-
公开(公告)号：CN117856387B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202311755504.X
申请日：2023-12-19
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明涉及通讯技术领域，公开了一种供电电路，升压模块将通讯总线的电压进行升压后为芯片内部模块供电，从而解决了低压下内部电压余量不足问题，设计难度降低同时；也无需外部储能电容，节约了成本；同时升压模块电源自适应技术，无需电源检测模块，解决了电源检测模块响应速度带来的功耗浪费问题。
-
公开(公告)号：CN113945828B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111212953.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/28 , G01R35/00 , G01R19/165
Abstract: 本发明为一种具有失调校准的低成本模拟测试电路，实现了模拟信号的高度自动化测量，可广泛应用于模拟电路中的直流电压电流的测量与筛选。在IC行业激烈竞争的今天，测试资源非常紧缺，降低测试时间，尽可能减少测试资源的占用，对降低芯片成本具有重要意义。在相同测试成本下，也可通过投入更多测试项，利用丰富的测试手段解决电路设计中难以解决的问题成为可能。本设计实现了片内高度自动化测试，在使用很少的测试资源基础上，可以快速且高精度的完成多项测试。设计仅使用一个测试PAD实现多信号的测试，既减少了PAD面积和封装成本，也防止芯片内部信号直接输出到PAD，提高芯片的安全性。另外，设计具有失调校准功能，以提高测试精度。
-
公开(公告)号：CN118642554A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202310263760.0
申请日：2023-03-13
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种带自启动功能的高电源抑制比的线性稳压电路。本发明电路主要包括U1线性稳压器核心部分，它主要通过高电源噪声抑制的设计决定本发明最终输出电压；U2自偏置电流电路，用于产生与电源VCC关联很小的参考电流；U3参考电压产生电路，它包含启动电路、带隙基准和参考电压的选择电路，U3中带隙基准的电源由线性稳压电路的输出提供，使得电源噪声对参考电压的影响会经过线性稳压器环路的抑制；U3中启动电路产生整个电路初始启动阶段的参考电压，它使得线性稳压器输出电压既能满足带隙基准建立，又不至于超过带隙基准的工作电压；U3中参考电压的选择通过检测带隙基准输出，判断启动阶段是否完成，进而决定线性稳压器的参考电压来源。
-
公开(公告)号：CN117856387A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311755504.X
申请日：2023-12-19
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明涉及通讯技术领域，公开了一种供电电路，升压模块将通讯总线的电压进行升压后为芯片内部模块供电，从而解决了低压下内部电压余量不足问题，设计难度降低同时；也无需外部储能电容，节约了成本；同时升压模块电源自适应技术，无需电源检测模块，解决了电源检测模块响应速度带来的功耗浪费问题。
-
公开(公告)号：CN116470476B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310193656.9
申请日：2023-02-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 刘明磊
Abstract: 本申请提供一种静电放电电路及电子设备。静电放电电路包括电源端、上电复位电路、泄放电路及调整电路。上电复位电路与电源端连接；上电复位电路包括电压释放点，且用于指示电源电压是否达到电压释放点；泄放电路与电源端连接；泄放电路包括泄放开关和与泄放开关连接的第一泄放回路或第二泄放回路；调整电路与电源端、上电复位电路及泄放电路连接；调整电路用于在上电复位电路指示电源电压未达到电压释放点时，控制泄放开关关闭，通过第一泄放回路泄放；且用于在上电复位电路指示电源电压达到电压释放点时，控制泄放开关导通，通过第二泄放回路泄放；其中第二泄放回路的泄放电流大于第一泄放回路的泄放电流。实现泄放能力可调，适用范围更广。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112859997A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110150549.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明为一种自校准的带隙基准电压三温TRIM的电路结构，应用于对基准电压温度系数要求较高的芯片中。随着芯片制造工艺进入纳米级，但电源电压往往不能同比例下降，导致MOS器件的漏电越来越严重。但是器件漏电模型的准确建立对工艺而言较为困难，目前许多工艺的器件漏电模型都不够准确。由于漏电大小受温度影响，漏电对带隙基准参考电压的温度系数产生了不可忽视的影响。漏电模型不够准确，带隙基准电路的设计遭遇了温度系数仿真结果与实际芯片测试结果差异很大的问题。这就需要在测试过程中对，带隙基准电压的温度系数进行trim。本设计提出了一种具有offset自校准功能的，实现带隙基准电压在高温、常温、低温进行温度系数TRIM的低成本方案。
-
公开(公告)号：CN110995233A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911092555.2
申请日：2019-11-11
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 刘明磊
IPC: H03K19/003
Abstract: 由于工艺偏差，模拟信号需要进行校准和筛选，通用的校准方式将每一个模拟信号引出到测试端口，测试机通过直接探测信号信息，调整芯片内部电路进行校准。这种方式存在几个缺点，第一是被测试信号需要引到端口，容易在端口处被探测，存在安全隐患；第二是多组模拟信号进行校准需要多个测试端口，浪费面积；第三是由于测试机测试电压精度比提供电压差，会造成精度不高；第四是实现自动校准比较困难。本发明通过内部比较的测试方法，测试信号不需要引出到PAD实现高安全、只需要一个或者两个测试端口实现小面积、测试机只需要提供电源不需要读电压实现高精度、容易与逻辑配合实现自动校准。
-
公开(公告)号：CN103701457B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310665467.3
申请日：2013-12-10
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 在智能卡SOC系统中经常会存在不同的电压域，信号在电压域之间互相切换时候，经常会采用电平转移的方法，但在输入信号或低电压域未确定之前，电平转移电路经常会输出不定态信号，从而使系统处于不确定状态。本发明公开了一种初始值可设置的电平转移电路，主要功能是在输入信号或低电压域信号不确定情况下，电平转移电路输出一个固定电平的电位，从而使系统处于预先设置好的状态。
-
公开(公告)号：CN117170453A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311110572.0
申请日：2023-08-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本申请提供一种参考电压产生电路及车规级芯片。该参考电压产生电路包括偏置和限压电路、PTAT电流产生电路、零温度系数参考电压产生电路和启动电路。正温度系数电流产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管及第一电阻。启动电路的输出端连接第一NMOS管的漏极。偏置和限压电路连接第一NMOS管的漏极，用于对第一NMOS管的工作电压进行限压。零温度系数参考电压产生电路包括第二电阻和三极管。PTAT电流产生电路产生的PTAT电流流经第二电阻，产生PTAT电压，再叠加三极管的基极和发射极之间的负温度系数电压后，产生零温度系数参考电压。从而，能够有效地解决MOS器件的漏电问题。
-
公开(公告)号：CN113315498B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110606752.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H03K17/284 , H03K17/22
Abstract: 本发明提出了一种高精度POR电路，主要应用于双界面智能卡。随着芯片工艺特征尺寸的持续降低，MOS器件特性变得更加不稳定，传统POR基于器件自身特性，其检测点电压同样变得精度不够，对智能卡类产品的上下电过程造成无法启动的功能风险。本发明针对双界面卡类产品，对POR高精度的检测点电压及非接模式下高精度延迟时间的需求，提出了解决方案。该方案利用了带隙基准电压产生电路(band‑gap)trimming前的输出参考电压，与VCC分压进行比较的方式产生复位信号，提高了检测点电压的精度；同时利用电阻加MOS器件做电阻，结合电容形成RC网络的方式，在需要较长延迟时间的智能卡接触模式，开启电阻和MOS器件；在需要精确且较短延迟时间的非接触模式，仅开启电阻，获得精确的延迟时间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.038 seconds)
