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    半导体或液晶制造装置
    12.
    发明授权
    半导体或液晶制造装置 失效

    公开(公告)号：CN1241237C

    公开(公告)日：2006-02-08

    申请号：CN03800369.4

    申请日：2003-03-03

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

    IPC: H01L21/02 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67103

    Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置，其在反应容器9中备有，其内部埋设有阻抗发热体3的陶瓷保持体1、一端2a支持陶瓷保持体1而另一端2b被固定在反应容器9上的筒状支持部件2；筒状支持部件2的一端2a与陶瓷保持体1之间气密性结合，同时另一端2b侧在内部被隔板6和密封材料7气密密封。这种半导体或液晶制造装置，优选使筒状保持体2内的被陶瓷保持体1和隔板6划分的空间形成真空或惰性气体减压气氛下。在具有上记结构的半导体或液晶制造装置中，筒状支持部件容易进行气密密封，能够防止在陶瓷保持体的背面露出的电极端子4被腐蚀和氧化，而且在提高保持体均热性的同时还能提高热效率。

    用于半导体制造设备的工件保持架
    14.
    发明公开
    用于半导体制造设备的工件保持架 失效 复审申请

    公开(公告)号：CN1452233A

    公开(公告)日：2003-10-29

    申请号：CN03109539.9

    申请日：2003-04-09

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

    IPC: H01L21/68 ,  H01L21/30

    CPC classification number: H01L21/67103

    Abstract: 本申请公开了一种半导体制造设备工件保持架，其基片保持表面具有优良的等温属性，其适用于在涂胶机/显影机中热固光刻胶，和烘低介电常数，即低k的绝缘膜。工件保持架由基片保持架1和支撑基片保持架1的支撑部件4组成，其特点是支撑部件4的热传导率低于基片保持架1的热传导率。基片保持架1和支撑部件4或者不连接，或者如果连接，则两者具有相同的热膨胀系数2.0×10－6/℃或者更小。基片保持架1的主要成分最好是AlN，支撑部件4的主要成分最好是高铝红柱石。

    晶片固定器和半导体制作设备
    17.
    发明授权
    晶片固定器和半导体制作设备 失效

    公开(公告)号：CN100355020C

    公开(公告)日：2007-12-12

    申请号：CN03801837.3

    申请日：2003-09-26

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 夏原益宏 ,  仲田博彦 ,  柊平启 ,  桥仓学

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/68 ,  C23C16/44 ,  H05B3/02

    CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

    Abstract: 本发明公开了一种晶片固定器，其用于对通过管状件和/或支撑件支撑在反应室内的固定器陶瓷基座上的半导体晶片进行保持和加工，其中所述管状件和/或所述支撑件中的至少两个为其中一端连接到陶瓷基座，而另一端固定进反应室的固定管状件和/或固定支撑件，其中假设所述陶瓷基座达到的最高温度为T1，所述陶瓷基座的热膨胀系数为α1，所述反应室达到的最高温度为T2，所述反应室的热膨胀系数为α2，在常温下所述固定管状件和/或所述固定支撑件外侧之间的陶瓷基座上的最长间隔为L1，以及在常温下所述固定管状件和/或固定支撑件外侧之间的所述反应室上的最长间隔为L2，则晶片固定器满足关系式：|(T1×α1×L1)-(T2×α2×L2)|≤0.7mm。

    陶瓷加热器
    18.
    发明授权
    陶瓷加热器 失效

    公开(公告)号：CN1269384C

    公开(公告)日：2006-08-09

    申请号：CN01101673.6

    申请日：2001-01-15

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 夏原益宏 ,  仲田博彦 ,  长尾俊二

    IPC: H05B3/20 ,  H05K1/03 ,  C04B35/58

    CPC classification number: H05B3/141

    Abstract: 本发明公开了一种机械强度增加，抗热震性改善的陶瓷基体，将氮化铝，氮化硅，或碳化硅用作形成该陶瓷基体的主要成分，同时掺入合适的添加剂，以便控制其导热率以及使从加热元件到电极处的温度梯度变得松散，以向该陶瓷基体提供能够防止加热元件的电极和供给部件的连接件之间的接触件氧化的尺寸效应。在陶瓷基体表面上形成电极和加热元件的陶瓷加热器中，应满足A/B≥20的条件，假设A代表从加热元件(2)的电路和电极(3)之间的接触件到陶瓷基体(1a)紧靠电极(3)一端的距离，而B代表陶瓷基体(1a)的厚度，并且陶瓷基体(1a)的导热率被调整到30-80W/m.K。

    制造半导体或液晶的装置
    19.
    发明公开
    制造半导体或液晶的装置 无效

    公开(公告)号：CN1740386A

    公开(公告)日：2006-03-01

    申请号：CN200510089705.6

    申请日：2003-02-26

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

    IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

    CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68792

    Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置中，在反应室1内加给反应气体，陶瓷托架2具有嵌入其中的电阻加热元件7。陶瓷圆柱形支承部件3的一端支承陶瓷托架2，另一端被固定在反应室1的一部分上。惰性气体供送管4和惰性气体排气管5每一个都在圆柱形支承部件3内有开口。最好使圆柱形支承部件3内的惰性气体保持在小于0.1MPa(一个大气压)。采用这样的布置，无需加给抗氧化密封或抗腐蚀密封，即可以防止设在陶瓷托架后表面上的各电极的氧化和腐蚀。这种制造半导体或液晶的装置还保证陶瓷托架中热的均匀性，并压缩损失的能耗。此外，还能减小装置的尺寸，并降低制造成本。

    制造半导体或液晶的装置
    20.
    发明授权
    制造半导体或液晶的装置 失效

    公开(公告)号：CN1237203C

    公开(公告)日：2006-01-18

    申请号：CN03800603.0

    申请日：2003-02-26

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

    IPC: C23C16/458 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/285

    CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68792

    Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置中，在反应室1内加给反应气体，陶瓷托架2具有嵌入其中的电阻加热元件7。陶瓷圆柱形支承部件3的一端支承陶瓷托架2，另一端被固定在反应室1的一部分上。惰性气体供送管4和惰性气体排气管5每一个都在圆柱形支承部件3内有开口。最好使圆柱形支承部件3内的惰性气体保持在小于0.1Mpa(一个大气压)。采用这样的布置，无需加给抗氧化密封或抗腐蚀密封，即可以防止设在陶瓷托架后表面上的各电极的氧化和腐蚀。这种制造半导体或液晶的装置还保证陶瓷托架中热的均匀性，并压缩损失的能耗。此外，还能减小装置的尺寸，并降低制造成本。

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