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公开(公告)号：CN101312228B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810097739.3
申请日：2008-05-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/42 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件100及其形成方法，所述半导体发光元件100包括在蓝宝石衬底上依次层叠的缓冲层102、n-型GaN层103、发光层104和p-型层105，并且具有由ITO针状晶体制成的透光电极106。
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公开(公告)号：CN110323666B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910073137.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种发光装置，包括：激光二极管元件；波长转换构件，其吸收从激光二极管元件发射的光并且对光的波长进行转换；以及透明导电膜，其布置在波长转换构件的光提取侧表面和激光二极管元件侧表面中的至少之一上。透明导电膜被配置成使得：当波长转换构件损坏时，与波长转换构件交叠的区域中的电阻增加。
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公开(公告)号：CN110323666A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910073137.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种发光装置，包括：激光二极管元件；波长转换构件，其吸收从激光二极管元件发射的光并且对光的波长进行转换；以及透明导电膜，其布置在波长转换构件的光提取侧表面和激光二极管元件侧表面中的至少之一上。透明导电膜被配置成使得：当波长转换构件损坏时，与波长转换构件交叠的区域中的电阻增加。
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公开(公告)号：CN102386295B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110251962.0
申请日：2011-08-24
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括半导体叠层结构的发光元件，该半导体叠层结构包括氮化物半导体，并且通过层叠第一半导体层、发光层和第二半导体层而形成，第一半导体层为第一导电型，第二半导体层为不同于第一导电型的第二导电型，第一半导体层通过去除第二半导体层和发光层的一部分而暴露，凹部形成在第一半导体层的暴露部中，第一电极形成在凹部上并且与第一半导体层欧姆接触，而第二电极与第二半导体层欧姆接触并且围绕第一电极形成。
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公开(公告)号：CN103247734A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310052061.8
申请日：2013-02-17
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/36 , H01L24/06 , H01L33/38 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107
Abstract: 提供一种半导体发光器件，包括：第一导电型半导体层；发光层；第二导电型半导体层；第一极性的导电部分，其电气连接到第一导电型半导体层；以及第二极性的导电部分，其电气连接到第二导电型半导体层。第一极性的导电部分和第二极性的导电部分中的至少之一包括布置在发光表面上的多个分开的电极部分。分开的电极部分的位置越靠近发光表面的中心点，分开的电极部分被稀疏地设置，分开的电极部分的位置越远离发光表面的中心点，分开的电极部分被密集地设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101714599B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200910175610.4
申请日：2009-09-24
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/145 , H01L33/32
Abstract: 提供一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，该发光器件包括p型层和由ITO组成的透明电极，在该方法中同时形成透明电极上的p焊盘电极和n型层上的n电极。p焊盘电极和n电极由镍/金组成。将所产生的结构在570℃进行热处理从而能够在p焊盘电极和n电极中建立良好的接触。热处理还提供透明电极中紧挨p焊盘电极下方的区域，该区域与p型层之间的接触电阻高于透明电极中其它区域与p型层之间的接触电阻。因此，活性层处于所提供的区域下方的区域不发光，从而能够提高发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN102201515A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110080168.4
申请日：2011-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42
Abstract: 第一中间电极30是与在第一半导体层104的表面上的多个位置形成的多个电极形成分别连接的多个电极。第二中间电极40是与透明导电膜的多个位置分别连接的多个电极。第一电极60将多个第一中间电极连接在一起，而第二电极70将多个第二中间电极连接在一起。透明导电膜10在其中第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域A内形成为比其他区域内薄。
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公开(公告)号：CN101312228A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810097739.3
申请日：2008-05-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/42 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件100及其形成方法，所述半导体发光元件100包括在蓝宝石衬底上依次层叠的缓冲层102、n－型GaN层103、发光层104和p－型层105，并且具有由ITO针状晶体制成的透光电极106。
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公开(公告)号：CN115298834A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022782.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/812 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。棒状形状的前端部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj2)为棒状形状的除前端部分以外的部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj1)以上。
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公开(公告)号：CN110274165B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910085363.2
申请日：2019-01-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01S5/02325 , H01S5/40 , H01S5/026 , H01S5/06 , F21Y115/30
Abstract: 本发明提供了一种发光装置，该发光装置包括多个半导体激光元件和多个反射器，所述多个半导体激光元件包括第一半导体激光元件，所述多个反射器包括用于对从第一半导体激光元件发射的光进行反射的第一反射器，反射器中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射。从第一半导体激光元件发射的光穿过所述多个反射器中的除第一反射器之外的两个反射器之间的间隙并到达第一反射器。从所述多个半导体激光元件发射的光在与其朝向所述多个反射器的入射方向不同的方向上被提取。
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