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公开(公告)号：CN117012630B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311257516.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/12 , H01L21/06 , H01L29/786 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种基于双氧水氧化的场效应晶体管栅极电介质的制备方法，所述制备方法包括：提供二维碲烯；将二维碲烯置于硅/二氧化硅基底上，得到第一样品；在第一样品的两端制备源极和漏极，得到两端器件；在源极和漏极间生成场效应晶体管栅极电介质：清洗两端器件，并放入体积浓度大于等于3%的双氧水溶液中3‑4小时，烘干、冷却。本发明方法利用碲自身氧化的特征，在沟道层上面形成一直致密的氧化膜电介质层，该方法简单、易于重复，并且制备出的栅极对电流的控制能力较强，本发明为碲烯未来工业化大规模的应用提供了一个新的技术手段。
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公开(公告)号：CN115295676A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210990649.7
申请日：2022-08-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/18 , C23C16/06 , C23C16/30 , C23C16/52 , H01L31/0224 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种高光响应Te/MoS2异质结的光探测器及其制备方法，通过对二维Te和MoS2晶面的准确控制，形成了不同二维Te和MoS2的异质结堆叠方式，实验结果结合第一性原理的仿真计算分析，确定了形成I型和II型能带排列结构的Te/MoS2异质结的制备方法，由于I型能带排列结构的Te/MoS2异质结中光生电子和光生空穴在内建电场的作用下均向能带较窄的二维Te材料转移，使得光生电子‑空穴对的复合几率较II型能带排列结构高得多，降低了光生载流子的寿命，减小了光电流的大小，不利于光探测能力的提升，所以需要选择具有II型能带排列结构的Te/MoS2异质结来制备高光响应度的光探测器。
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公开(公告)号：CN114742808A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210436665.1
申请日：2022-04-25
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于LSTM模型的平场预测方法和装置，包括以下步骤：步骤S1：转化为灰度图；步骤S2：模拟得到新图像；步骤S3：利用KLL算法计算得到中心平场图像；步骤S4：利用KLL算法计算得到各边界补偿图像；步骤S5：得到平场数据；步骤S6：将所述平场预测算法数据库构建LSTM预测模型，加载所需预测模型的现有序列数据，得到训练进度图及最终的预测结果。本发明解决了平场很不容易进行在轨校正，对依赖像素间相关性的算法处理影响显著的难题，通过建立LSTM时序预测模型，定期对在轨太阳成像观测仪器进行平场定标，逐渐进行预测，探究其变化规律及趋势，为后续长期校准工作提供参考。
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公开(公告)号：CN114724956A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210343693.9
申请日：2022-03-31
IPC: H01L21/365 , H01L29/24 , H01L29/66 , H01L29/786 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种单层二硫化钼的化学气相沉积制备方法及其在薄膜晶体管中的应用；本发明以三氧化钼和硫单质作为反应物，在三氧化钼中加入氢氧化钠，生长得到了质量更好的单层MoS2，晶畴大于100μm，且不局限于一种或者几种衬底材料，在多种单晶和多晶衬底材料上均可稳定生长，本发明还将制备出的单层MoS2应用于薄膜场效应晶体管中，并对薄膜晶体管进行电学测试，获得转移特性曲线，计算出迁移率达121cm2V‑1s‑1，证明该方法制备出的单层MoS2符合半导体器件的应用需求。
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公开(公告)号：CN114121620B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111445763.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法，包括以下步骤：S1：合成二维碲烯，并转移到基底上，清洗得到含有二维碲烯的基底；S2：将所述含有二维碲烯的基底上旋涂光刻胶，旋涂后烘焙光刻胶，待烘焙完冷却后准备图案化电极图形，得到图形化后的二维碲烯基底；S3：配置氯化钯溶液；S4：将所述图形化后的二维碲烯基底浸渍于氯化钯溶液中，然后清洗，吹干，得到碲烯场效应晶体管半成品；S5：用磁控溅射的方法在碲烯场效应晶体管半成品上生长一层高功函的金属材料，最后用丙酮清洗，得到碲烯场效应晶体管。