-
公开(公告)号：CN115986528A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211506133.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01S1/00
Abstract: 本发明提出一种调谐受激布里渊散射增益谱宽的装置及方法，所述装置包括：光纤卷绕模块，用于卷绕光纤，并对卷绕的光纤进行紧密排列；光纤卷绕控制模块，预设应力分布曲线，通过张力传感器测量光纤在缠绕过程中对所受的张力值的大小，测量得到的张力值与预设的应力分布曲线对应的应力值作差得到偏差量，将偏差量反馈至控制器以动态调节放线的张力，以对光纤施加纵向应变。与其他调谐SBS增益谱线宽的方式相比，本发明可以通过对光纤在不同的位置设置不同的应力曲线来达到调谐SBS增益谱宽的目的，可控变量多且易实现，为后续在微波光子学中应用和发展以及慢光技术研究中打下良好的基础。
-
公开(公告)号：CN115799098A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211430070.1
申请日：2022-11-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种芯片的校准方法、装置、存储介质及电子设备。该芯片的校准方法包括：在光交换芯片的各光开关中，确定信号从指定输入端口到达指定输出端口的最优开关路径，以及各目标光开关，根据各目标光开关对应的电压取值范围，确定针对每个目标光开关的初始电压值，控制光交换芯片在每个目标光开关处加载初始电压值，并确定每个目标光开关加载初始电压值后，光交换芯片通过指定输出端口输出的功率，以最大化功率为优化目标，调节加载在每个目标光开关处的电压值，并确定满足优化目标时，加载在每个目标光开关处的电压值，作为校准电压值，根据校准电压值，对光交换芯片进行校准。
-
公开(公告)号：CN117081664A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311051120.X
申请日：2023-08-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/079
Abstract: 本说明书公开了一种基于Benes网络的光开关单元的测试方法，在Benes网络的中间级光开关和下一级光开关之间设置各监测端口，选择待测试光开关单元并获取待测试光开关单元的状态，从而根据待测试光开关单元的状态确定待测试路径，根据待测试路径从各监测端口中确定对待测试光开关进行测试的目标监测端口，向待测试路径中位于首位的光开关单元输入第一测试信号，对待测试路径中的待测试光开关单元进行电压扫描，进而从目标监测端口接收第二测试信号，根据第二测试信号确定待测试光开关单元的测试结果。可见，通过上述方案，减少了手动测试光开关单元的工作量和错误率，极大地降低了大规模光开关单元测试的难度。
-
公开(公告)号：CN115799098B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202211430070.1
申请日：2022-11-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种芯片的校准方法、装置、存储介质及电子设备。该芯片的校准方法包括：在光交换芯片的各光开关中，确定信号从指定输入端口到达指定输出端口的最优开关路径，以及各目标光开关，根据各目标光开关对应的电压取值范围，确定针对每个目标光开关的初始电压值，控制光交换芯片在每个目标光开关处加载初始电压值，并确定每个目标光开关加载初始电压值后，光交换芯片通过指定输出端口输出的功率，以最大化功率为优化目标，调节加载在每个目标光开关处的电压值，并确定满足优化目标时，加载在每个目标光开关处的电压值，作为校准电压值，根据校准电压值，对光交换芯片进行校准。
-
公开(公告)号：CN116609897A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310893682.2
申请日：2023-07-20
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种大规模光交换芯片的混合封装结构及验证方法，该封装结构由芯片、转接板芯片和PCB构成；其芯片上有交替连接的植球焊盘和导线；转接板芯片上有交替连接的BGA、倒装焊接焊盘和引线键合焊盘及导线；转接板上的引线键合焊盘用来验证引线键合连通率；芯片和转接板之间通过倒装焊接工艺Flip Chip形成菊花链,并通过PCB上导线扇出以进行导通测试；其转接板和PCB通过BGA形成菊花链，并通过PCB上导线扇出以进行导通测试；该结构有2048个端口，通过线路和结构的设计，最大可以满足256×256规模光交换芯片封装的技术开发和验证，降低光交换芯片电学封装的成本，提高了芯片封装验证效率和设计开发周期。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116108796A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310223644.6
