公开(公告)号：CN1112294A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN94120764.1

申请日：1994-12-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 德武伸郎 ,  佐野政史 ,  林享 ,  东川诚

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明试图提供一种稳定持久高产的制造光电换能器方法，其具有高转换效率和高可靠性便于长期耐用，其特征在于，制造光电换能器的方法，其具有在导电基片上形成功能薄膜，它包括用含水的清洗液对导电基片提供超声清洗，使导电基片表面与净化水接触，并形成功能薄膜。功能薄膜的特征在于，其形成有一金属层作为光反射层，一反射加强层，和一半导体光电器件层，其通过等离子CVD法来制备，其包括含硅原子的非单晶材料作为基质。

公开(公告)号：CN1236477C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN02119067.4

申请日：2002-02-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  佐野政史 ,  松田高一 ,  东川诚

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32467 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种优异光电特性的硅基薄膜可以通过以下方法获得：向真空容器内部引入含有卤化硅和氢气体的源气体，至少内部的一部分用含硅固体覆盖，在真空容器的内部空间中产生等离子体，以及在提供在真空容器内部的衬底上形成硅基薄膜。

公开(公告)号：CN1536682A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410031289.X

申请日：2004-03-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  东川诚 ,  中村哲郎

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0687 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0549 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种叠层型光电元件及其制造方法。该叠层型光电元件是由多个pn结或pin结组成的单元光电元件串联叠层而形成的光电元件，其特征在于，在上述单元光电元件间的至少一处配置氧化锌层，且该氧化锌层的电阻率在层厚方向上不同。

公开(公告)号：CN1330392A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01124925.0

申请日：2001-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  松田高一 ,  东川诚

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/075 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L31/202 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 在用含有卤化硅和氢气的源气的高频等离子体CVD中,将由公式Q=P

公开(公告)号：CN1237796A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99105944.1

申请日：1999-03-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 东川诚 ,  佐野政史

IPC: H01L29/70

CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509

Abstract: 形成微晶硅系列薄膜的工艺包括：在真空室中与电极相对设置长衬底，同时纵向传送长衬底；使用具有50MHz－550MHz范围内的振荡频率的高频功率使电极和长衬底之间辉光放电在长衬底上淀积微晶硅系列薄膜，其中，作为所述电极的多个棒状电极如此设置，即它们垂直于所述长衬底的法线，并且它们与所述长衬底的间隔全部或部分地不同，本发明还公开了适于执行所述工艺的装置。