公开(公告)号：CN103606817A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310545985.1

申请日：2010-11-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  嵯峨宣弘 ,  足立真宽 ,  住吉和英 ,  德山慎司 ,  高木慎平 ,  池上隆俊 ,  上野昌纪 ,  片山浩二

IPC: H01S5/343 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202

Abstract: 本发明提供一种外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法。III族氮化物半导体激光器元件在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。

公开(公告)号：CN102668281A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080059063.4

申请日：2010-11-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  嵯峨宣弘 ,  足立真宽 ,  住吉和英 ,  德山慎司 ,  高木慎平 ,  池上隆俊 ,  上野昌纪 ,  片山浩二

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。

公开(公告)号：CN108695139B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201810282155.7

申请日：2018-04-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 住吉和英

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种在氮化物半导体层上形成作为钝化膜的氮化硅膜的方法。该方法首先设定低于500℃的温度以装入其上具有氮化物半导体层的晶圆。然后，当置换气氛至纯氨气(NH3)或NH3分压大于0.2的NH3和N2的混合气并且设定高于3kPa的压力时，该方法将温度升高至高于750℃的沉积温度。最后，将气氛减压至低于100Pa并供给二氯硅烷(SiH2Cl2)，从而将SiN沉积在氮化物半导体层上。本发明还公开了一种形成氮化物半导体器件的方法。本发明的方法在氮化物半导体材料上沉积SiN膜的同时，氮化物半导体材料的表面基本不会分解。

公开(公告)号：CN107871784B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201710865916.7

申请日：2017-09-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 住吉和英

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 公开了一种氮化物半导体器件，其中，氮化物半导体器件类型的场效应晶体管具有栅电极和覆盖栅电极的绝缘膜。栅电极具有镍(Ni)和金(Au)的层叠金属，而绝缘膜由氮化硅(SiN)制成。本发明的栅电极的特征是，镍层含有或掺杂有原子浓度从0.01at％至10at％的硅(Si)原子。

公开(公告)号：CN109585267A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811131218.5

申请日：2018-09-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 住吉和英

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 披露了一种在氮化物半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜的方法。该方法包括以下步骤：(a)将包括氮化物半导体层的外延衬底装入处于第一温度的反应炉内，并将炉内的气氛转换为氮气(N2)；(b)将炉内的压力保持为高于30kPa，并将炉内的温度升至第二温度；(c)在第二温度下，将炉内气氛转换为氨气(NH3)；(d)在低于100Pa的第二压力下，通过供给SiH2Cl2作为硅(Si)的源气体从而开始进行沉积。本发明的特征为从炉内温度达到临界温度到供给SiH2Cl2的时间长度小于20分钟，其中第一压力在所述临界温度下达到平衡压力。

公开(公告)号：CN107871784A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710865916.7

申请日：2017-09-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 住吉和英

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/812 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42364

Abstract: 公开了一种氮化物半导体器件，其中，氮化物半导体器件类型的场效应晶体管具有栅电极和覆盖栅电极的绝缘膜。栅电极具有镍(Ni)和金(Au)的层叠金属，而绝缘膜由氮化硅(SiN)制成。本发明的栅电极的特征是，镍层含有或掺杂有原子浓度从0.01at％至10at％的硅(Si)原子。