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公开(公告)号：CN116994943B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202311257435.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/06 , H01L29/18 , H01L29/786 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种基于碘蒸汽掺杂法的N型碲烯的制备方法，所述制备方法包括：提供二维碲烯；将二维碲烯放入一密闭腔体内，通过碘蒸气对二维碲烯进行掺杂，得到N型碲烯。其中，通过碘蒸气对二维碲烯进行掺杂包括：将固态碘加热至30℃~45℃使固态碘升华为碘蒸气持续4‑9小时。基于此，本发明实施例还提供了一种由上述制备方法制得的N型碲烯，一种基于碘蒸汽掺杂法的N型碲烯场效应晶体管及其制备方法。本发明使用碘蒸气进行掺杂，工艺简单可控、制备周期短、安全无污染。
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公开(公告)号：CN117012812A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311284518.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/18 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/772 , H01L21/10
Abstract: 本发明公开了一种湿法和干法相结合刻蚀二维碲烯的方法，所述方法包括：提供单晶二维碲烯；将单晶二维碲烯放入次氯酸溶液中浸泡，洗涤、烘干备用，得到第一样品；洗涤第一样品，并将第一样品在Ar气氛围下进行刻蚀。本发明方法首先采用次氯酸溶液对其表面活化，再采用电感耦合等离子体机进行第二步刻蚀。本发明方法得到的原子级厚度二维碲烯表面平整，而且最终对碲烯没有产生结构破坏，该方法简单可控，为碲烯未来的性能提升以及工业化大规模的应用提供了一个新的技术手段。
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公开(公告)号：CN117012630A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311257516.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/12 , H01L21/06 , H01L29/786 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种基于双氧水氧化的场效应晶体管栅极电介质的制备方法，所述制备方法包括：提供二维碲烯；将二维碲烯置于硅/二氧化硅基底上，得到第一样品；在第一样品的两端制备源极和漏极，得到两端器件；在源极和漏极间生成场效应晶体管栅极电介质：清洗两端器件，并放入体积浓度大于等于3%的双氧水溶液中3‑4小时，烘干、冷却。本发明方法利用碲自身氧化的特征，在沟道层上面形成一直致密的氧化膜电介质层，该方法简单、易于重复，并且制备出的栅极对电流的控制能力较强，本发明为碲烯未来工业化大规模的应用提供了一个新的技术手段。
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公开(公告)号：CN116113312A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310084475.2
申请日：2023-01-13
Applicant: 之江实验室
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供一种半导体器件阵列及其制备方法和电子设备。该制备方法包括以下步骤：S1.在衬底表面形成第一电极阵列；S2.在衬底的一侧涂覆光刻胶，在光刻胶上形成通孔阵列，通孔阵列在衬底上的正投影与第一电极阵列在衬底上的正投影至少部分重合，衬底至少部分裸露于通孔阵列；S3.采用Langmuir‑Blodgett工艺形成二维材料层；S4.使用有机溶剂冲洗二维材料层远离衬底的一侧；S5.重复步骤S2～S4，直至通孔阵列远离衬底的一侧均覆盖有二维材料层，形成二维材料层阵列；S6.在衬底上依次形成绝缘层阵列和第二电极阵列。本申请结合LB工艺和二维材料的特性，扩充了二维材料在半导体器件中实现阵列化的构建方案。
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公开(公告)号：CN115144104A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210765210.4
申请日：2022-07-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于低维碲网络的电容式压力传感器及其制造方法，属于柔性压力传感器领域，包括从上到下依次设置的第一电极层、低维碲介电敏感层、第二电极层，第一电极层和第二电极层通过激光直写等微纳加工制备获得，低维碲介电敏感层通过制造二维碲纳米片和一维碲纳米线的混合粉末，并将此粉末和聚合物弹性体混合制备得到介电弹性薄膜，由于碲具有高介电常数和低导电性，这使得低维碲填充聚合物复合材料具有较高介电常数和较低的介电损耗。此外，一维和二维碲构成多结构混合网络，当外力施加在传感器表面时，除了介电敏感层的厚度变化，随着低维碲网络的变化，介电常数也随之变化，这显著增加了传感器的灵敏度景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114824070A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210370901.4
