-23
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微机械太赫兹波导、太赫兹波导式谐振腔及制备方法，属于波谱技术领域。该微机械太赫兹波导为内嵌于封装基板中的管道结构，封装基板由上、下表面板和若干个中间基板堆叠而成，所述波导设置在中间基板内，其轴线平行于基板表面；该波导延伸到中间基板的侧向外表面，或该波导延伸至上、下表面板的外表面，用于实现信号输入、输出；在所述波导内壁上涂敷有金属。利用上述THz波导设计原理，还可以制备太赫兹波导式谐振腔，且制备方法基于RF MEMS的微机械技术，可进行大规模并行化、低成本的加工。
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