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公开(公告)号：CN118170345A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410214953.1
申请日：2024-02-27
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开一种低输入要求的高精度随机计算方法及乘法器。所述方法包括：获取随机比特流A、二进制比特流B和一个2n位的0序列，n为正整数；将所述随机比特流A、所述二进制比特流B和所述2n位的0序列输入一个由若干个XM加法器以及非缩放优化电路构建的乘法器，得到随机比特流A和二进制比特流B的乘法计算结果。本发明可以在对比特流进行乘法运算时，对输入序列分布不做要求。
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公开(公告)号：CN118053887A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410020861.X
申请日：2024-01-05
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/703
Abstract: 本申请涉及一种具有环绕式结构的图像传感器像素及其制备方法，所述像素包括：半导体衬底、光电二极管、浮动扩散点、传输栅；所述光电二极管位于所述半导体衬底中，所述光电二极管响应于入射光生成光生电荷；所述传输栅，用于将所述光生电荷传输到所述浮动扩散点；所述浮动扩散点，用于存储从所述光电二极管转移的光生电荷；其中，所述传输栅与所述浮动扩散形成环绕式栅极‑漏极结构，所述传输栅为闭合结构，环绕所述浮动扩散点设置；或者所述浮动扩散点为闭合结构，环绕所述传输栅设置。本申请能够在提高图像传感器分辨率的同时保持整体成像性能。
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公开(公告)号：CN110516272B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810708362.4
申请日：2018-07-02
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F30/30 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种三维集成电路缺陷TSV的动态自修复方法和装置。修复电路分为主端修复电路和从端修复电路，主端修复电路用于配置修复路径，从端修复电路用于恢复修复后的数据信号。当缺陷TSV的数量小于或等于冗余TSV数量时，应用冗余容错修复(硬修复)对其进行修复。否则，先对缺陷TSV进行冗余容错修复(硬修复)，再将剩余缺陷TSV进行并串‑串并转换修复(软修复)。本发明避免了传统修复方案中修复率高低取决于冗余TSV数量的弊端，增加了修复路径的选择，进而提高了缺陷TSV被修复的可能性。通过重构电路来修复由于工作环境及芯片老化率等因素影响下的TSV数据通道缺陷问题，有利于延长芯片的工作寿命，减少经济损失。
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公开(公告)号：CN113033069A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911248164.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/398 , G06F30/3308
Abstract: 本发明设计一种利用机器学习快速定位高速互连通道阵列中的缺陷通道位置。通过仿真得到多组不同缺陷通道阵列的数据，利用机器学习训练数据得到通道阵列的缺陷位置和通道的误码率、信号延迟以及信号频率之间的拟合函数并用测试数据校验其正确性。从而在已知误码率、信号延迟、信号频率的情况下通过计算得到缺陷通道的位置。完成缺陷位置的判定以便于根据不同的缺陷位置对通道实施不同的修复方案。提高互连通道的利用率，提升整个互连通道阵列的传输性能，延长互连通道阵列的工作寿命，进而延长整个电子设备的使用寿命，减少经济损失。
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公开(公告)号：CN112379337A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011087871.3
申请日：2020-10-13
Applicant: 北京信息科技大学
Inventor： 卓智海 , 杨翠翠 , 蔡俊 , 赵凯 , 阿思哈尔·阿布尔哈斯木
IPC: G01S7/36 , G01S7/02 , G05B19/042
Abstract: 本发明涉及一种对脉冲压缩雷达中远处目标滤波后导致近距离产生虚警问题的解决办法，属于脉冲体制雷达信号处理领域。本发明通过对数字下变频后的脉冲幅度以及脉冲宽度进行检测，找出干扰脉冲，对干扰脉冲进行抑制，从而解决了脉冲压缩后在近距离产生虚警的问题。本发明提出的方法，不仅可以解决近距离产生虚警的问题，而且已经在FPGA中实现，时间资源利用率高，也没有增加后续信号处理的复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116404045A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310562873.0
