公开(公告)号：CN102134700B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201010583539.6

申请日：2010-12-07

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 阿部能之 ,  和气理一郎 ,  桑原正和 ,  前野泰行

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/0015 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的氧化物蒸镀材料，其特征在于，由以氧化铟作为主要成分且铈含量以Ce/In原子数比为超过0.110且为0.538以下的烧结体构成，CIE1976色系中的L*值为62～95。由于L*值为62～95的上述氧化物蒸镀材料具有最佳氧量，因此，即使向成膜真空槽中的氧气导入量少，也能够以真空蒸镀法制造出波长550nm下的折射率为2.15～2.51的、低电阻且可见光～近红外光区域中为高透过性的高折射率透明膜，并且，由于氧气导入量少，所以能够减小膜与蒸镀材料之间的组成偏差。

公开(公告)号：CN102102173B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201010559242.6

申请日：2010-11-22

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 阿部能之 ,  和气理一郎 ,  桑原正和 ,  曽我部健太郎 ,  大城梓 ,  矢田久贵

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9646 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C30/005 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明的氧化物蒸镀材料，其特征在于，由以氧化铟为主要成分且以Ce/In原子数比计含0.001～0.110的铈的烧结体构成，且CIE1976表色系中的L*值为62～95。L*值为62～95的上述氧化物蒸镀材料具有最佳氧量，因此，即使向成膜真空槽导入的氧气量少的情况下，也能够通过真空蒸镀法制造出低电阻且在可见光到近红外区域具有高透过性的透明导电膜，且由于氧气导入量少，能够缩小膜与蒸镀材料之间的组成差，由此，也能够减少批量生产时膜组成的变动和特性的变动。

公开(公告)号：CN102812150B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201180014684.5

申请日：2011-02-21

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 阿部能之 ,  和气理一郎 ,  桑原正和 ,  曽我部健太郎 ,  大城梓 ,  矢田久贵

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/30 ,  C01G19/00 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/62 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62625 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/086 ,  C23C14/32

Abstract: 本发明的氧化物蒸镀材料，其特征在于，由以氧化铟为主要成分且以Sn/In原子数比计含有0.001～0.614的锡的氧化物烧结体构成，且CIE1976色度系统中的L*值为54～75。L*值为54～75的上述氧化物蒸镀材料具有最佳氧量，因此，即使向成膜真空槽导入的氧气量少，也可以通过真空蒸镀法制造出低电阻且在可见区具有高透过性的透明导电膜，并且由于氧气的导入量少，可以缩小膜与蒸镀材料之间的组成差，也可减少批量生产时膜组成的变动和特性的变动。

公开(公告)号：CN102134700A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010583539.6

申请日：2010-12-07

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 阿部能之 ,  和气理一郎 ,  桑原正和 ,  前野泰行

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  G02B1/11 ,  G02B11/00

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/0015 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的氧化物蒸镀材料，其特征在于，由以氧化铟作为主要成分且铈含量以Ce/In原子数比为超过0.110且为0.538以下的烧结体构成，CIE1976色系中的L*值为62～95。由于L*值为62～95的上述氧化物蒸镀材料具有最佳氧量，因此，即使向成膜真空槽中的氧气导入量少，也能够以真空蒸镀法制造出波长550nm下的折射率为2.15～2.51的、低电阻且可见光～近红外光区域中为高透过性的高折射率透明膜，并且，由于氧气导入量少，所以能够减小膜与蒸镀材料之间的组成偏差。

公开(公告)号：CN102102173A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010559242.6

申请日：2010-11-22

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 阿部能之 ,  和气理一郎 ,  桑原正和 ,  曽我部健太郎 ,  大城梓 ,  矢田久贵

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9646 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C30/005 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明的氧化物蒸镀材料，其特征在于，由以氧化铟为主要成分且以Ce/In原子数比计含0.001～0.110的铈的烧结体构成，且CIE1976表色系中的L*值为62～95。L*值为62～95的上述氧化物蒸镀材料具有最佳氧量，因此，即使向成膜真空槽导入的氧气量少的情况下，也能够通过真空蒸镀法制造出低电阻且在可见光到近红外区域具有高透过性的透明导电膜，且由于氧气导入量少，能够缩小膜与蒸镀材料之间的组成差，由此，也能够减少批量生产时膜组成的变动和特性的变动。

公开(公告)号：CN1690011A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510066653.0

申请日：2005-04-26

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 阿部能之 ,  中山德行 ,  小原刚 ,  和气理一郎

IPC: C04B35/01

CPC classification number: C23C14/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/64 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/403 ,  C23C14/3414 ,  Y10S428/918

Abstract: 本发明在于提供比电阻小、膜内部应力的绝对值小、在可见光区域的透过率高的非晶质透明导电性薄膜，以及用于制造该透明导电性薄膜的氧化物烧结体，以及由此得到的溅射靶材。采用钨以W/In原子数比为0.004～0.023的比例，锌以Zn/In原子数比为0.004～0.100的比例，配制平均粒径为1μm以下的In2O3粉末、WO3粉末、ZnO粉末，混合10～30小时，将得到的粉末造粒成平均粒径为20～150μm，用冷间静液压压力机施加2～5ton/cm2的压力使该造粒粉成形，在以每0.1m3的炉内体积50～250升/分的比例向烧结炉内的大气导入氧气的环境下，于1200～500℃下，将所得到的成形体烧结10～40小时。