本发明降低电子跨越的势垒，起到减小接触电阻的效果，提高晶体管的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114121620A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111445763.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法，包括以下步骤：S1：合成二维碲烯，并转移到基底上，清洗得到含有二维碲烯的基底；S2：将所述含有二维碲烯的基底上旋涂光刻胶，旋涂后烘焙光刻胶，待烘焙完冷却后准备图案化电极图形，得到图形化后的二维碲烯基底；S3：配置氯化钯溶液；S4：将所述图形化后的二维碲烯基底浸渍于氯化钯溶液中，然后清洗，吹干，得到碲烯场效应晶体管半成品；S5：用磁控溅射的方法在碲烯场效应晶体管半成品上生长一层高功函的金属材料，最后用丙酮清洗，得到碲烯场效应晶体管。本发明降低电子跨越的势垒，起到减小接触电阻的效果，提高晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN116994943B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202311257435.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/06 , H01L29/18 , H01L29/786 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种基于碘蒸汽掺杂法的N型碲烯的制备方法，所述制备方法包括：提供二维碲烯；将二维碲烯放入一密闭腔体内，通过碘蒸气对二维碲烯进行掺杂，得到N型碲烯。其中，通过碘蒸气对二维碲烯进行掺杂包括：将固态碘加热至30℃~45℃使固态碘升华为碘蒸气持续4‑9小时。基于此，本发明实施例还提供了一种由上述制备方法制得的N型碲烯，一种基于碘蒸汽掺杂法的N型碲烯场效应晶体管及其制备方法。本发明使用碘蒸气进行掺杂，工艺简单可控、制备周期短、安全无污染。
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公开(公告)号：CN117012812A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311284518.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/18 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/772 , H01L21/10
Abstract: 本发明公开了一种湿法和干法相结合刻蚀二维碲烯的方法，所述方法包括：提供单晶二维碲烯；将单晶二维碲烯放入次氯酸溶液中浸泡，洗涤、烘干备用，得到第一样品；洗涤第一样品，并将第一样品在Ar气氛围下进行刻蚀。本发明方法首先采用次氯酸溶液对其表面活化，再采用电感耦合等离子体机进行第二步刻蚀。本发明方法得到的原子级厚度二维碲烯表面平整，而且最终对碲烯没有产生结构破坏，该方法简单可控，为碲烯未来的性能提升以及工业化大规模的应用提供了一个新的技术手段。
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公开(公告)号：CN117012630A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311257516.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/12 , H01L21/06 , H01L29/786 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种基于双氧水氧化的场效应晶体管栅极电介质的制备方法，所述制备方法包括：提供二维碲烯；将二维碲烯置于硅/二氧化硅基底上，得到第一样品；在第一样品的两端制备源极和漏极，得到两端器件；在源极和漏极间生成场效应晶体管栅极电介质：清洗两端器件，并放入体积浓度大于等于3%的双氧水溶液中3‑4小时，烘干、冷却。本发明方法利用碲自身氧化的特征，在沟道层上面形成一直致密的氧化膜电介质层，该方法简单、易于重复，并且制备出的栅极对电流的控制能力较强，本发明为碲烯未来工业化大规模的应用提供了一个新的技术手段。
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公开(公告)号：CN116113312A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310084475.2
申请日：2023-01-13
Applicant: 之江实验室
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供一种半导体器件阵列及其制备方法和电子设备。该制备方法包括以下步骤：S1.在衬底表面形成第一电极阵列；S2.在衬底的一侧涂覆光刻胶，在光刻胶上形成通孔阵列，通孔阵列在衬底上的正投影与第一电极阵列在衬底上的正投影至少部分重合，衬底至少部分裸露于通孔阵列；S3.采用Langmuir‑Blodgett工艺形成二维材料层；S4.使用有机溶剂冲洗二维材料层远离衬底的一侧；S5.重复步骤S2～S4，直至通孔阵列远离衬底的一侧均覆盖有二维材料层，形成二维材料层阵列；S6.在衬底上依次形成绝缘层阵列和第二电极阵列。本申请结合LB工艺和二维材料的特性，扩充了二维材料在半导体器件中实现阵列化的构建方案。
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