一种航天器用数字定制集成电路后端版图设计评估方法

    公开(公告)号:CN104331546A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201410564718.3

    申请日:2014-10-22

    Abstract: 一种航天器用数字定制集成电路后端版图设计评估方法,其特征在于包括如下步骤:步骤1,需求分析;步骤2,方案制定;步骤3,评估实施;步骤3.1,版图设计评估;步骤3.2,物理验证评估;步骤3.3 时序分析评估;步骤3.4,形式验证评估;步骤3.5,功耗分析评估;步骤3.6,后仿真评估;步骤3.7,后端版图设计交付项评估;步骤3.8,评估结论;步骤4,信息管理和文件归档,按Q/W–Q-60-2013的规定对定制集成电路后端版图设计评估信息进行管理,应对定制集成电路后端版图设计评估过程的文件进行归档。

    一种CAN总线控制器协议位错误检测方法和装置

    公开(公告)号:CN119788565A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411740799.8

    申请日:2024-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种CAN总线控制器协议位错误检测方法和装置,基于集成电路自动测试设备ATE模拟CAN总线网络,通过设计仿真系统,模拟驱动待测CAN总线控制器的正常功能逻辑,并模拟位错误逻辑,再利用ATE,高效实现了对待测CAN总线控制器的正常功能验证和位错误检测。有效解决了CAN总线因电磁干扰、布线不当或其他等原因导致发生位翻转现象时,CAN总线控制器能否对位错误进行有效识别和处理的技术问题,从而防止因错误处理不及时导致整个总线系统发生异常或瘫痪的情形。

    一种热超声金丝键合工艺FMEA过程质量分析和控制方法

    公开(公告)号:CN117855068A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311696366.2

    申请日:2023-12-11

    Abstract: 本发明提供了一种热超声金丝键合工艺FMEA过程质量分析和控制方法,包括:根据宇航用器件热超声金丝键合工艺的工艺流程,对键合工艺各工序的功能进行分析;结合键合工艺各工序功能,对宇航用器件热超声金丝键合工艺各工序进行潜在失效模式分析,确定引线键合工艺中的潜在失效模式;对各潜在失效模式进行失效原因和机理分析,得到第一分析结果;对各潜在失效模式进行失效影响和风险分析,得到第二分析结果;根据第一分析结果和第二分析结果,输出FMEA分析结果;根据FMEA分析结果进行关键工艺要素识别和薄弱环节确定,得到工艺要素相应控制等级和关键工艺要素;根据工艺要素控制等级,形成工艺质量控制方法和要求,为产品引线键合过程控制与管理提供依据。

    一种宇航元器件的选型优化方法及装置

    公开(公告)号:CN112396348A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202011412638.8

    申请日:2020-12-03

    Abstract: 本发明公开了一种宇航元器件的选型优化方法及装置。包括:根据宇航元器件的指标参数,构建选型评价指标集;对选型评价指标集进行转化处理,生成选型决策信息矩阵;根据选型决策信息矩阵,逐项计算各选型决策指标的信息熵值和指标权重;根据信息熵值和指标权重确定选型综合评价分值;在选型综合评价分值不满足选型要求的情况下,根据选型综合评价分值确定宇航元器件在综合评价过程中的薄弱环节,对薄弱环节进行改进,将改进的薄弱环节重新代入选型决策信息矩阵进行计算,直至综合评价得分满足选型要求,得到选型优化结果。本发明通过为元器件薄弱环节的快速定位和改进提升、为航天型号用宇航元器件的选型优化工作提供了完整的、量化的方法支撑。

    用于半导体器件的热阻测试方法

    公开(公告)号:CN103792476B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410022216.8

    申请日:2014-01-17

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的热阻测试方法,包括如下步骤:1)根据半导体器件的结构,确定主要导热通道,在主要导热通道的外壳表面设置良好接触的恒温平面;2)给半导体器件加载一定的功率,待所述半导体器件达到热平衡以后,切换为向半导体器件加载测量功率,通过实时测量半导体器件的温敏参数得到测量半导体器件的结温,进而得到半导体器件的瞬态热响应曲线;3)根据所述瞬态热响应曲线确定半导体器件结到壳的热阻。本发明通过半导体器件的衬底的P区和N区加载加热功率,利用半导体器件中已有的PN结组件测量结温,因此对于不具有温敏二极管的集成电路产品和非功率型的集成电路产品,也可以准确测量其瞬态热阻。

    一种用于宇航用叠层封装器件的破坏性物理分析方法

    公开(公告)号:CN103063855B

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201210579903.0

    申请日:2012-12-28

    Abstract: 一种用于宇航用叠层封装器件的破坏性物理分析方法,包含如下步骤:步骤1,对叠层封装器件的钽屏蔽外壳进行检查,如果叠层封装器件不具有钽屏蔽外壳,进入步骤2;如果叠层封装器件具有钽屏蔽外壳,则对钽屏蔽外壳进行检查;步骤2,对封装在叠层封装器件最外层的具有实现电学连接功能的金导带进行外观检查;步骤3,对叠层封装器件进行X光检查;步骤4,对叠层封装器件的可焊性和耐焊接热检查;步骤5,步骤4抽样剩下的叠层封装器件中,取不少于50%的叠层封装器件进行逐层去除法检查,检查叠层封装器件的内部基片;步骤6,对未进行步骤5检查的叠层封装器件进行剖面检查;步骤7,对叠层封装器进行材料分析。

    一种电子元器件参数测试装置

    公开(公告)号:CN103149468A

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201210581917.6

    申请日:2012-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种电子元器件参数测试装置及方法,所述测试装置包括中央处理器,控制单元,电平转换单元,电压、电流检测单元,存储单元和人机交互单元,中央处理器分别与人机交互单元和控制单元连接;控制单元分别与存储单元、电压、电流检测单元和电平转换单元连接;电平转换单元分别与控制单元和被测芯片连接;电压、电流检测单元分别与控制单元和被测芯片连接。本发明的测试装置便携小巧;大大缩短了测试编程的过程;还能分别对每一路进行电路、电压的控制和检测,测试精度满足用户使用要求。

    一种用于宇航用叠层封装器件的破坏性物理分析方法

    公开(公告)号:CN103063855A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201210579903.0

    申请日:2012-12-28

    Abstract: 一种用于宇航用叠层封装器件的破坏性物理分析方法,包含如下步骤:步骤1,对叠层封装器件的钽屏蔽外壳进行检查,如果叠层封装器件不具有钽屏蔽外壳,进入步骤2;如果叠层封装器件具有钽屏蔽外壳,则对钽屏蔽外壳进行检查;步骤2,对封装在叠层封装器件最外层的具有实现电学连接功能的金导带进行外观检查;步骤3,对叠层封装器件进行X光检查;步骤4,对叠层封装器件的可焊性和耐焊接热检查;步骤5,步骤4抽样剩下的叠层封装器件中,取不少于50%的叠层封装器件进行逐层去除法检查,检查叠层封装器件的内部基片;步骤6,对未进行步骤5检查的叠层封装器件进行剖面检查;步骤7,对叠层封装器进行材料分析。

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