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公开(公告)号：CN103915830B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201210595901.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 出于稳定电源的目的，芯片中可能会给需要稳定的电源连接放电通路，该放电通路能够在电源发生突然增大时，给电源放电，减弱或消除电源的异常变化，增强芯片的抗干扰和抗攻击能力。但是随之带来的问题是芯片的ESD性能可能会受到影响。本发明提出了一种提升芯片ESD性能的方法和电路，既保证了当电源向上突变时对电源的快速放电，又能够提升芯片的ESD性能。
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公开(公告)号：CN102968657B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110257248.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了提高ISO/IEC 14443 TYPEA型高频非接触智能卡的兼容性，芯片设计需要完全符合或高于协议中规定的各个指标，在ISO/IEC 14443 TYPEA型非接智能卡标准中对于FDT(Frame Delay Time)参数的约束比较严格：误差范围要求[FDT-1/fc，FDT+0.4us+1/fc]、此处fc＝13.56MHz，对于芯片设计实现有较大的难度。本发明提供了一种实现FDT精确计时的方法，通过FDT参数计时的精确实现，可以大大提高卡片与读卡器的兼容性能。
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公开(公告)号：CN104077620A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310636950.9
申请日：2013-12-03
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K17/00
Abstract: 本发明提出的具有安全功能的电磁场耦合的实现电路，可以提高卡片封装的机械电气连接的可靠性，另一方面可以避免持有者的智能卡被攻击者利用读写器通过磁场直接激活、非法读写的操作风险。
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公开(公告)号：CN102968607A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110257215.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/08
Abstract: 为了提高高频(13.56MHz)非接触智能卡应用的交易速度，智能卡芯片系统希望在提高工作频率的情况下也能够稳定的工作，但是芯片系统工作频率的提高将需要更多的能量，对于高频非接触智能卡，属于无源系统，其获取能量的大小受限于读卡器发射的场强大小，所以系统需要根据智能卡获取能量的大小来确定芯片系统的工作频率，以保证芯片系统稳定的工作，如此芯片系统就需要确切知道智能卡获取的能量大小，本文提供了一种高频非接触智能卡探测获取能量的方法。
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公开(公告)号：CN100582992C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200610144042.8
申请日：2006-11-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/569
Abstract: 在集成电路设计中，电压调节器启动时往往会出现过冲。电压调节器的过冲可能是由电压调节器的带隙基准电压启动时的过冲造成的。而电压调节器较大的输出电容和很小的放电电流往往会造成过冲消除所需要的时间很长。这对于靠该电压调节器供电的外部设备非常不利，甚至可能由于过压导致器件击穿。本发明提供一种上电保护方法及电路，在启动时间内提供一条放电通路2，使电压调节器的输出没有过冲，或使过冲迅速消除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101192070A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610144042.8
申请日：2006-11-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/569
Abstract: 在集成电路设计中，电压调节器启动时往往会出现过冲。电压调节器的过冲可能是由电压调节器的带隙基准电压启动时的过冲造成的。而电压调节器较大的输出电容和很小的放电电流往往会造成过冲消除所需要的时间很长。这对于靠该电压调节器供电的外部设备非常不利，甚至可能由于过压导致器件击穿。本发明提供一种上电保护方法及电路，在启动时间内提供一条放电通路2，使电压调节器的输出没有过冲，或使过冲迅速消除。
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公开(公告)号：CN104463311B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410427373.7
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明提出一种改善非接触卡强场调制波形和调制深度的电路，在不改变其它电路的条件下，能够在强场获得更好的调制波形和调制深度。
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公开(公告)号：CN102968657A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110257248.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了提高ISO/IEC 14443 TYPEA型高频非接触智能卡的兼容性，芯片设计需要完全符合或高于协议中规定的各个指标，在ISO/IEC 14443 TYPEA型非接智能卡标准中对于FDT(Frame Delay Time)参数的约束比较严格：误差范围要求[FDT-1/fc，FDT+0.4us+1/fc]、此处fc＝13.56MHz，对于芯片设计实现有较大的难度。本发明提供了一种实现FDT精确计时的方法，通过FDT参数计时的精确实现，可以大大提高卡片与读卡器的兼容性能。
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公开(公告)号：CN102968655A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110255705.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了获得更快的交易速度，非接触卡芯片常常希望工作在更高的时钟频率。然而非接触卡工作在不同场强下时，能够获取的最大功率是不同的。场强越大，芯片能够获得的最大功率也越大，能够支持的工作频率越高。因此需要根据场强来选择非接触卡芯片的工作频率。本发明提供一种根据芯片放电电流和电源电压选择芯片工作频率的方法，保证芯片尽可能工作在较高的频率，而且不会出现工作频率升高导致的芯片复位和反复升降工作频率的现象。
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公开(公告)号：CN102968607B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110257215.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/08
Abstract: 为了提高高频(13.56MHz)非接触智能卡应用的交易速度，智能卡芯片系统希望在提高工作频率的情况下也能够稳定的工作，但是芯片系统工作频率的提高将需要更多的能量，对于高频非接触智能卡，属于无源系统，其获取能量的大小受限于读卡器发射的场强大小，所以系统需要根据智能卡获取能量的大小来确定芯片系统的工作频率，以保证芯片系统稳定的工作，如此芯片系统就需要确切知道智能卡获取的能量大小，本文提供了一种高频非接触智能卡探测获取能量的方法。
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