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公开(公告)号：CN110198581A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910334607.6
申请日：2019-04-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种高效率多通道的电流驱动器，用于实现驱动单通道或多通道的电流负载，与传统固定输出电压实现电流驱动的方式不同，本发明通过检测负载电压及多通道之间的选择，在满足所需电流驱动的同时，实现输出电压的自适应调节，进而提高整个驱动器效率。所述电流驱动电路包括参考电压产生单元，输出电流调节单元，通道选择单元，开关电源转换器单元。外部设定的驱动电流信息，经过参考电压产生单元处理，产生输出电流的参考信号，控制每个通道的输出电流；同时通道选择单元对负载信息进行检测，然后将筛选后的负载信息反馈给开关电源转换器，调节该发明的输出电压，使其既满足了输出电流驱动的需求，又提升了整个驱动器的效率。
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公开(公告)号：CN107862369A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711113694.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 马哲
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , H04B5/00
CPC classification number: G06K19/07771 , G06K19/0702 , H04B5/0056
Abstract: 本发明是一种提升ISO/IEC14443协议中，超高波特率(VHBR)通信稳定性的方法，因为超高波特率(VHBR)从读卡器向非接触或双界面智能卡发送调制信号采用的是幅度调制方式，而且信号调制的幅度随着通信速率的提升明显减小，极易受到干扰，尤其是非接触或双界面智能卡芯片内部在接收期间功耗波动对射频场的干扰更加容易引起超高波特率(VHBR)通信的不稳定或失败；本发明提出了一种有效降低芯片接收期间功耗波动的方法，从而能够明显的提升超高波特率(VHBR)通信的稳定性。
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公开(公告)号：CN103886360B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201210563702.1
申请日：2012-12-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 马哲
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明针对功耗分析的攻击方式，提供了一种防功耗分析的方法和电路，通过本发明的实施，可以大大提高智能卡芯片的防功耗攻击的能力。本发明电路主要包括几个电路功能模块：电流检测电路、参考电流电路、比较判别电路、以及电流平衡电路；电流检测电路对VCC流入芯片的总电流进行检测、与来自于参考电流电路的参考值进行比较、并输出判别信号实时调节电流平衡电路消耗电流的大小，如果判断总电流小于参考值则增加电流平衡电路的电流、如果判断总电流大于参考值则减小电路平衡电路的电流，从而形成负反馈，保证VCC流入芯片的总电流保持恒定。
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公开(公告)号：CN102968655B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201110255705.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了获得更快的交易速度，非接触卡芯片常常希望工作在更高的时钟频率。然而非接触卡工作在不同场强下时，能够获取的最大功率是不同的。场强越大，芯片能够获得的最大功率也越大，能够支持的工作频率越高。因此需要根据场强来选择非接触卡芯片的工作频率。本发明提供一种根据芯片放电电流和电源电压选择芯片工作频率的方法，保证芯片尽可能工作在较高的频率，而且不会出现工作频率升高导致的芯片复位和反复升降工作频率的现象。
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公开(公告)号：CN104376357A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410427115.9
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/073 , H01L23/552
Abstract: 本发明提出了一种智能卡抗光攻击方法。该方法主要是在芯片背面形成一层反射膜，反射膜对光具有较高高反射率，对智能卡背面光攻击产生防护作用。反射膜可以为金属，也可以为其它合成材料。形成反射膜的方法可以采用化学或者物理方法，比如金属膜，可以采用电子束对金属进行加热蒸发，在硅片wafer背面形成一层膜，也可以采用其它物理方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103699925A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310636543.8
申请日：2013-12-03
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明提出了一种用于双界面智能卡的具有外置谐振电容的电子模块封装电路，此方法可以将智能卡的谐振电容置于电子模块封装中，芯片内部不需要额外的谐振电容，芯片内部仅存在电路寄生的电容，从而降低了芯片面积、减小了芯片加工成本；而且采用此种方法，外置谐振电容的电子模块与现有工艺兼容，不需增加工序。
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公开(公告)号：CN101943728A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910088706.7
申请日：2009-07-06
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 马哲
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种防电源毛刺攻击的检测电路。本发明提供一种易于在CMOS工艺集成的高速的负电源Glitch检测电路。传统电路如果检测集成电路电源上出现的高频毛刺，则需要较大的功耗才能对较高频率的电源毛刺响应，本发明的目的在于以较低的功耗代价来实现高频电源Glitch的检测。本发明的电源Glitch检测电路包括采样模块、稳压模块、保持模块、以及放大电路模块；采样模块由串联电阻连接电源、地实现对电源上毛刺的采样；稳压模块由R、C构成；保持模块通过输入对管、NMOS管与电容参数的合理匹配实现；放大模块对于保持模块的输出信号放大输出检测标志位。
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公开(公告)号：CN110460345B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201910687649.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种超高波特率(VHBR)接收链路参数检测配置的实现方法，其中超高波特率(VHBR)指ISO/IEC 14443协议中规定的数据传输率为1.70Mbit/s、3.39Mbit/s、6.78Mbit/s的波特率。本发明主要针对支持ISO/IEC 14443超高波特率(VHBR)协议非接触或双界面智能卡芯片的设计，利用协议中规定的读卡器(机具)向智能卡发送的数据帧格式特点和数据帧中起始帧(Start of Frame，SOF)及SOF前场强相对稳定的时间段内信号信息。通过参数检测配置方法，对接收链路中电路参数进行自动或非自动方式配置，实现对接收到的调制载波数据进行合理滤波、放大、量化等，以达到正确的解调量化和解码效果。
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公开(公告)号：CN107749662A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710957026.9
申请日：2017-10-16
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 马哲
IPC: H02J7/34
Abstract: 本发明公开了一种减小非接触智能卡芯片储能电容的实现方法，本发明主要针对支持ISO/IEC 14443TypeA协议非接触智能卡芯片的设计，其中主要是利用协议中规定的读写器向智能卡发送射频场载波提供能量、发送Pause的方式发送数据或指令的特点，利用电磁场存续阶段对储能电容进行快速充电、并且利用电荷泵的方式将储能电容的电平充电至较高电平、如6V，通常非接触智能卡芯片内的储能电容的电平设计为3V左右；通过储能电容的电平升高既可以实现较小的电容值存储较多的电荷，在电磁场停止阶段再由此高电平的储能电容持续的供电给非接触智能卡芯片内核电路，从而在芯片内核电路功耗相同的情况下，有效减小了储能电容的面积。
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公开(公告)号：CN104463311B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410427373.7
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明提出一种改善非接触卡强场调制波形和调制深度的电路，在不改变其它电路的条件下，能够在强场获得更好的调制波形和调制深度。
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