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公开(公告)号：CN102315590B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110185441.X
申请日：2011-06-30
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/1064 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0657 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/50
Abstract: 本发明提供了一种半导体光放大器，其包括：层叠结构，该层叠结构依次包括由GaN化合物半导体构成并且具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层以及由GaN化合物半导体构成并且具有第二导电类型的第二化合物半导体层；第二电极，其形成于第二化合物半导体层上；以及第一电极，其电连接于第一化合物半导体层。所述层叠结构具有脊状条纹结构。当在光出射端面中的脊状条纹结构以及在光入射端面中的脊状条纹结构的各宽度分别为Wout和Win时，则满足Wout＞Win。从光出射端面起，沿半导体光放大器的轴线而在层叠结构的内部区域中设置载流子非注入区。本发明可获得更大的光输出，并且使输出的激光变得稳定。
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公开(公告)号：CN101854028A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010196194.9
申请日：2010-02-23
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/4006 , B82Y20/00 , H01S5/0428 , H01S5/06216 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 提供一种具有简单组成和简单结构的、驱动超短脉冲和超高功率激光二极管器件的方法。在驱动激光二极管器件的方法中，光从光注入部件注入通过脉冲电流驱动的激光二极管器件，该脉冲电流具有如阈值电流值的10倍或更多倍大的值。
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公开(公告)号：CN101847826A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010138524.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/0625 , H01S5/042
CPC classification number: H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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公开(公告)号：CN103579380A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210281451.8
申请日：2012-08-09
Applicant: 索尼公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L33/42
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L31/022408 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/03046 , H01L31/03048 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , H01L31/1884 , H01L33/0025 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01S5/0425 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S5/34313 , H01S5/34333 , Y02E10/544
Abstract: 提供包括电极的受光或者发光元件、太阳能电池、光传感器、发光二极管以及面发光激光元件，所述电极具有低的接触电阻值和高的透光率。受光/发光元件（11）具有：受光/发光层（21），多个化合物半导体层层叠而成；以及电极（30），由透明导电材料构成，具有第1面（30A）以及相对于第1面的第2面（30B），在第1面（30A）中与受光/发光层（21）接触，在透明导电材料中包含有由从由钼、钨、铬、钌、钛、镍、锌、铁以及铜组成的组中选择的至少一种金属或者其化合物构成的添加物，在电极（30）的第1面（30A）的界面附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度比在电极（30）的第2面（30B）的附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度还高。
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公开(公告)号：CN103022057A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110281329.6
申请日：2011-09-21
Applicant: 索尼公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/142 , H01L31/06 , H01L31/0352 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03046 , H01L31/0352 , H01L31/06875 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。提供具备子电池的多结太阳能电池，该子电池基底与晶格匹配、具有期望的带隙。本发明多结太阳能电池是多个子电池(11)，(12)，(13)，(14)叠层而成，子电池由第1化合物半导体层和第2化合物半导体层叠层而成，至少一个特定子电池(11)由第1层(11A1，11A2)和第2层(11C)构成，第1层(11A1，11A2)由第1-A层(11AA)和第1-B层(11AB)叠层而成，第2层11C由第2-A层(11CA)和第2-B层(11CB)叠层而成，基于特定子电池11的带隙值确定第1-A层(11AA)和第2-A层(11CA)的组成-A，基于基底晶格常数和组成-A的晶格常数之差确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)的组成-B，基于基底晶格常数与组成-B的晶格常数之差、第1-A层(11AA)厚度和第2-A层(11CA)厚度确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)厚度。
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公开(公告)号：CN102315590A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110185441.X
申请日：2011-06-30
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/1064 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0657 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/50
Abstract: 本发明提供了一种半导体光放大器，其包括：层叠结构，该层叠结构依次包括由GaN化合物半导体构成并且具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层以及由GaN化合物半导体构成并且具有第二导电类型的第二化合物半导体层；第二电极，其形成于第二化合物半导体层上；以及第一电极，其电连接于第一化合物半导体层。所述层叠结构具有脊状条纹结构。当在光出射端面中的脊状条纹结构以及在光入射端面中的脊状条纹结构的各宽度分别为Wout和Win时，则满足Wout＞Win。从光出射端面起，沿半导体光放大器的轴线而在层叠结构的内部区域中设置载流子非注入区。本发明可获得更大的光输出，并且使输出的激光变得稳定。
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公开(公告)号：CN102195232A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110045868.X
申请日：2011-02-24
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供了一种锁模半导体激光器件及其驱动方法，所述锁模半导体激光器件包括：层压结构，其中，逐次地层压第一化合物半导体层、具有发光区域的第三化合物半导体层和第二化合物半导体层，以及第二电极和第一电极；其中，层压结构形成在具有极性的化合物半导体基板上，第三化合物半导体层包括具有势阱层和势垒层的量子阱结构，势阱层具有1nm以上且10nm以下的深度，势垒层具有2×1018cm-3以上且1×1020cm-3以下的掺杂浓度，以及使电流从第二电极经由层压结构流至第一电极，而在发光区域中生成光脉冲。
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公开(公告)号：CN1515053A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN02811751.4
申请日：2002-06-14
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。
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