公开(公告)号：CN118170345A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410214953.1

申请日：2024-02-27

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 赵钰迪 ,  潘仁昊 ,  赵凯

IPC: G06F7/501 ,  G06F7/523

Abstract: 本发明公开一种低输入要求的高精度随机计算方法及乘法器。所述方法包括：获取随机比特流A、二进制比特流B和一个2n位的0序列，n为正整数；将所述随机比特流A、所述二进制比特流B和所述2n位的0序列输入一个由若干个XM加法器以及非缩放优化电路构建的乘法器，得到随机比特流A和二进制比特流B的乘法计算结果。本发明可以在对比特流进行乘法运算时，对输入序列分布不做要求。

公开(公告)号：CN118053887A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410020861.X

申请日：2024-01-05

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 赵凯 ,  郑浩平 ,  赵钰迪 ,  董俊辰

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/703

Abstract: 本申请涉及一种具有环绕式结构的图像传感器像素及其制备方法，所述像素包括：半导体衬底、光电二极管、浮动扩散点、传输栅；所述光电二极管位于所述半导体衬底中，所述光电二极管响应于入射光生成光生电荷；所述传输栅，用于将所述光生电荷传输到所述浮动扩散点；所述浮动扩散点，用于存储从所述光电二极管转移的光生电荷；其中，所述传输栅与所述浮动扩散形成环绕式栅极‑漏极结构，所述传输栅为闭合结构，环绕所述浮动扩散点设置；或者所述浮动扩散点为闭合结构，环绕所述传输栅设置。本申请能够在提高图像传感器分辨率的同时保持整体成像性能。

公开(公告)号：CN118395911A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410473815.5

申请日：2024-04-19

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 赵凯 ,  付怡鑫 ,  王志轩 ,  赵钰迪 ,  董俊辰

IPC: G06F30/33 ,  G06F30/367 ,  H01L29/786 ,  H01L23/64

Abstract: 本申请涉及一种基于薄膜晶体管的功率优化结构，包括：薄膜晶体管以及耦合电容，所述耦合电容串联在所述薄膜晶体管的栅极，本申请在薄膜晶体管器件栅极串联特定电容值的耦合电容，并根据薄膜晶体管的交叠电容、沟道电容设置该耦合电容的范围，从而降低电路工作过程中的短路功耗，缓解薄膜晶体管电路功耗高的问题。

公开(公告)号：CN117476722A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311498114.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 赵凯 ,  赵钰迪 ,  董俊辰 ,  郑浩平

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32 ,  H10K71/00

Abstract: 本申请涉及一种具有红外增强功能的图像传感器像素，包括：中介层，包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；光电二极管，靠近所述第一表面设置，所述光电二极管响应于入射光生成第一光生电荷；第一传输栅，位于所述第一表面，用于将所述第一光生电荷传输到浮动扩散点；红外光敏材料层，靠近所述第二表面设置，所述红外光敏材料层响应于入射光而生成第二光生电荷；浮动扩散点，位于所述第一表面，用于存储从所述光电二极管转移的第一光生电荷，以及存储从所述红外光敏材料层转移的第二光生电荷。本申请能够提升图像传感器在NIR波段的电学性能。

公开(公告)号：CN117457694A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311498124.2

申请日：2023-11-10

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 赵凯 ,  赵钰迪 ,  董俊辰 ,  郑浩平

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32 ,  H10K71/00

Abstract: 本申请涉及一种具有红外增强功能的图像传感器像素，包括入射面以及与所述入射面相对的非入射面，其特征在于，所述图像传感器像素包括：红外光敏材料层，靠近所述入射面或所述非入射面设置，所述红外光敏材料层响应于入射光而生成第二光生电荷；第一电极以及第二电极，用于收集所述红外光敏材料层生成的所述第二光生电荷，并将所述第二光生电荷转移到浮动扩散点；隔离结构，垂直于所述入射面且围绕所述红外光敏材料层设置，所述隔离结构用于隔离相邻的像素，其中，所述相邻的像素为RGB像素。本申请能够提升图像传感器在近红外波段的电学性能。

公开(公告)号：CN117542814A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311585007.X

申请日：2023-11-24

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 赵凯 ,  董俊辰 ,  赵钰迪

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/786

Abstract: 本申请涉及一种集成电路有源封装结构及其制造方法，所述有源封装结构包括：再布线层，位于芯粒与PCB板之间，用于实现不同芯粒之间的互连以及不同芯粒与PCB板之间的互联，所述再布线层形成有TFT器件。本申请利用TFT器件制备温度较低的特点，在再布线层设置TFT开关或者TFT电路，从而实现有源再布线层，并且本申请更易于实现，且成本更低，不会显著增加封装成本。