增强散热Cu-Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及制备方法

    公开(公告)号:CN110668392B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN201910958729.2

    申请日:2019-10-10

    Abstract: 本发明涉及一种增强散热Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及其制备方法,通过先对衬底进行预处理后,再沉积Cu膜,之后在有氧环境中进行退火处理,制得Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜结构中,纳米线之间紧密排列,电学性能大幅提升,适合作为电极材料使用。纳米线阵列膜在面内方向的热导率降低,在面外方向具有接近于块体铜材料的热导率,膜的散热功能好,Cu‑Cu2O核壳结构使纳米线阵列的稳定性增强。本发明所述的Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜电极,具有抗氧化性能和热导率各向异性,导电性高,热传导性强。方块电阻50‑200mΩ/□,面外热导率270‑378W/mK,面外与面内热导率的比值10‑60。

    一种具有宽温域性能稳定的碲化铋基热电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114249305A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202011006224.5

    申请日:2020-09-23

    Abstract: 本发明涉及一种具有宽温域性能稳定的碲化铋基热电薄膜及其制备方法,通过先在衬底上沉积上一层热电薄膜,再在控制条件下对热电薄膜进行原位退火处理,最后对所述退火处理后的热电薄膜进行阶梯性循环退火处理,最终制得具有宽温域稳定性的热电薄膜材料,取向结构的变化有利于提升材料的热电性能,对热电薄膜进行原位退火处理,使得薄膜材料可以在生长环境中充分生长,同时缓解薄膜内部应力和膜基应力,增强薄膜材料的结构稳定性,阶梯性退火过程有利于针对不同取向结构的热电材料的结构特点,对材料的载流子输运性能进行调控,因此所述碲化铋基热电薄膜材料可实现在提升热电性能的情况下,实现薄膜材料在宽温域范围内具有较好的性能和稳定性。

    一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及制备方法

    公开(公告)号:CN110707213A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201911145732.9

    申请日:2019-11-21

    Abstract: 本发明涉及一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及其制备方法,所述的阻变型选通器,结构包括从底部至顶部依次设置的衬底、底电极薄膜、功能层薄膜和顶电极薄膜,且所述底电极薄膜的面积大于所述功能层薄膜的面积;每层材料薄膜层之间没有其他材料,相邻薄膜层之间通过一定程度的相互扩散形成多级次功能层,使所述阻变型选通器在高电压下仍保持低电流值,可有效抑制阻变器件集成阵列中的串扰电流;改善功能层薄膜在真空状态下沉积得到的成分偏析问题,使高电阻状态更稳定。使底电极薄膜与功能层薄膜之间形成一种特殊的材料界面效应,在大电压下将通过该选通器的电流稳定在一个极低的固定值,形成自限流效应,省略外加钳位电流。

    增强散热Cu-Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及制备方法

    公开(公告)号:CN110668392A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910958729.2

    申请日:2019-10-10

    Abstract: 本发明涉及一种增强散热Cu-Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及其制备方法,通过先对衬底进行预处理后,再沉积Cu膜,之后在有氧环境中进行退火处理,制得Cu-Cu2O核壳纳米线阵列膜结构中,纳米线之间紧密排列,电学性能大幅提升,适合作为电极材料使用。纳米线阵列膜在面内方向的热导率降低,在面外方向具有接近于块体铜材料的热导率,膜的散热功能好,Cu-Cu2O核壳结构使纳米线阵列的稳定性增强。本发明所述的Cu-Cu2O核壳纳米线阵列膜电极,具有抗氧化性能和热导率各向异性,导电性高,热传导性强。方块电阻50-200mΩ/□,面外热导率270-378W/mK,面外与面内热导率的比值10-60。

    具有纳米棒阵列的碲化银-硫化银薄膜及其制法

    公开(公告)号:CN112458420B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202011371020.1

    申请日:2020-11-30

    Inventor: 曹丽莉 高洪利

    Abstract: 本发明涉及一种具有纳米棒阵列的Ag2Te‑Ag2S柔性热电薄膜及其制备方法,先采用射频磁控溅射工艺在衬底上沉积得到纳米棒阵列Te薄膜,再采用真空蒸镀工艺在所述Te薄膜上沉积Ag膜,使Te与Ag发生反应生成Ag2Te‑Ag复合物膜,最后采用旋转涂膜工艺在Ag2Te‑Ag复合物膜上旋涂S膜,经退火处理后,制得所述Ag2Te‑Ag2S薄膜,具有纳米棒阵列,取向好,质量好,热电性能优异,所述Ag2Te‑Ag2S薄膜的电导率为1×103‑150×103S·m‑1,Seebeck系数为100‑800μV·K‑1。

    一种基于热电转换效应的手机动态温控管理系统及方法

    公开(公告)号:CN114546070A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202011327405.8

