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公开(公告)号：CN103675577B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210351429.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/02
Abstract: 在集成电路的上电过程中，经常会出现外部信号先于电源上电的情况。当该情况发生时，外部信号会通过I/O电路的ESD PMOS及驱动PMOS管向集成电路电源端口反向漏电，代替外部电源为集成电路供电。这种反向漏电容易影响集成电路正常工作。本发明提供了一种对I/O反向漏电进行检测的方法，通过对I/O端口电压和电源端口电压的比较，可以判断集成电路供电是源于I/O端口还是电源端口。当检测到I/O端口供电、反向漏电发生时，检测电路将复位集成电路，从而避免集成电路在非正常状态下工作。
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公开(公告)号：CN104463311A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410427373.7
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明提出一种改善非接触卡强场调制波形和调制深度的电路，在不改变其它电路的条件下，能够在强场获得更好的调制波形和调制深度。
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公开(公告)号：CN103675577A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210351429.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/02
Abstract: 在集成电路的上电过程中，经常会出现外部信号先于电源上电的情况。当该情况发生时，外部信号会通过I/O电路的ESD PMOS及驱动PMOS管向集成电路电源端口反向漏电，代替外部电源为集成电路供电。这种反向漏电容易影响集成电路正常工作。本发明提供了一种对I/O反向漏电进行检测的方法，通过对I/O端口电压和电源端口电压的比较，可以判断集成电路供电是源于I/O端口还是电源端口。当检测到I/O端口供电、反向漏电发生时，检测电路将复位集成电路，从而避免集成电路在非正常状态下工作。
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公开(公告)号：CN101943728B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910088706.7
申请日：2009-07-06
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 马哲
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种易于在CMOS工艺集成的高速的负电源Glitch检测电路。传统电路如果检测集成电路电源上出现的高频毛刺，则需要较大的功耗才能对较高频率的电源毛刺响应，本发明的目的在于以较低的功耗代价来实现高频电源Glitch的检测。本发明的电源Glitch检测电路包括采样模块、稳压模块、保持模块、以及放大电路模块；采样模块由串联电阻连接电源、地实现对电源上毛刺的采样；稳压模块由R、C构成；保持模块通过输入对管、NMOS管与电容参数的合理匹配实现；放大模块对于保持模块的输出信号放大输出检测标志位。
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公开(公告)号：CN107748909A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711081685.7
申请日：2017-11-07
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/07
Abstract: 非接触式智能卡芯片中大多以1444-3 Type-A为通信接口，这类接口芯片通过线圈从读卡器的场中获得能量，因此，读卡器场强的大小，卡距读卡器的距离，卡芯片内部的功耗大小以及功耗波动都会影响到卡距读卡器的最大工作距离、卡的工作性能、以及卡和读卡器之间的正常通信。本发明给出了一种非接触式智能卡芯片中功耗自适应的方法及电路，能够有效的提高卡的工作性能、减小最小工作场强、提高卡和读卡器之间通信的兼容性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107545293A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710837878.4
申请日：2017-09-18
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/07
Abstract: 本发明公开了一种兼容无线充电的非接触智能卡芯片实现方法及结构，其实现主要利用智能卡芯片内部的自动谐振参数选择电路，在ISO/IEC 14443标准的谐振频率13.56MHz与A4WP标准的谐振频率6.78MHz之间进行周期性的切换，并且由能量检测电路对获取的能量进行判别，确定智能卡是否处于所支持的谐振频率的电磁场中、处于哪种谐振频率的电磁场环境中，从而实现了兼容无线充电的非接触智能卡。
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公开(公告)号：CN106372287A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610741478.9
申请日：2016-08-26
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068
Abstract: 本发明公开了一种提高ISO/IEC14443缓存利用率的设计方法和电路，本发明是利用小容量(如256byte、512byte、1Kbyte等)的解码数据buffer去实现ISO/IEC 14443-2011中超高波特率的最大数据传输量可以达到4Kbyte的解码，本发明通过复用系统中原有的非易失性存储器(如：EEPROM、FLASH、FRAM、MRAM、OUM等)对ISO/IEC 14443-2011协议中超高波特率解码的大数据量数据进行转存处理，从而大大降低因需传输ISO/IEC 14443-2011中超高波特率解码中的大数据量的数据而需要的解码数据buffer的容量，提高了解码数据buffer的利用率，减小了芯片的面积。
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公开(公告)号：CN102968607B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110257215.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/08
Abstract: 为了提高高频(13.56MHz)非接触智能卡应用的交易速度，智能卡芯片系统希望在提高工作频率的情况下也能够稳定的工作，但是芯片系统工作频率的提高将需要更多的能量，对于高频非接触智能卡，属于无源系统，其获取能量的大小受限于读卡器发射的场强大小，所以系统需要根据智能卡获取能量的大小来确定芯片系统的工作频率，以保证芯片系统稳定的工作，如此芯片系统就需要确切知道智能卡获取的能量大小，本文提供了一种高频非接触智能卡探测获取能量的方法。
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公开(公告)号：CN103915830A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210595901.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 出于稳定电源的目的，芯片中可能会给需要稳定的电源连接放电通路，该放电通路能够在电源发生突然增大时，给电源放电，减弱或消除电源的异常变化，增强芯片的抗干扰和抗攻击能力。但是随之带来的问题是芯片的ESD性能可能会受到影响。本发明提出了一种提升芯片ESD性能的方法和电路，既保证了当电源向上突变时对电源的快速放电，又能够提升芯片的ESD性能。
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公开(公告)号：CN103913644A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210595917.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 马哲
IPC: G01R29/08
Abstract: 具备NFC功能的终端设备已经被越来越多的应用，其中的终端设备中大多数属于手持设备，对于应用于手持设备终端的任何芯片模块，其功耗参数都是一个至关重要的约束指标，越低的功耗将为手持设备带来更长的待机、工作时间。NFC设备中用到的NFC芯片，一个必不可少的功能电路是精确场强检测电路，本文提出一种NFC芯片中零功耗的精确场强检测方法，大大降低了NFC芯片场强检测模块的功耗，提高了手持等便携NFC设备的待机、工作时间。
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