申请日：2022-04-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲烯掺杂铜二价阳离子的忆阻器及其制备方法，包括基底，所述基底上设有忆阻层，所述忆阻层为掺杂铜二价阳离子的二维碲烯；步骤S1：二维碲烯溶液；步骤S2：制备硝酸铜溶液；步骤S3：将所述硝酸铜溶液滴加到所述含有单晶二维碲烯的溶液形成混合溶液中；步骤S4：制备二维碲烯掺杂铜二价阳离子的基底；步骤S5：制备出一种基于二维碲烯掺杂铜二价阳离子的忆阻器。本发明利用小直径铜离子原位掺入二维单质碲烯晶格后，形成碲化物共价键和游离态阳离子的弛豫，过程所产生的游离态阳离子随着外电场的控制而形成导电通道，从而实现二维碲烯微纳忆阻晶体管更加稳定和均一的忆阻特征。
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公开(公告)号：CN116546873A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310825015.0
申请日：2023-07-06
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本公开涉及复合式薄膜晶体管压力传感器及其制造方法。该方法包括：形成位于基底一侧的电极部，电极部包括电性分隔的第一电极和第二电极；形成沟道部，沟道部包括第一沟道区和第二沟道区，第一沟道区位于第一电极和第二电极之间，第二沟道区覆盖至少部分第一电极及至少部分第二电极；形成绝缘部，绝缘部覆盖沟道部；形成第一栅极部，第一栅极部位于绝缘部背向电极部的一侧；形成压电部，压电部位于第一栅极部背向电极部的一侧；以及形成第二栅极部，第二栅极部位于压电部背向电极部的一侧。该方法可以实现浮栅传感模式和应变传感模式在同一传感器的复合。
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公开(公告)号：CN114932568A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210489662.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 之江实验室
Abstract: 一种柔性可动静态压力感知的电子皮肤，包括一次铺设于仿指纹刺激接收层、第一电极层、敏感材料层、第二电极层，其通过半球凸起层和电容传感机理感知外界施加的静态三维力，通过弧形条状阵列和压电传感机理感知外界施加的滑移动态力，本发明还提供了一种柔性可动静态压力感知的电子皮肤的制备方法，该电子皮肤可以覆盖再机器人手指端赋予其触觉感知能力，使机器人手指能感知到静态三维力和滑移动态力。
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公开(公告)号：CN114735661A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210670961.8
申请日：2022-06-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲纳米晶体制备二维超导PtTe2及其制备方法和应用,铂和碲的化学计量比为1:2,包括以下步骤：步骤S1：将晶体二维碲烯溶解于去离子水中配置浓度为0.05mol/L的二维碲烯溶液；步骤S2：将氯铂酸用去离子水稀释，得到浓度为0.10mol/L的氯铂酸溶液；步骤S3：将二维碲烯溶液与氯铂酸溶液按摩尔比为3:1‑7:1的比例混合，反应一段时间后得到含有二维超导PtTe2的溶液；步骤S4：将二维超导PtTe2的溶液用去离子水和离心机清洗后得到二维超导PtTe2晶体。本发明制备的碲化铂纳米片具有模板的相同的形貌，并且该纳米片颜色有所变化，在高分辨扫描电镜下表现出高结晶度和清晰的原子排列。
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公开(公告)号：CN116984623B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311250956.2
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于分段式水热法的二维铋纳米晶体合成方法，所述方法包括：将亚铋酸钠均匀分散到丙三醇溶液，得到浓度为0.025‑0.075 mol/L的第一溶液；将溴代十六烷基三甲胺和聚乙烯吡咯烷酮按照1:0.5‑1:3.5 的摩尔比充分溶解在丙三醇溶液中形成第二溶液；将等体积的第一溶液与第二溶液充分混合，得到第三溶液；第一水热阶段：将第三溶液加热至30‑80℃，保温至少5小时；第二水热阶段：再将第三溶液加热至160‑200℃保温20个小时以上，冷却离心分离得到二维铋纳米晶体。
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