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公开(公告)号：CN106103380A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013163.6
申请日：2015-05-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , C04B35/01 , C04B35/03 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/082 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/332 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/0257 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和镁。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的镁的含量优选为0.0001以上且小于0.05，并且优选以1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度小于3.0×1018cm‑3、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN108713245A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780014038.6
申请日：2017-02-08
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L21/363 , C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , C04B35/01 , C04B2235/3284 , C04B2235/46 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78684
Abstract: 本发明提供一种在维持高载流子迁移率的状态下仅使载流子浓度降低的氧化物半导体薄膜以及其制造方法。本发明的非晶质的氧化物半导体薄膜，以氧化物的形式含有铟及镓，并且另外含有氢，以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.15以上且0.55以下，通过二次离子质谱分析法，氢含量为1.0×1020原子/cm3以上且1.0×1022原子/cm3以下。
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公开(公告)号：CN108698933A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014108.8
申请日：2017-01-31
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/9661 , C23C14/34 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供能以比过去更低的温度的退火处理来制造具有高载流子迁移率的由铟及镓构成的非晶质或结晶质的氧化物半导体薄膜的溅射用靶、用于得到该钯的合适的由铟及镓构成的氧化物烧结体。该氧化物烧结体由铟及镓的氧化物构成，其特征在于，以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.10以上且0.49以下，CIE1976颜色体系中的L*值为50以上且68以下，由方铁锰矿型结构的In2O3相和In2O3相以外的生成相构成，所述In2O3相以外的生成相是β‑Ga2O3型结构的GaInO3相，或者是β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga，In)2O3相。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106029604A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009757.X
申请日：2015-02-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/5806 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.20以上且0.49以下，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为4.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN104969362B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201380063900.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022425 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/1884 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K2201/0108 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种反射率低、低吸收、透过率高的带表面电极的透明导电玻璃基板以及使用该表面电极的、光电转换效率比以往高的薄膜太阳能电池。通过在透光性玻璃基板上以膜厚50nm～150nm形成作为第一层的波长550nm时的折射率为1.6～1.8的低折射率透明薄膜，在该折射率透明薄膜上依次形成作为第二层的氧化铟系的非晶质透明导电膜、作为第三层的氧化锌系的晶质透明导电膜的凹凸膜，从而形成带表面电极的透明导电玻璃基板。
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公开(公告)号：CN105308206A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201380058230.7
申请日：2013-10-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022483 , C09D5/24 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01J37/3429 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/02366 , H01L31/1884 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时作为表面电极有用的、光吸收率低、并且光学限制效果也优异的透明导电膜层叠体和其制造方法、以及使用该透明导电膜层叠体的薄膜太阳能电池和其制造方法。制成一种透明导电膜层叠体，具有如下结构：在透光性基板上在表面粗糙度(Ra)为1.0nm以下的状态下形成的氧化铟系透明导电膜(I)、和在氧化铟系透明导电膜(I)上形成的氧化锌系透明导电膜(II)，作为层叠体的表面粗糙度(Ra)为30nm以上、且雾度率为8％以上、并且电阻值为30Ω/□以下，对于波长400nm～1200nm的范围的光的吸收率以平均值计为15％以下。
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公开(公告)号：CN104969362A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380063900.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022425 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/1884 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K2201/0108 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种反射率低、低吸收、透过率高的带表面电极的透明导电玻璃基板以及使用该表面电极的、光电转换效率比以往高的薄膜太阳能电池。通过在透光性玻璃基板上以膜厚50nm～150nm形成作为第一层的波长550nm时的折射率为1.6～1.8的低折射率透明薄膜，在该折射率透明薄膜上依次形成作为第二层的氧化铟系的非晶质透明导电膜、作为第三层的氧化锌系的晶质透明导电膜的凹凸膜，从而形成带表面电极的透明导电玻璃基板。
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公开(公告)号：CN102298986A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110186615.4
申请日：2011-06-28
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01B5/14 , H01B13/00 , H01L31/048 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B32B3/30 , B32B9/04 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C03C17/3618 , C03C17/3636 , C03C17/3644 , C03C17/3655 , C03C17/3678 , C03C2217/77 , C03C2217/94 , C03C2217/944 , C03C2217/948 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/056 , H01L31/077 , H01L31/1884 , Y02E10/52
Abstract: 本发明提供光电转换效率高的带有表面电极的透明导电基板及制造方法、薄膜太阳能电池及制造方法。通过形成氧化铟类的非晶体透明导电膜作为基底膜(21)，在其上形成氧化锌类的晶体透明导电膜，形成由良好的凹凸结构构成的表面电极(2)。结果能够提供光封闭效果更高的表面电极(2)，得到光电转换效率更高的薄膜太阳能电池(10)。
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