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公开(公告)号：CN104641453B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201380046378.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。
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公开(公告)号：CN119768572A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061451.3
申请日：2023-04-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 本发明的磷化铟单晶衬底具有圆形的主表面，上述主表面被格子间距为1mm的正方格子假想地划分。上述正方格子由沿着第一方向和与上述第一方向正交的第二方向存在的多个格子点构成。由在各上述格子点测定的位错密度构成的集合分别具有作为上述集合的平均值的第一整面平均值和作为上述集合的标准偏差的第一整面标准偏差，并且各上述位错密度被分类为第一级别、第二级别和第三级别中的任一个。测定出被分类为上述第二级别的位错密度的格子点存在于夹在第一正方区域的外轮廓线和第二正方区域的外轮廓线之间的区域内，并且由被分类为第二级别的位错密度构成的子集的平均值即第二平均值是由被分类为第一级别的位错密度构成的子集的平均值即第一平均值的4.0倍以上且10.0倍以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114855260B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210316571.0
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , G01R31/26 , H01L21/324 , H01L21/8252
Abstract: 本发明涉及半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶。一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。
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公开(公告)号：CN110621813B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201780090780.5
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。
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公开(公告)号：CN112204175A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201880093818.9
申请日：2018-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种磷化铟单晶，所述磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种磷化铟单晶衬底，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。
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公开(公告)号：CN110114519B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880005481.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×1016个原子·cm‑3的氧浓度，并且包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。本发明公开了一种磷化铟单结晶衬底，所述磷化铟单结晶衬底具有小于1×1016个原子·cm‑3的氧浓度，其中所述磷化铟单结晶衬底的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。
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公开(公告)号：CN110621813A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201780090780.5
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。
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