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公开(公告)号：CN102968655B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201110255705.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了获得更快的交易速度，非接触卡芯片常常希望工作在更高的时钟频率。然而非接触卡工作在不同场强下时，能够获取的最大功率是不同的。场强越大，芯片能够获得的最大功率也越大，能够支持的工作频率越高。因此需要根据场强来选择非接触卡芯片的工作频率。本发明提供一种根据芯片放电电流和电源电压选择芯片工作频率的方法，保证芯片尽可能工作在较高的频率，而且不会出现工作频率升高导致的芯片复位和反复升降工作频率的现象。
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公开(公告)号：CN101958143A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910088802.1
申请日：2009-07-16
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 只读存储器(ROM)的读取会受到位线间耦合串扰的干扰。这种不良耦合影响会随着工艺尺寸的减小，在深亚微米工艺(DSM)设计中变得越来越严重，尤其在低功耗，版图位线较长或采用Contact或VIA层进行码点编程的设计中会造成非常高的误码率。本发明采用全位线钳位结构和时分位线钳位屏蔽结构并配合相关时序彻底地消除了会造成误码的位线间耦合串扰，提高了电路的可靠性。采用本发明的低功耗只读存储器适用于任何需要低功耗、大容量只读数据存储、或奇异存储阵列结构的应用中。
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公开(公告)号：CN100561498C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710098676.9
申请日：2007-04-25
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明用于射频非接触智能卡中CPU处理接收数据的方法。读卡器与射频卡通讯时，射频卡接收读卡器发送的数据，经过解调和解码后，送出接收的数据给CPU处理。但在遵循ISO14443类型A的非接触智能卡协议中，编码方式是miller码，载波被miller码调制，几乎每个码元或字符中都有载波暂停(pause)。载波暂停时芯片没有载波信号，芯片无外部电源能量，也可能无时钟。所以CPU对解码后输出给CPU的数据(字符)难以处理。本发明使用较为新颖的方法，在解码完每个字节后的下一个接收字节被解调或解码的同时，使CPU工作在适当的频率下来快速处理接收到的前一个字节，如此就能实现数据的边接收边处理。
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公开(公告)号：CN102968607B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110257215.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/08
Abstract: 为了提高高频(13.56MHz)非接触智能卡应用的交易速度，智能卡芯片系统希望在提高工作频率的情况下也能够稳定的工作，但是芯片系统工作频率的提高将需要更多的能量，对于高频非接触智能卡，属于无源系统，其获取能量的大小受限于读卡器发射的场强大小，所以系统需要根据智能卡获取能量的大小来确定芯片系统的工作频率，以保证芯片系统稳定的工作，如此芯片系统就需要确切知道智能卡获取的能量大小，本文提供了一种高频非接触智能卡探测获取能量的方法。
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公开(公告)号：CN102110238A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910243491.1
申请日：2009-12-23
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/073
Abstract: 本发明用于超高频无源电子标签芯片与天线接口的自适应阻抗匹配电路。超高频电子标签要求芯片与天线直接连接，为了更好的传输载波能量和标签返回信号能量，天线必须与芯片等效阻抗完全匹配。由于芯片等效阻抗是温度的函数，当温度变化时，芯片与天线的失配系数随之变化，影响标签射频能量的吸收和标签返回信号能量的大小，进而影响标签的识别距离。本发明一种自适应阻抗匹配电路，当温度变化时能自动调整芯片的阻抗，将芯片与天线的失配系数控制在一定范围内，达到提高标签性能的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102110221A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910243489.4
申请日：2009-12-23
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明是一种用于实现超高频无源电子标签“块写”功能的方法。目前超高频无源电子标签18000-6C(EPC G2)协议规定了标签的“块写”命令，但没有具体的实现方法和流程，基于标准CMOS工艺的可擦写存储器也无法实现本功能。本发明在基于标准CMOS工艺的可擦写存储器性能基础上，结合18000-6C(EPC G2)协议，提出了“块写”命令的实现过程及标签和阅读器的交互过程，保证“块写”命令的可实现性，并给出相应的实现方法。
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公开(公告)号：CN101592971A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200810113121.1
申请日：2008-05-28
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 张建平
IPC: G05F3/08
Abstract: 本发明用于基准电压(电流)源电路的自启动，它能够探测基准源电路的上电过程，在基准源电路进入死区(零点)时，此自适应启动电路开始工作，使基准电压(电流)源主电路脱离死区，完成启动过程，执行其输出基准源的功能。在启动过程结束后，此自适应启动电路停止工作，从而不影响主电路的正常功能和性能，平均功耗接近为0μA。
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公开(公告)号：CN101174310A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200610114292.7
申请日：2006-11-03
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/00
Abstract: 本发明是用于智能卡芯片的一种测试电路。一般的智能卡芯片测试电路，测试压焊点(PAD)较多，测试设备复杂。本发明增加了较少额外的测试PAD，在测试时利用测试PAD和射频天线PAD就能测试芯片全部功能，这样可以有效的减少芯片的面积、并降低了对逻辑测试设备的要求。本发明只需要4个PAD，即两个射频天线PAD，一个地PAD和一个测试输入输出双向PAD，其中复用了卡片正常工作的两个射频天线PAD。在测试时，射频PAD输入载波信号或已调制的载波信号，为芯片及测试电路提供时钟和电源以及部分测试码，芯片测试电路保证了从测试双向PAD或射频天线PAD输入的测试码按测试要求对芯片逻辑电路、模拟电路、射频电路和存储器等的正确测试，并输出测试结果。
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公开(公告)号：CN102968657B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110257248.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 为了提高ISO/IEC 14443 TYPEA型高频非接触智能卡的兼容性，芯片设计需要完全符合或高于协议中规定的各个指标，在ISO/IEC 14443 TYPEA型非接智能卡标准中对于FDT(Frame Delay Time)参数的约束比较严格：误差范围要求[FDT-1/fc，FDT+0.4us+1/fc]、此处fc＝13.56MHz，对于芯片设计实现有较大的难度。本发明提供了一种实现FDT精确计时的方法，通过FDT参数计时的精确实现，可以大大提高卡片与读卡器的兼容性能。
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公开(公告)号：CN102467647B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201010546866.4
申请日：2010-11-16
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明公开了一种双界面智能卡的接触与非接触工作模式的判定方法，旨在提供一种能实现双界面卡在接触式和/或非接触式条件下正常工作的工作模式判定方法。本发明中，在接触式条件下，判定为接触工作模式；在非接触式条件下，判定为非接触工作模式；在接触式与非接触式条件同时存在时，哪个条件先出现就判定为该工作模式。本发明适用于智能卡领域。
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