公开(公告)号：CN109070308A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780026381.2

申请日：2017-03-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  上滨直树 ,  桥本浩昌

IPC: B24B37/30 ,  G01B11/02 ,  G01B11/24 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种模板组件的选别方法，包含：准备步骤，准备模板组件，为在底环或底板上同心贴合有模板，模板具有支承工件的里面的背垫以及位于背垫上而用以支承工件的边缘部的保持环，底环及底板具有较模板大的外径；测定步骤，在模板组件的模板侧，对于以底环或底板的外周缘表面为基准面时的保持环及背垫的高度位置分布进行非破坏性测定；算出步骤，自测定的高度位置分布，计算出保持环的平面度及保持环或背垫的平均段差量；以及选别步骤，基于平面度及平均段差量，选别模板组件。借此，能够调整研磨后的工件的平坦度的分散。

公开(公告)号：CN105531799B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201480050581.8

申请日：2014-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  佐藤一弥 ,  小林修一

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/11

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/20 ,  B24B49/12

Abstract: 本发明是一种研磨垫的评价方法，其评价用于研磨晶圆的研磨垫的使用期限，其特征在于，测定堆积在所述研磨垫上的研磨残渣的量，并基于该测定到的测定值来评价所述研磨垫的使用期限。由此，提供一种研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法，其能够实时地评价研磨垫的使用期限，且能够抑制研磨晶圆时的生产率及成品率的降低。

公开(公告)号：CN104114322B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201380006959.X

申请日：2013-01-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  田中佑宜 ,  小林修一

IPC: B24B37/08 ,  B24B53/00 ,  B24B53/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种晶片的双面研磨方法，该晶片的双面研磨方法将晶片保持在载具的保持孔中，并将该所保持的晶片夹入粘贴有砂布的上下平台之间，并使上述载具进行自转及公转而同时研磨上述晶片的双面，且以批次方式反复进行该晶片的研磨，上述晶片的双面研磨方法其特征在于，在上述以批次方式反复进行的晶片的研磨中，将上述载具公转的方向在每一批次转换成相反的方向。由此，提供一种能够抑制修整所造成的生产率的降低且能够稳定地得到高平坦度的晶片的晶片的双面研磨方法。

公开(公告)号：CN104968473A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480006747.6

申请日：2014-01-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  田中佑宜 ,  小林修一 ,  伊波健路 ,  金城俊成

IPC: B24B37/28

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B7/17 ,  B24B7/228 ,  B24B7/241 ,  B24B37/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/673

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具的制造方法，是将嵌件材料嵌合并粘结在保持孔中来进行制造，所述保持孔是在被配置于双面研磨装置的贴附有研磨布的上磨盘和下磨盘之间的载具主体上形成，且用于在研磨时保持晶圆，所述嵌件材料接触所保持的晶圆的周边部，其中，该双面研磨装置用载具的制造方法，对所述嵌件材料施行研光加工和研磨加工，之后，将该嵌件材料嵌合至载具主体的保持孔中，沿着与载具主体的主要表面垂直的方向，一边将负载施加至已嵌合的嵌件材料上一边进行粘结及干燥，由此来制造双面研磨装置用载具。由此，提供一种能够抑制在批次内的研磨晶圆的平坦度的偏差的双面研磨装置用载具的制造方法及晶圆的双面研磨方法。