公开(公告)号：CN116693361A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310197024.X

申请日：2023-03-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 郡大佑 ,  岩森颂平

IPC: C07C13/62 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  C07C251/20 ,  C07C43/188 ,  C07C43/215 ,  C07C35/44

Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、及化合物。本发明提供能展现高蚀刻耐性、优良的扭转耐性、成膜性，且成为散逸气体的升华物成分少的有机膜形成用组成物、使用了此组成物的图案形成方法、及适合如此的有机膜形成用组成物的化合物。一种有机膜形成用组成物，含有下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂。上述通式(1)中，X为下列通式(2)、(3)、(5)表示的X1～X3中的任一基团，亦可将2种以上的X予以组合使用。上述通式(3)中，W表示碳原子或氮原子，n1表示0或1、n2表示1～3的整数，R1独立地为下列通式(4)表示的任意的基团。上述通式(5)中，R2为氢原子或碳数1～4的烷基，R3为下列任意的基团。

公开(公告)号：CN119528965A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411171870.5

申请日：2024-08-26

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 岩森颂平 ,  小林直贵 ,  郡大佑 ,  石绵健汰

IPC: C07F7/22 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供用于形成具有优异的干式蚀刻耐性，且兼具高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜的化合物；包含该化合物的含金属的膜形成用组成物；使用该组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为一种含金属的膜形成用化合物，其特征为：该化合物是下列通式(M)表示者。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#该通式(M)中，R1、R2各自独立地为有机基团或卤素原子，W为下列通式(W‑1)或(W‑2)表示的2价有机基团。

公开(公告)号：CN119087742A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202410713093.6

申请日：2024-06-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小林直贵 ,  泷泽彼方 ,  佐藤裕典 ,  岩森颂平 ,  郡大佑

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供一种图案形成方法，借由使用对比已知的KrF抗蚀剂具有优良的干蚀刻耐性且成膜性及基板密合性优异的抗蚀剂下层膜形成用组成物，能够以高精度形成阶梯形状图案。一种图案形成方法，具有下列步骤：在被加工基板上利用抗蚀剂下层膜形成用组成物形成抗蚀剂下层膜，在抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂中间膜，在抗蚀剂中间膜上形成抗蚀剂上层膜，在抗蚀剂上层膜形成图案，在抗蚀剂中间膜转印图案，在抗蚀剂下层膜转印图案，在被加工基板形成图案，将抗蚀剂下层膜予以修整，在被加工基板形成阶梯形状的图案；就前述抗蚀剂下层膜形成用组成物而言，含有树脂、及有机溶剂，且使用下式(1)表示者作为树脂。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118625600A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410255910.8

申请日：2024-03-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部卫 ,  岩森颂平 ,  美谷岛祐介

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。课题是提供具有与抗蚀剂上层膜的高密合性，具有抑制微细图案的崩塌效果且同时能形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、图案形成方法、及该密合膜的形成方法。解决手段是一种密合膜形成材料，是形成于抗蚀剂上层膜的正下方的密合膜的密合膜形成材料，含有(A)具有含酸解离性基团的结构单元及至少2种的下述通式(1)表示的结构单元的树脂、及(C)有机溶剂，进一步地，更含有(B)光酸产生剂、或该(A)树脂具有借由光而产生酸的结构单元、或者具有两者。下述通式(1)中，R1是氢原子或甲基，R2选自下式(1‑1)～(1‑3)中的基团，虚线表示原子键。#imgabs0#