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公开(公告)号：CN116153858A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211523539.6
申请日：2022-12-01
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种多层交叉结构的硅转接板的制备方法，通过进行硅基表面分步制作大规模的金属走线及其凸点的布局；选择的介质层如二氧化硅层和氮化硅、光敏性聚酰亚胺胶、BCB胶等介质层，作为绝缘分布于不同层间的金属走线的的绝缘介质层；金属层布线及介质层的交替布局，可以布大量金属走线，分布布局更多凸点，形成多层交错互连，凸点处于同一水平面；本发明通过在硅片表面上制备出不同膜层的硅转接板，使硅片尽可能增大线宽间距，减小工艺难度，增大线条的排布面积，增大密集度，使的在后续键合工艺中能方便容易，极大的降低了转接板的制作难度，也提高了硅转接板的利用率。
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公开(公告)号：CN115412166A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211075554.9
申请日：2022-09-05
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/079
Abstract: 本发明公开了一种基于Benes网络的大规模开光单元自动测试方法和装置，包括以下步骤：S1、在Benes网络的中间级与下一级之间设置监测端口；S2、通过监测端口监测阵列中每一列的一个光开关：选定一个监测端口，以交叉状态或者直通状态选定光开关路径，通过静态工作点自动查找程序找到该监测端口能监测的每个光开关位置以及输入端口位置；S3、根据监测端口得到的光开关位置以及输入端口位置，上位机控制光收发模块和电驱动模块对光开关单元电压扫描，并记录被测光开关单元上的光功率变化；这种方式减少了手动对准光纤的重复劳动和不精细度，自动化遍历Benes网络中的每一个光开关单元，极大的降低了大规模光交换芯片光开关单元校准测试的难度。
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公开(公告)号：CN115986528A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211506133.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01S1/00
Abstract: 本发明提出一种调谐受激布里渊散射增益谱宽的装置及方法，所述装置包括：光纤卷绕模块，用于卷绕光纤，并对卷绕的光纤进行紧密排列；光纤卷绕控制模块，预设应力分布曲线，通过张力传感器测量光纤在缠绕过程中对所受的张力值的大小，测量得到的张力值与预设的应力分布曲线对应的应力值作差得到偏差量，将偏差量反馈至控制器以动态调节放线的张力，以对光纤施加纵向应变。与其他调谐SBS增益谱线宽的方式相比，本发明可以通过对光纤在不同的位置设置不同的应力曲线来达到调谐SBS增益谱宽的目的，可控变量多且易实现，为后续在微波光子学中应用和发展以及慢光技术研究中打下良好的基础。
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公开(公告)号：CN115639698A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211560510.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料硫化锑的C波段硅波导微环调制器，所述调制器包括微环结构，直波导结构和超材料结构，所述微环结构为环形波导，所述直波导结构位于所述微环结构外侧，所述超材料结构由相变材料硫化锑制备，位于所述微环结构上方，并与所述微环结构构成发挥调制作用的复合区，通过调整所述超材料结构的物理状态，激发硫化锑材料的相变，从而改变输入光在波导中的传输状态，实现信号的调制。本发明具有折射率调节范围更大，结构更紧凑的优点，同时仅需在调制状态切换时提供能量，极大地降低了系统的能耗，可应用于高速、低功耗的硅基光电子器件大规模集成，如超高速共封装光学等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118502037A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410652527.6
申请日：2024-05-24
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及光收发组件和通信装置，包括硅中介层、二维光芯片阵列、高速连接器、电芯片、低速连接器以及光纤阵列组件；硅中介层上设置有二维光学通孔阵列，光信号利用二维光学通孔阵列到达二维光芯片阵列或到达光纤阵列组件；二维光芯片阵列的光敏面或发光面对准硅中介层的二维光学通孔阵列；二维光芯片阵列、高速连接器、电芯片以及低速连接器均安装于硅中介层的一表面，并通过硅中介层的电学再布线层互相连接；光纤阵列组件安装于硅中介层的二维光芯片阵列所在的另一表面，硅中阶层的二维光学通孔阵列和其一侧的二维光芯片阵列增加了单个光收发组件的信号传输通道数量，提高了单个光收发组件和整个通信装置的信号传输速率。
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公开(公告)号：CN117250702B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311548061.7
申请日：2023-11-20
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种光电共封装模块及光电共封装方法。其中，光电共封装模块包括中介层、光子集成芯片、电子集成芯片及光纤阵列；中介层包括安装槽、重布线层和重布波导层；光子集成芯片安装于所述安装槽，所述光子集成芯片包括至少一个第一电连接部和至少一个第一光连接部，所述第一光连接部光耦合于所述重布波导层；光纤阵列耦合于所述重布波导层，以实现光学封装；电子集成芯片包括多个第二电连接部，部分所述第二电连接部用于电连接所述第一电连接部，又一部分所述第二电连接部用于电连接所述重布线层，以实现电路封装。本发明的光电共封装模块可以实现提高集成密度、提高互连带宽及降低能耗中的至少一种效果。
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公开(公告)号：CN116609897B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310893682.2
申请日：2023-07-20
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种大规模光交换芯片的混合封装结构及验证方法，该封装结构由芯片、转接板芯片和PCB构成；其芯片上有交替连接的植球焊盘和导线；转接板芯片上有交替连接的BGA、倒装焊接焊盘和引线键合焊盘及导线；转接板上的引线键合焊盘用来验证引线键合连通率；芯片和转接板之间通过倒装焊接工艺Flip Chip形成菊花链,并通过PCB上导线扇出以进行导通测试；其转接板和PCB通过BGA形成菊花链，并通过PCB上导线扇出以进行导通测试；该结构有2048个端口，通过线路和结构的设计，最大可以满足256×256规模光交换芯片封装的技术开发和验证，降低光交换芯片电学封装的成本，提高了芯片封装验证效率和设计开发周期。
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公开(公告)号：CN116165753B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310418377.8
申请日：2023-04-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种光芯片、芯片封装结构及封装性能检测方法，包括导电柱、基板以及设置于所述基板正面的光学端口，所述基板上开设有通孔，所述导电柱填充在所述通孔内，且所述导电柱的两个端部分别位于所述基板的正面和背面，所述导电柱在所述基板正面的端部为检测端口，所述导电柱在所述基板背面的端口为通讯端口。针对较大尺寸的光芯片，通讯端口可以和扇出板正对直接键合，实现光芯片和扇出板的电连接，而光学端口和检测端口则位于基板背离扇出板的一侧，由此也就使光学端口可以直接与基板上方的光纤阵列进行耦合，不会受到基板的阻挡，同时实现了光学端口和通讯端口的封装，由此也避免了在扇出板上进行开窗或者改变扇出板形状。
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公开(公告)号：CN117250702A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311548061.7
申请日：2023-11-20
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种光电共封装模块及光电共封装方法。其中，光电共封装模块包括中介层、光子集成芯片、电子集成芯片及光纤阵列；中介层包括安装槽、重布线层和重布波导层；光子集成芯片安装于所述安装槽，所述光子集成芯片包括至少一个第一电连接部和至少一个第一光连接部，所述第一光连接部光耦合于所述重布波导层；光纤阵列耦合于所述重布波导层，以实现光学封装；电子集成芯片包括多个第二电连接部，部分所述第二电连接部用于电连接所述第一电连接部，又一部分所述第二电连接部用于电连接所述重布线层，以实现电路封装。本发明的光电共封装模块可以实现提高集成密度、提高互连带宽及降低能耗中的至少一种效果。
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