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公开(公告)号：CN116124569A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310124699.1
申请日：2023-02-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种实现被检测分子快速富集的SERS检测结构及其制备方法，涉及分子检测技术领域。实现被检测分子快速富集的SERS检测结构，包括相互连接的超疏水SERS单元和加热电阻单元；所述加热电阻单元，用于对所述超疏水SERS单元进行加热，以进行被检测分子的快速富集，本申请中的SERS检测结构在将被检测分子滴加到所述超疏水SERS单元表面时，可以使得被检测分子在超疏水SERS单元表面呈液滴分布，溶剂蒸发后可实现被检测分子的富集，提高检测均一性以及提高检测极限，结合加热电阻单元的加热效果，可加快液滴蒸发速度，实现被检测分子的快速富集，避免由于液滴蒸发时间过长而导致的检测效率低的问题；另外其检测结构制备简单，无需依赖复杂制备步骤，降低了成本。
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公开(公告)号：CN114400280A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111627590.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种悬浮吸收层热电堆器件及其制作方法。本发明的第一方面提供了一种悬浮吸收层热电堆器件的制作方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和背面；在半导体衬底的正面由下至上依次形成支撑层、第一层热偶、第一绝缘层、第二层热偶、第二绝缘层；然后制作接触孔，填充接触孔以形成引线层；之后形成牺牲层，牺牲层覆盖第二绝缘层的部分表面，并且使引线层裸露；在牺牲层表面以及裸露的引线层和第二绝缘层表面覆盖吸光层，进行图形化；释放部分牺牲层使吸光层悬浮，以及对半导体衬底背面进行刻蚀形成背腔。本发明解决了现有技术中悬浮热电堆器件不易加工以及加工后结构机械稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN114335317A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111423432.X
申请日：2021-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种热电堆及其制备方法、热电堆红外探测器，涉及红外探测器技术领域，用于提供一种灵敏度高热电堆的技术方案。热电堆的制备方法包括：提供SOI衬底；对SOI衬底中的顶层硅进行第一图形化处理，得到第一热电偶层；在第一热电偶层上依次形成第一绝缘层和第二热电偶材料层；对第二热电偶材料层进行第二图形化处理，得到第二热电偶层；在第二热电偶层上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成连通至第二热电偶层的顶部的多个第一接触孔，以及形成连通至第一热电偶层的顶部的多个第二接触孔；在多个第一接触孔中、多个第二接触孔中以及第二绝缘层上形成金属电极结构；在金属电极层上形成光吸收层；在SOI衬底中的背衬底上形成背腔，得到热电堆。
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公开(公告)号：CN114199934A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111509666.6
申请日：2021-12-10
Applicant: 佛山市川东磁电股份有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明涉及一种适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法。其包括衬底以及塞贝克系数待测单元体，还包括测温单元体以及设置于衬底背面的背腔；测量时，利用测试热源对所述测温单元体以及塞贝克系数待测单元体同时进行所需的热激发，通过测温单元体测量得到表征塞贝克系数待测单元体热激发前后的测试温度差ΔT，测量所述塞贝克系数待测单元体在相应热激发状态下的输出电压V，则能确定所述塞贝克系数待测单元体的塞贝克系数。本发明能有效实现塞贝克系数的测量，测量效率高，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN114018991A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111095878.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种湿度传感器及其制备方法。一种湿度传感器，包括：半导体衬底；半导体衬底表面形成有介电层；介电层上表面设有金属电容器结构；金属电容器结构上方覆盖有堆叠的多层湿敏层，其中至少一层湿敏层为金属氧化物，至少一层湿敏层为聚酰亚胺；金属电容器结构引出有电极。通过设置多层材料不同的湿敏层提升湿度灵敏度，解决了现有传感器灵敏度低的问题，同时采用的湿敏层材料都为CMOS器件常用材料，因此，制备工艺可以与CMOS工艺很好地兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109847815B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201811480673.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B01L3/00 , B01F33/301 , B01F33/81 , B01F35/83 , B01F23/45 , B01F101/23
