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公开(公告)号：CN118737811A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410054660.1
申请日：2024-01-12
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 基板单元的制造方法和基板单元，能够再利用用于使半导体功能层生长的层叠基板。在基板单元的制造方法中，在基板(101、201)上形成半导体层叠体(110、210)，在半导体层叠体(110、210)上形成牺牲层(105、205)，在牺牲层(105、205)上形成半导体功能层(120、220)，形成至少覆盖基板(101、201)的与形成半导体层叠体(110、210)的形成面(101a、201a)不同的背面(101b、201b)、基板(101、201)的侧面(101c、201c)以及半导体层叠体(110、210)的侧面(110c、210c)的保护膜(109、209)。
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公开(公告)号：CN118712287A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410023039.9
申请日：2024-01-05
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 电子结构体及其制造方法和电子器件的制造方法，使包含功能部的转印的工艺变得容易。电子结构体(1)的制造方法具有如下步骤：使用具有基板(10)、形成在基板(10)上的第1牺牲层(11)以及形成在第1牺牲层(11)上的功能部(12)的层叠基板，形成从基板(10)延伸到功能部(12)的第2牺牲层(13)；形成从基板(10)延伸到第2牺牲层(13)的被覆层(14)；以及去除第1牺牲层(11)和第2牺牲层(13)。
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公开(公告)号：CN116896971A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310206520.7
申请日：2023-03-03
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上设置有2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；第1电极(34a)；第1压电体薄膜(17)，其粘贴于第1电极，具有第1压电膜(15)和形成于其上的第1上部电极膜(16)；第2电极(34b)；以及第2压电体薄膜(27)，其粘贴于第2电极，具有与第1压电膜(15)不同的第2压电膜(25)和形成于其上的第2上部电极膜(26)，从形成有第1电极(34a)和第2电极(34b)的基板(33)的上表面到第1上部电极膜(16)的顶部的高度和从基板(33)的所述上表面到第2上部电极膜(26)的顶部的高度不同。
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公开(公告)号：CN115835732A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210950578.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H10K59/50
Abstract: 半导体装置。在层叠有光学元件膜的半导体装置中，通过在其表面配置微透镜，能够实现更高性能化，但由于距透镜的距离因层叠的光学元件膜而不同，因此透镜的聚光率因光学元件膜而出现差异，因此，难以通过一个透镜高效地实现期望的颜色特性。半导体装置具有：G层(12G)，其包含绿色发光元件(14G)；R层(12R)，其包含转换效率比绿色发光元件(14G)低的红色发光元件(14R)；微透镜(115)。绿色发光元件(14G)和红色发光元件(14R)在微透镜(115)的光轴方向上位于微透镜(115)与其焦点(115a)之间，从光轴方向观察至少一部分重叠，配置成红色发光元件(14R)比绿色发光元件(14G)更靠近焦点。
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公开(公告)号：CN115732530A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210942482.7
申请日：2022-08-08
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。
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