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺寸氧化物晶体管的制备方法，属于集成电路领域及显示领域。该氧化物晶体管包括衬底、栅电极、栅介质、有源层和源漏电极，涉及底栅结构和顶栅结构两种类型。底栅结构特征如下：栅电极位于衬底之上，栅介质位于栅电极之上，有源层位于栅介质之上,源漏电极位于有源层两侧。顶栅结构特征如下：有源层位于衬底之上，源漏电极位于有源层两侧，栅介质位于有源层之上，栅电极位于栅介质之上。本发明提出了一种制备纳米尺寸氧化物晶体管的填充技术方案，该方案利用光刻工艺、溅射工艺、原子层淀积工艺和刻蚀工艺等常规技术，有望实现纳米尺寸氧化物晶体管的规模化制备，步骤简单、成本低、可操作性强，具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN117542814A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311585007.X
申请日：2023-11-24
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/786
Abstract: 本申请涉及一种集成电路有源封装结构及其制造方法，所述有源封装结构包括：再布线层，位于芯粒与PCB板之间，用于实现不同芯粒之间的互连以及不同芯粒与PCB板之间的互联，所述再布线层形成有TFT器件。本申请利用TFT器件制备温度较低的特点，在再布线层设置TFT开关或者TFT电路，从而实现有源再布线层，并且本申请更易于实现，且成本更低，不会显著增加封装成本。
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公开(公告)号：CN110516272A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810708362.4
申请日：2018-07-02
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种三维集成电路缺陷TSV的动态自修复方法和装置。修复电路分为主端修复电路和从端修复电路，主端修复电路用于配置修复路径，从端修复电路用于恢复修复后的数据信号。当缺陷TSV的数量小于或等于冗余TSV数量时，应用冗余容错修复(硬修复)对其进行修复。否则，先对缺陷TSV进行冗余容错修复(硬修复)，再将剩余缺陷TSV进行并串-串并转换修复(软修复)。本发明避免了传统修复方案中修复率高低取决于冗余TSV数量的弊端，增加了修复路径的选择，进而提高了缺陷TSV被修复的可能性。通过重构电路来修复由于工作环境及芯片老化率等因素影响下的TSV数据通道缺陷问题，有利于延长芯片的工作寿命，减少经济损失。
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公开(公告)号：CN106314792A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510353712.6
申请日：2015-06-25
Applicant: 北京信息科技大学
Inventor： 赵凯
Abstract: 本发明公开了一种无人测绘飞行器，其中，所述无人测绘飞行器包括：三组轴间夹角为120度的支撑杆，直流电机及旋翼，中央控制台，起降支架，无线收发模块，手持控制终端；三组轴间夹角为120度的支撑杆与中央控制台相连；直流电机及旋翼设置于支撑杆上，由中央控制台统一控制；起降支架通过连接结构与中央控制台连接，起降支架用于固定三组轴间夹角为120度的支撑杆；无线收发模块设置于支撑杆上；手持控制终端通过发送接收无线收发模块发送的无线信号与中央控制台进行信息交互。本发明通过中央控制台控制三组轴间夹角为120度的支撑杆旋转，使得本发明的无人测绘飞行器不但可以高空作业测绘，还可以在地面作为三角架测绘平台。
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公开(公告)号：CN118395911A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410473815.5
申请日：2024-04-19
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F30/367 , H01L29/786 , H01L23/64
Abstract: 本申请涉及一种基于薄膜晶体管的功率优化结构，包括：薄膜晶体管以及耦合电容，所述耦合电容串联在所述薄膜晶体管的栅极，本申请在薄膜晶体管器件栅极串联特定电容值的耦合电容，并根据薄膜晶体管的交叠电容、沟道电容设置该耦合电容的范围，从而降低电路工作过程中的短路功耗，缓解薄膜晶体管电路功耗高的问题。
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