Abstract: 一种可扩展倍比稀释微流控芯片，由盖片与基底组成，上层为加工有方波形微流道网络结构的盖片，下层为平板基底，上层盖片与下层基底通过键合形成封闭的微流道网络；微流道两端的两个进样口、N个出样口与外界的软质导管相连，N是≥1的整数，N个出口代表对待稀释液体样品所进行稀释的级数；恒定正压下通过微注射泵将微注射器中的待稀释试剂样品与稀释剂加入进样口，出样口处的软质导管与倍比稀释后样品的收集装置相连构成微流控芯片；进样口有过滤槽，过滤槽内设有一排有一定间距的相同矩形阻挡块；每一级稀释模块都由混合流道与连接流道构成，混合流道与连接流道长度固定；每一级稀释区域的方波形混合流道内拐角处设置交错排列的矩形挡板。
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公开(公告)号：CN111964794A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010874173.1
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01J5/12
Abstract: 一种高吸收纳米结构热电堆及其制作方法，热电堆包括：红外吸收层；其中红外吸收层包括若干个具有内凹结构的纳米柱。本发明采用与CMOS兼容的材料作为红外吸收层，通过对红外吸收层进行结构改进，在红外吸收层刻蚀形成具有内凹结构的纳米柱，来增强红外吸收层的限光效应，提高光吸收，从而制作出高红外吸收的热电堆器件。
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公开(公告)号：CN107799392A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710871041.1
申请日：2017-09-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L21/02532 , B81B7/02 , B81C1/00349 , B82Y30/00 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/02598
Abstract: 本公开提供了一种黑硅制备工艺，包括：在一衬底上形成聚合物层；去除聚合物层，并利用去除聚合物层过程中的产物在聚合物层的初始位置上形成纳米森林结构；以及在纳米森林结构上沉积硅薄膜材料层，完成黑硅制备。本公开还提供了一种采用上述黑硅制备工艺制备的黑硅及上述基于黑硅的MEMS器件制备方法。本公开黑硅、制备工艺及基于黑硅的MEMS器件制备方法，通过采用工艺成本低、普及度和适应度广泛的黑硅制备工艺制备出光吸收能力更高的黑硅，且采用上述基于黑硅的MEMS器件制备方法避免了黑硅在MEMS器件的释放过程中受到腐蚀破坏。
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公开(公告)号：CN106276773A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610797210.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种悬浮结构的MEMS红外光源及其制备方法。所述悬浮结构的MEMS红外光源包括薄膜悬浮结构及所述悬浮结构上的红外光源结构；所述薄膜悬浮结构为图形化的支撑层，所述支撑层为沉积在承载衬底上的凹弧状的四梁固支结构；所述红外光源结构包括：加热层、隔离层、图形化金属电极以及辐射层；所述加热层沉积在所述支撑层上面，所述图形化金属电极沉积在所述支撑层上面并且与所述加热层侧面相连；所述隔离层制备在所述加热层上面；所述辐射层制备在所述隔离层上表面；所述辐射层、隔离层、加热层和支撑层均悬浮在背部空腔的承载衬底上形成所述薄膜悬浮结构。本发明可以大幅减少热传导通路，降低热质量，提高红外光源的性能。
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公开(公告)号：CN118392319A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410198966.4
申请日：2024-02-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01J5/12
Abstract: 本公开提供了一种热电堆智能温度传感系统，包括：探测器、处理器以及执行器；其中，所述探测器被配置为通过冷端探测环境温度，通过热端探测待测目标的温度，并根据所述冷端和所述热端之间的温差输出第一热电动势；所述处理器被配置为根据所述第一热电动势，向所述执行器发送调控指令；所述执行器被配置为根据所述调控指令，对所述探测器的冷端所探测的环境温度进行调节。本公开通过在传感器中集成执行器以实现对探测器的冷端所探测到的环境温度的调节，提升第一探测器和第二探测器所探测的温度之间的差值，使探测器输出远大于噪声，便于处理器基于预先标定的方式得到待测目标的准确温度，实现精准测量。
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