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公开(公告)号：CN1161105A
公开(公告)日：1997-10-01
申请号：CN95190541.4
申请日：1995-04-28
Applicant: 索尼公司
Inventor： 伊藤哲 , 谷口理 , 池田昌夫 , 奥山浩之 , 本弘范 , 长井政春 , 玉村好司
IPC: H01L21/363
Abstract: 在基片上，形成由II族元素中之至少一种元素与VI族元素中之至少一种元素构成的II-VI族化合物半导体膜之际，借助于带电粒子排除装置除去等离子中的带电粒子之同时，将激发态氮等离子照射到上述基片上，完成掺氮的II-VI族化合物半导体的成膜，提高了激活率，提高了结晶性。