申请日：2023-03-02
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本说明书公开了一种晶圆基板版图生成方法、装置、设备及存储介质，可以通过将组成晶圆基板的各层结构划分为两个不同的模块，并且在生成第一适配模块和结构模块对应的版图时可以分别基于不同的光刻工艺进行生成，通过第一适配模块在结构模块和异质异构芯粒之间进行适配，通过结构模块实现对应的结构功能连接，以及通过第二适配模块在结构模块和辅助供电板之间进行适配，进而使得可以生成能够适配于各种异质异构芯粒的晶圆基板版图。
-
公开(公告)号：CN115914895A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211424613.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 之江实验室
IPC: H04Q11/00
Abstract: 本发明公开了一种低损耗实时监测无阻塞光交换网络及其构建方法，该光交换网络在Benes网络的内部嵌入一个光监测网络组成一种新的可实时监测的无阻塞光交换网络，其中，嵌入的光监测网络由热光开关组成，既可以实时监测整个光交换网络所有光开关单元的工作状态，同时也保证了较低的传输损耗。本发明省去了在光交换芯片中内置光功率监测点，仅需要4个监测端口就可以实现整个网络的实时监测，并且在光芯片封装完成后仍可以实时监测开关单元的状态，对于大规模关交换芯片的测试带来了极大地便利。
-
公开(公告)号：CN118466863B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410937903.6
申请日：2024-07-12
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F3/06
Abstract: 本说明书公开了一种数据存储方法、装置、存储介质及电子设备，根据待存储数据确定出用于存储待存储设备的若干个目标内存空间，确定若干目标内存空间包含的各单元存储位数量，而后按照确定出的数量对各单元存储位进行编号，从而根据待存储数据的数据量，组合各单元存储位对应的编号，针对待存储数据中的每个数据，确定该数据对应的编号组合以及该数据对应的编号，按照数据对应的编号存储该数据。通过对若干个目标内存空间包含的各单元存储位进行编号，并对编号进行组合，可根据得到的打乱序号的各编号组合中每个数据对应的编号将数据存储至该编号对应的单元存储位。更均匀地将数据存储至各目标内存空间中，提高了数据的存储以及读取效率。
-
公开(公告)号：CN118466863A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410937903.6
申请日：2024-07-12
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F3/06
Abstract: 本说明书公开了一种数据存储方法、装置、存储介质及电子设备，根据待存储数据确定出用于存储待存储设备的若干个目标内存空间，确定若干目标内存空间包含的各单元存储位数量，而后按照确定出的数量对各单元存储位进行编号，从而根据待存储数据的数据量，组合各单元存储位对应的编号，针对待存储数据中的每个数据，确定该数据对应的编号组合以及该数据对应的编号，按照数据对应的编号存储该数据。通过对若干个目标内存空间包含的各单元存储位进行编号，并对编号进行组合，可根据得到的打乱序号的各编号组合中每个数据对应的编号将数据存储至该编号对应的单元存储位。更均匀地将数据存储至各目标内存空间中，提高了数据的存储以及读取效率。
-
公开(公告)号：CN117895203B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410048495.9
申请日：2024-01-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体工艺的低寄生参数的serdes差分对结构及设备，该serdes差分对结构包括至少五层二氧化硅基板，第一层和最后一层二氧化硅基板设置有金属地层，中间层二氧化硅基板分别设置为serdes信号线层和介质层；serdes信号线层设置有serdes差分对，serdes差分对与上下层金属地层的网状部分构成带状线结构；介质层用于隔离金属地层和serdes信号线层。本发明通过在serdes差分对垂直上下地采用镂空加网状结构的组合方式，有效降低了serdes差分对在晶圆的走线过程中寄生而成的电感电容数值，从而优化serdes的回波损耗，同时也能进一步提高传输功率，使得信号传输更加安全。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.02 seconds)
