公开(公告)号：CN101553605B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200780039049.6

申请日：2007-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明获得一种其上能够形成良好质量外延生长层的III族氮化物衬底，以及一种制造上述衬底的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。

公开(公告)号：CN101504913A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910126956.5

申请日：2007-06-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L27/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及制造III族氮化物衬底晶片的方法和III族氮化物衬底晶片。单面平面处理的III族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于10μm厚度的热塑性蜡将多个III族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前(f)、向后(b)或向内(u)的OF或凹口的抛光板上、研磨生长状态的晶片、精磨已被研磨了的晶片、将精磨的晶片抛光成具有等于或小于200μm的水平宽度和等于或小于100μm的垂直深度的斜面的镜面晶片。

公开(公告)号：CN101441998A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810177771.2

申请日：2008-11-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/045 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/406 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/872 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供了一种GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件，所述GaN衬底制造方法的特征在于，包括如下加工步骤：基于衬底表面的结晶轴取向的差别，将由GaN单晶构成的衬底表面加工成凹形球面状。在处理后的GaN衬底表面中，将GaN衬底表面处理成凹形球面状，缩小了结晶轴取向相对于法线的差别。而且，使用结晶轴取向的差别已经被缩小的GaN衬底制造半导体器件，可使得多种由单一GaN衬底制造的半导体器件的器件特性均一化，这有助于提高半导体器件制造的产率。

公开(公告)号：CN100485879C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710111857.0

申请日：2007-06-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/304 ,  H01L23/00 ,  B24B1/00

Abstract: 单面平面处理的III族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于10μm厚度的热塑性蜡将多个III族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前(f)、向后(b)或向内(u)的OF或凹口的抛光板上、研磨生长状态的晶片、精磨已被研磨了的晶片、将精磨的晶片抛光成具有等于或小于200μm的水平宽度和等于或小于100μm的垂直深度的斜面的镜面晶片。

公开(公告)号：CN1275296C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200410001842.5

申请日：2004-01-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山雅博 ,  入仓正登

IPC: H01L21/304 ,  B24D5/00 ,  B24D7/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L29/0657 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002 ,  H01L21/02021

Abstract: 本发明涉及缘经过研磨的氮化物半导体基片及其边缘加工方法，通过把圆形氮化物半导体基片的外周部内接于在柔软的带面上附着砂粒的带状砂轮上，使带状砂轮跨接于氮化物半导体基片的外周面和边缘部，并且通过调节带子的张力而在氮化物半导体基片的外周部上施加一定的压力，提供切削水，一边旋转氮化物半导体基片，一边以一定的速度传送带状砂轮，更新接触带面，研磨边缘，由此使边缘部分的面粗糙度为Ra10nm～Ra5μm。因为不断地改变砂轮带所以即便使用粒子细的砂轮带也不会孔堵塞。通过用细粒子的砂轮带能够将晶片边缘部分加工到卓越的平滑度。又，本方法不仅适用于GaN而且也适用于其它的氮化物半导体基片。

公开(公告)号：CN1604344A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410011852.7

申请日：2004-09-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 入仓正登 ,  饼田恭志 ,  中山雅博

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02013 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法，利用磨削将在表面上具有C面的氮化物半导体衬底的表面加工为面粗糙度Rms5nm～200nm。大幅度地减少了磨削时间，降低了成本。面粗糙度增加，包含数目多的凹部，从凹部倾斜地生长的结晶使位错集中于面与面的边界上，使位错从边界起朝向凹部的底部移动，由此使位错集结于凹部的底部，这样使外延生长层的位错密度减少。因为衬底的面粗糙度大，故外延生长层的表面几何形态较差，但降低了位错密度。可减少对器件特性影响大的位错密度，成为在低成本方面有用的衬底。根据本发明，能以外延生长方式生长位错密度低的GaN薄膜、InGaN薄膜、AlGaN薄膜等的氮化物类半导体薄膜，提供低成本的氮化物半导体衬底。