公开(公告)号：CN102549781A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043799.2

申请日：2010-09-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  足立真宽 ,  德山慎司

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中，根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中，基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。

公开(公告)号：CN102414848A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018398.1

申请日：2010-11-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 德山慎司 ,  足立真宽 ,  京野孝史 ,  斋藤吉广

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供半导体元件，在相对c面倾斜的p型主面中具有良好的欧姆接触。p型半导体区域(13)的主面(13a)沿相对于该六方晶系III族氮化物的c轴( 轴)倾斜的平面延伸。金属层(15)设置于p型半导体区域(13)的主面(13a)上。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。六方晶系III族氮化物含有镓作为III族构成元素，因此由六方晶系III族氮化物构成的主面(13a)比六方晶系III族氮化物的c面更易被氧化。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。避免形成用作电极的金属层(15)后的合金化引起的氧化物增加。

公开(公告)号：CN101542760B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880000429.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供有源层(17)以使得发射具有440nm至550nm范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域(13)、有源层(17)和第二导电类型氮化镓半导体区域(15)沿着预定轴Ax的方向设置。有源层(17)包括由六方晶系的InxGa1-xN(0.16≤x≤0.4，x：应变组分)的阱层，铟组成x由应变组分表示。六方晶系的InxGa1-xN的m平面沿着预定轴Ax被定向。阱层的厚度在大于3nm且小于或等于20nm之间。使阱层的厚度超过3nm，能够制造具有发射波长超过440nm的发光器件。

公开(公告)号：CN102097747A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010621668.X

申请日：2009-02-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  善积祐介

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3407 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体激光器。该III族氮化物半导体激光器具有良好的光学限制特性，并且包括具有良好晶体质量的InGaN阱层。在第一光引导层(21)与第二光引导层(23)之间设置有源层(19)。有源层(19)可以包括阱层(27a)、(27b)和(27c)，并且还包括在所述阱层之间设置的至少一个第一势垒层(29a)。第一光引导层(21)和第二光引导层(23)分别包括比第一势垒层(29a)的带隙(E29)小的第一InGaN区21a和第二InGaN区23a，并且因此可以使得第一光引导层(21)和第二光引导层(23)的平均折射率(n引导)大于第一势垒层(29a)的折射率(n29)。因此，实现了良好的光学限制。第一势垒层(29a)的带隙(E29)大于第一InGaN区(21a)的带隙(E21)和第InGaN区(23a)的带隙(E23)。

公开(公告)号：CN101958509A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010231379.9

申请日：2010-07-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 住友隆道 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S2302/00

Abstract: 一种氮化镓类半导体激光二极管，能够使用半极性面形成500nm以上的光的激光振荡。活性层(29)设置成产生波长500nm以上的光，因此应限制在中心半导体区域(29)的光的波长为长波长，使用双层结构的第一导光层(27)和双层结构的第二导光层(31)。由AlGaN及InAlGaN的至少任意一种构成的包层(21)的材料不同于III族氮化物半导体，并且第一外延半导体区域(15)的厚度(D15)比中心半导体区域(19)的厚度(D19)厚，但第一～第三界面J1、J2、J3上的失配位错密度为1×106cm-1以下。III族氮化物半导体激光二极管中，能够避免c面作为滑移面作用时的晶格驰豫在界面J1、J2、J3的该半导体层中产生。

公开(公告)号：CN101911322A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101538.9

申请日：2009-08-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。

公开(公告)号：CN100580881C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200480000273.0

申请日：2004-02-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  上野昌纪

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供了一种制造方法，其易于生产包含具有出色平直度和结晶性的外延膜的氮化物-基半导体装置，并使得通过这种方法制造的氮化物-基半导体装置是可利用的。氮化物半导体装置在半导体衬底上形成，半导体衬底是一种包含第3B族元素及氮的化合物，此第3B族元素适合于与氮形成化合物，制造氮化物半导体装置的方法包括将半导体衬底(1)加热到膜-沉积温度、给衬底提供包含第3B族元素源气体和氮源气体的膜-沉积气体、及在半导体衬底上外延生长薄膜(2)的步骤，薄膜(2)是包含第3B族元素和氮的化合物；该方法在外延生长步骤之前还提供有将半导体衬底加热到预处理温度的步骤，以清洁半导体衬底表面，该预处理温度低于膜-沉积温度。

公开(公告)号：CN100505346C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200680000584.6

申请日：2006-04-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  平山秀树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明的氮化物半导体发光元件11产生包含紫外线区域的波长成分的光。该氮化物半导体发光元件11，具有包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层13(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层15(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)的发光区域17。该InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层13与该InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层15之间的能隙差Eg1为2.4×10-20J以上、4.8×10-20J以下。

公开(公告)号：CN100483627C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410062832.2

申请日：2004-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  高须贺英良 ,  中山雅博 ,  上野昌纪 ,  三浦广平 ,  京野孝史

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1-xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。

公开(公告)号：CN101330123A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810128693.7

申请日：2008-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  京野孝史 ,  善积祐介

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物系半导体发光元件(11)，其中，p型AlYGa1－YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19比p型AlXGa1－XN层(15)的p型掺杂剂浓度Np15大，因此，p型掺杂剂从p型AlYGa1－YN层(19)向p型AlXGa1－XN层(15)扩散，且到达p型AlXGa1－XN层(15)和活性层(17)的界面附近。p型AlXGa1－XN层(15)和活性层(17)的界面附近的p型AlXGa1－XN层(15)中，p型掺杂剂的浓度分布曲线PF1Mg变得陡峭。另外，p型AlZGa1－ZN层(21)的p型掺杂剂浓度与p型AlYGa1－YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19被独立地规定。