-
公开(公告)号：CN116994943A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311257435.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/06 , H01L29/18 , H01L29/786 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种基于碘蒸汽掺杂法的N型碲烯的制备方法，所述制备方法包括：提供二维碲烯；将二维碲烯放入一密闭腔体内，通过碘蒸气对二维碲烯进行掺杂，得到N型碲烯。其中，通过碘蒸气对二维碲烯进行掺杂包括：将固态碘加热至30℃~45℃使固态碘升华为碘蒸气持续4‑9小时。基于此，本发明实施例还提供了一种由上述制备方法制得的N型碲烯，一种基于碘蒸汽掺杂法的N型碲烯场效应晶体管及其制备方法。本发明使用碘蒸气进行掺杂，工艺简单可控、制备周期短、安全无污染。
-
公开(公告)号：CN115295676B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210990649.7
申请日：2022-08-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/18 , C23C16/06 , C23C16/30 , C23C16/52 , H01L31/0224 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种高光响应Te/MoS2异质结的光探测器及其制备方法，通过对二维Te和MoS2晶面的准确控制，形成了不同二维Te和MoS2的异质结堆叠方式，实验结果结合第一性原理的仿真计算分析，确定了形成I型和II型能带排列结构的Te/MoS2异质结的制备方法，由于I型能带排列结构的Te/MoS2异质结中光生电子和光生空穴在内建电场的作用下均向能带较窄的二维Te材料转移，使得光生电子‑空穴对的复合几率较II型能带排列结构高得多，降低了光生载流子的寿命，减小了光电流的大小，不利于光探测能力的提升，所以需要选择具有II型能带排列结构的Te/MoS2异质结来制备高光响应度的光探测器。
-
公开(公告)号：CN115295675A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210990580.8
申请日：2022-08-18
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明一种基于二维材料Te/MoS2异质结的光探测器的制备方法，包括以下步骤：采用机械剥离或化学气相沉积制作含有二维MoS2的衬底一；制备含有二维Te的衬底二；转移二维Te形成异质结；光探测器件制备；对制备出的光探测器件进行高压退火处理；在器件制备过程中通过减小Te/MoS2异质结中Te和MoS2的层间间距，将具有典型I型能带排列结构的Te/MoS2异质结向II型能带排列结构转变，显著提高了基于二维材料Te/MoS2异质结光探测器的光探测灵敏度。
-
公开(公告)号：CN114735661B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210670961.8
申请日：2022-06-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲纳米晶体制备二维超导PtTe2及其制备方法和应用,铂和碲的化学计量比为1:2,包括以下步骤：步骤S1：将晶体二维碲烯溶解于去离子水中配置浓度为0.05mol/L的二维碲烯溶液；步骤S2：将氯铂酸用去离子水稀释，得到浓度为0.10mol/L的氯铂酸溶液；步骤S3：将二维碲烯溶液与氯铂酸溶液按摩尔比为3:1‑7:1的比例混合，反应一段时间后得到含有二维超导PtTe2的溶液；步骤S4：将二维超导PtTe2的溶液用去离子水和离心机清洗后得到二维超导PtTe2晶体。本发明制备的碲化铂纳米片具有模板的相同的形貌，并且该纳米片颜色有所变化，在高分辨扫描电镜下表现出高结晶度和清晰的原子排列。
-
公开(公告)号：CN117012812B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202311284518.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/18 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/772 , H01L21/10
Abstract: 本发明公开了一种湿法和干法相结合刻蚀二维碲烯的方法，所述方法包括：提供单晶二维碲烯；将单晶二维碲烯放入次氯酸溶液中浸泡，洗涤、烘干备用，得到第一样品；洗涤第一样品，并将第一样品在Ar气氛围下进行刻蚀。本发明方法首先采用次氯酸溶液对其表面活化，再采用电感耦合等离子体机进行第二步刻蚀。本发明方法得到的原子级厚度二维碲烯表面平整，而且最终对碲烯没有产生结构破坏，该方法简单可控，为碲烯未来的性能提升以及工业化大规模的应用提供了一个新的技术手段。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117383520A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311257066.4
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: C01B19/02 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01L29/18 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲模板法的二维碲硒异质结的合成方法，所述合成方法包括：提供二维碲烯晶体；将二维碲烯晶体溶于水，得到第一溶液；将硒粉溶于水合肼，得到第二溶液；将第一溶液与第二溶液按摩尔比1:1混合，在180℃下反应8‑14小时，得到二维碲硒异质结。本发明利用了硒的原子结构和碲有相似的情况，利用水热法进行外延生长得到二维形貌的碲硒异质结。本发明方法具有低温低压、操作简单、成本低廉和便于工业化的特点。并且该二维碲硒异质结可以大大提高二维碲烯本身的光电探测性能。
-
公开(公告)号：CN116984623A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311250956.2
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于分段式水热法的二维铋纳米晶体合成方法，所述方法包括：将亚铋酸钠均匀分散到丙三醇溶液，得到浓度为0.025‑0.075 mol/L的第一溶液；将溴代十六烷基三甲胺和聚乙烯吡咯烷酮按照1:0.5‑1:3.5的摩尔比充分溶解在丙三醇溶液中形成第二溶液；将等体积的第一溶液与第二溶液充分混合，得到第三溶液；第一水热阶段：将第三溶液加热至30‑80℃，保温至少5小时；第二水热阶段：再将第三溶液加热至160‑200℃保温20个小时以上，冷却离心分离得到二维铋纳米晶体。
-
公开(公告)号：CN116546873B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310825015.0
申请日：2023-07-06
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本公开涉及复合式薄膜晶体管压力传感器及其制造方法。该方法包括：形成位于基底一侧的电极部，电极部包括电性分隔的第一电极和第二电极；形成沟道部，沟道部包括第一沟道区和第二沟道区，第一沟道区位于第一电极和第二电极之间，第二沟道区覆盖至少部分第一电极及至少部分第二电极；形成绝缘部，绝缘部覆盖沟道部；形成第一栅极部，第一栅极部位于绝缘部背向电极部的一侧；形成压电部，压电部位于第一栅极部背向电极部的一侧；以及形成第二栅极部，第二栅极部位于压电部背向电极部的一侧。该方法可以实现浮栅传感模式和应变传感模式在同一传感器的复合。
-
公开(公告)号：CN114932568B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210489662.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 之江实验室
Abstract: 一种柔性可动静态压力感知的电子皮肤，包括一次铺设于仿指纹刺激接收层、第一电极层、敏感材料层、第二电极层，其通过半球凸起层和电容传感机理感知外界施加的静态三维力，通过弧形条状阵列和压电传感机理感知外界施加的滑移动态力，本发明还提供了一种柔性可动静态压力感知的电子皮肤的制备方法，该电子皮肤可以覆盖再机器人手指端赋予其触觉感知能力，使机器人手指能感知到静态三维力和滑移动态力。
-
公开(公告)号：CN115295675B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210990580.8
申请日：2022-08-18
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明一种基于二维材料Te/MoS2异质结的光探测器的制备方法，包括以下步骤：采用机械剥离或化学气相沉积制作含有二维MoS2的衬底一；制备含有二维Te的衬底二；转移二维Te形成异质结；光探测器件制备；对制备出的光探测器件进行高压退火处理；在器件制备过程中通过减小Te/MoS2异质结中Te和MoS2的层间间距，将具有典型I型能带排列结构的Te/MoS2异质结向II型能带排列结构转变，显著提高了基于二维材料Te/MoS2异质结光探测器的光探测灵敏度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.029 seconds)
