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公开(公告)号：CN101911322A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980101538.9
申请日：2009-08-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/02458 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。
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公开(公告)号：CN101826581A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010123875.2
申请日：2010-03-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/18 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/32 , H01S5/20 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 一种氮化镓类半导体光元件及其制造方法、外延晶片。所述氮化镓类半导体光元件包括显示较低的压电效应和良好的结晶质量的含铟氮化镓类半导体层。氮化镓类半导体光元件具有GaN支撑体、GaN类半导体区域和阱层。主面从与沿着GaN的m轴和a轴中一个晶轴的方向延伸的基准轴正交的面起，向另一个晶轴的方向倾斜。倾斜的角度(AOFF)在0.05度以上且小于15度的范围内。角度(AOFF)与矢量(VM)和矢量(VN)形成的角度相等。主面的倾斜由具有代表性的m面和m轴矢量(VM)表示。GaN类半导体区域设置于主面上。活性层的阱层的m面和a面均向主面的法线轴倾斜。阱层的铟组分大于0.1。
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公开(公告)号：CN1624944B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410098298.0
申请日：2004-12-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。基板通过氧掺杂使之n型化，该氧浓度在氧原子1E17个/cm3～2E19个/cm3的范围内，基板的厚度为100μm～200μm。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN100573822C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710127356.1
申请日：2007-07-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L22/26 , H01L21/187 , H01L21/76251 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/0075 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开其上接合有GaN薄膜的衬底及其制备方法以及基于GaN的半导体器件及其制备方法。提供一种制造薄GaN接合膜衬底的方法，包括步骤：在GaN块状晶体上接合与GaN类型或化学成分不同的衬底；在离不同类型的衬底的界面具有至少0.1μm和至多100μm距离的平面处隔开GaN块状晶体，以在不同类型的衬底上提供GaN薄膜，其中GaN块状晶体具有接合到不同类型的衬底的表面，具有至多20μm的最大表面粗糙度Rmax。由此可以以低成本制备一种包括薄GaN接合膜衬底和沉积在GaN薄膜上的至少一个基于GaN的半导体层的基于GaN的半导体器件，该薄GaN接合膜衬底包括不同类型的衬底和固定在不同类型衬底上的GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN100505346C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680000584.6
申请日：2006-04-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的氮化物半导体发光元件11产生包含紫外线区域的波长成分的光。该氮化物半导体发光元件11，具有包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层13(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层15(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)的发光区域17。该InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层13与该InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层15之间的能隙差Eg1为2.4×10-20J以上、4.8×10-20J以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100483627C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410062832.2
申请日：2004-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1-xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。
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公开(公告)号：CN101101868A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127356.1
申请日：2007-07-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L22/26 , H01L21/187 , H01L21/76251 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/0075 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开其上接合有GaN薄膜的衬底及其制备方法以及基于GaN的半导体器件及其制备方法。提供一种制造薄GaN接合膜衬底的方法，包括步骤：在GaN块状晶体上接合与GaN类型或化学成分不同的衬底；在离不同类型的衬底的界面具有至少0.1μm和至多100μm距离的平面处隔开GaN块状晶体，以在不同类型的衬底上提供GaN薄膜，其中GaN块状晶体具有接合到不同类型的衬底的表面，具有至多20μm的最大表面粗糙度Rmax。由此可以以低成本制备一种包括薄GaN接合膜衬底和沉积在GaN薄膜上的至少一个基于GaN的半导体层的基于GaN的半导体器件，该薄GaN接合膜衬底包括不同类型的衬底和固定在不同类型衬底上的GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN100352004C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN03800646.4
申请日：2003-01-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/38
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647
Abstract: 一起使用ELO掩膜和缺陷种子掩膜的方法生长很少有位错的GaN晶体。ELO掩膜使得GaN晶体不能直接生长，但是能横向生长；缺陷种子掩膜使得缺陷集中的封闭缺陷聚集区域生长。材料SiN、SiON或SiO2中任一种用于ELO掩膜，同时Pt、Ni或Ti材料中任一种用于缺陷种子掩膜。蓝宝石、GaAs、尖晶石、Si、InP、SiC等单晶基片或其中在这些的单晶基片上涂覆GaN缓冲层的下层基片，补充地提供ELO掩膜和缺陷种子掩膜以及GaN被气相沉积。
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公开(公告)号：CN1577743A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062832.2
申请日：2004-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1－xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。
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公开(公告)号：CN113235162A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110359932.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B11/00 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
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