    申请日:2020-11-25

    Abstract: 本发明提供一种基于热电转换效应的智能手机动态温控管理系统及方法,针对目前智能手机运算量越来越大所导致的手机温度控制困难,以及在不同使用环境中温度波动对手机性能影响较大的问题,开发出基于热电转换效应的智能辅助温控系统。热电器件具有轻薄,无活动器件等优点,通过改变电流方向可以在同一热电器件中实现制热和制冷两种工作模式,避免了在一个辅助温控装置中添加制冷和制热两种模块的情况,增加了有限空间的利用率。整个动态温控系统通过微型温度传感器对智能手机的温度进行监控,并把监控数据反馈给智能微处理器。辅助温控装置的智能微处理器对温度检测模块采集的温度信息进行分析,通过预设方案控制热电器件的工作状态,实现对手机温度的动态智能调控。基于热电转换效应的动态温控管理系统,可以在智能手机等小型电子设备上工作,利用有限的空间实现冷热一体的温度控制。

    一种插入式超薄双面热电制冷器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117553449A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311687512.5

    申请日:2023-12-11

    Abstract: 本发明涉及一种插入式超薄双面热电制冷器,用以高温环境中有限空间内具有多层电路板结构电子元器件的制冷,包括T型高导热支架,所述支架由安装热电器件的薄片与薄片形散热尾鳍;定向导热膜贴附在高温导热支架表面;热电器件由沉积在定向导热膜表面的绝缘层,下电极,热电臂,上电极和绝缘陶瓷组成;本发明具有体积小、质量轻、可实现大功率热点的制冷和内层电子元器件散热的特点。制冷器件的超薄结构适合于插入到多层电路板之间,以增强内部电路板的散热。在支架上下两面制备热电器件有助于实现上下两层电路板的散热。热电器件与支架中间的定向导热膜有助于将热电器件热端的热量定向传导至散热尾鳍部位,从而将内部热量传输到外壳的散热端。

    一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111926299B

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN202010776036.4

    申请日:2020-08-05

    Abstract: 本发明涉及一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜及其制备方法,通过先在衬底上沉积上一层超薄铜膜,再在控制条件下对超薄铜膜进行退火处理,最后在退火处理后的超薄铜膜表面再沉积一层铜膜,最终制得具有表面界面调控作用的多级次Cu膜;本发明所述多级次Cu膜的微纳复合结构的表面积和极性发生变化,导致表面对非极性气体或水蒸气的吸附特性发生转变,所述Cu膜可实现不采用表面修饰材料的情况下由超亲水到超疏水表面的可控调节,表面接触角在6度到152度之间转换;本发明所述多级次微纳复合结构为纳米团簇与纳米颗粒的复合、纳米颗粒与纳米孔洞或纳米团簇与纳米线的复合,在基本不改变材料的电学和热学性能的情况下,实现材料表面能的调控。

    一种基于陶瓷基板的垂直互连同轴传输结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN119944265A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510155876.1

    申请日:2025-02-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于陶瓷基板的垂直互连同轴传输结构及其制备方法,其包括陶瓷基板、介质基板和BCB基板,BCB基板的顶面设置有共面波导传输线,介质基板的顶面设置有微带传输线,陶瓷基板的中部嵌设有同轴传输结构;同轴传输结构包括同轴金属柱、套设在同轴金属柱外侧的介质层和套设在介质层外侧的外金属层,同轴金属柱的底部通过BGA与共面波导传输线连接,同轴金属柱的顶部与介质基板内的垂直金属柱连接,垂直金属柱与微带传输线连接;本方案具有工作频率高、工作频段宽、插入损耗低等优异的电特性,互连传输距离短,简化了工艺流程,适合批量生产。

    一种具有宽温域性能稳定的碲化铋基热电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114249305B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202011006224.5

    申请日:2020-09-23

    Abstract: 本发明涉及一种具有宽温域性能稳定的碲化铋基热电薄膜及其制备方法,通过先在衬底上沉积上一层热电薄膜,再在控制条件下对热电薄膜进行原位退火处理,最后对所述退火处理后的热电薄膜进行阶梯性循环退火处理,最终制得具有宽温域稳定性的热电薄膜材料,取向结构的变化有利于提升材料的热电性能,对热电薄膜进行原位退火处理,使得薄膜材料可以在生长环境中充分生长,同时缓解薄膜内部应力和膜基应力,增强薄膜材料的结构稳定性,阶梯性退火过程有利于针对不同取向结构的热电材料的结构特点,对材料的载流子输运性能进行调控,因此所述碲化铋基热电薄膜材料可实现在提升热电性能的情况下,实现薄膜材料在宽温域范围内具有较好的性能和稳定性。

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