公开(公告)号：CN1542071A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031386.9

申请日：2004-03-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C09D183/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。

公开(公告)号：CN1501454A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114943.9

申请日：2003-11-13

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L23/5222 ,  C08K3/34 ,  C08L83/02 ,  C09D183/04 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4－n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。

公开(公告)号：CN100567150C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200310114941.X

申请日：2003-11-13

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C01B39/04 ,  H01L21/316 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C01B39/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供了可形成多孔膜的沸石溶胶，所述多孔膜可通过在普通半导体生产中所使用的方法而变薄到需要的厚度，该膜具有优良的介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度，以及其可以容易地变薄；本发明提供了成膜用组合物；多孔膜及其制造方法；内部含有这种多孔膜的高性能和高度可靠的半导体装置。更具体地说，在常规的多孔膜形成用涂布液中，在结构导向剂和碱性催化剂的存在下，通过水解和分解由通式Si(OR1)4(其中R1代表具有1-4个碳原子的直链或者支链烷基，当具有大于一个的R1时，R1要以是独立的并相互相同或不同)表示的硅烷化合物，然后在75℃或者更低温度加热该硅烷化合物而制备沸石溶胶。使用了含有这种沸石溶胶的多孔膜形成用组合物。

公开(公告)号：CN100349981C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200410033575.X

申请日：2004-04-07

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C08L83/04 ,  C08J5/18 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供通过通常的半导体工艺中使用的方法，可以容易地形成任意控制的膜厚的薄膜，并且用于形成具有稳定性优异的中孔尺寸的通道结构的多孔膜的涂布液。具体地，本发明提供一种多孔膜形成用组合物，其包括含有将通式RnSi(OR’)4-n表示的硅烷化合物的一种或一种以上水解和缩合而得到的聚合物，表面活性剂，和非质子极性溶剂。另外，本发明提供多孔膜的制造方法，其包括涂布该多孔膜形成用组合物的涂布工序；其后的干燥工序；和从得到的膜中除去表面活性剂的多孔化工序。本发明还提供使用该多孔膜形成用组合物得到的多孔膜。

公开(公告)号：CN101102979A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200680000518.9

申请日：2006-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  屉子胜 ,  村上友康

IPC: C04B41/91 ,  G02B6/13 ,  C23F4/00

CPC classification number: C04B41/91 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5346 ,  G02B2006/12166 ,  Y10T428/24479 ,  C04B41/0054 ,  C04B35/56

Abstract: 用由含卤素原子的气体和含氮原子的气体组成的混合气体生成的等离子体50对WC基板7进行蚀刻。

公开(公告)号：CN101021010A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610100052.1

申请日：2006-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  村上友康

IPC: C23F4/00 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明公开了一种干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法。目的在于：以实现在利用干蚀刻对含钨和碳的物质形成微小凹凸时的垂直剖面形状或正锥形剖面形状。并且，提供一种在含钨和碳的物质表面具备了垂直剖面形状或正锥形剖面形状的微小凹凸的模具。利用从混合气体生成的等离子体，对含钨和碳的物体进行蚀刻，该混合气体由含氟原子的气体、和含CN结合及氢原子的气体构成。

公开(公告)号：CN100442436C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480000583.2

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76801 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76817

Abstract: 图案形成方法，包括：形成由具有流动性的物质构成的流动性膜的工序；将推压构件具有凸部的推压面推压到流动性膜，将所述凸部转印到流动性膜的工序，且所述凸部包括用于形成金属布线的第1凸部与用于形成插塞的第2凸部；在将推压面推压到流动性膜的状态下，通过将流动性膜加热到第1温度，使转印了所述凸部的流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的固化膜构成的图案的工序。

公开(公告)号：CN1842903A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000989.5

申请日：2005-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池田敦 ,  中川秀夫 ,  青井信雄

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C14/027 ,  C23C14/16 ,  H01L21/76846

Abstract: 半导体装置包括：在硅衬底1上形成的绝缘膜6、在绝缘膜6中形成的埋入布线10、以及在绝缘膜6和埋入布线10之间形成的金属阻挡膜Al。金属阻挡膜Al由金属化合物膜7和即使被氧化也不失去导电性的金属膜9的叠层膜所构成，在金属化合物膜7和金属膜9的接合面附近，存在有金属化合物膜7和金属膜9融合而形成的融合层8。

公开(公告)号：CN1842902A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000982.3

申请日：2005-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  池田敦 ,  青井信雄

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置包括：在硅衬底1上形成的绝缘膜6，在绝缘膜6中形成的埋入金属布线8，以及在绝缘膜6与金属布线8之间形成的金属阻挡膜7。金属阻挡膜是金属化合物膜，金属化合物膜包含构成绝缘膜6的元素中的至少1个。

公开(公告)号：CN1698187A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000582.8

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76885

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成由具有流动性的绝缘性物质形成的流动性膜的工序；将所述流动性膜推压到推压构件的平坦推压面使流动性膜表面平坦化的工序；通过使推压面推压到流动性膜的状态下将流动性膜加热到第1温度使流动性膜固化，形成表面平坦的固化膜的工序；以及，通过将表面平坦的固化膜加热到比所述第1温度高的第2温度焙烧固化膜，形成表面平坦的焙烧膜的工序。