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公开(公告)号：CN106276773B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610797210.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种悬浮结构的MEMS红外光源及其制备方法。所述悬浮结构的MEMS红外光源包括薄膜悬浮结构及所述悬浮结构上的红外光源结构；所述薄膜悬浮结构为图形化的支撑层，所述支撑层为沉积在承载衬底上的凹弧状的四梁固支结构；所述红外光源结构包括：加热层、隔离层、图形化金属电极以及辐射层；所述加热层沉积在所述支撑层上面，所述图形化金属电极沉积在所述支撑层上面并且与所述加热层侧面相连；所述隔离层制备在所述加热层上面；所述辐射层制备在所述隔离层上表面；所述辐射层、隔离层、加热层和支撑层均悬浮在背部空腔的承载衬底上形成所述薄膜悬浮结构。本发明可以大幅减少热传导通路，降低热质量，提高红外光源的性能。
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公开(公告)号：CN102757011B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110104209.9
申请日：2011-04-25
Applicant: 中北大学 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种微机械热电堆红外探测器及其制作方法，在衬底表面形成具有自停止腐蚀作用的封闭凹槽；淀积形成介质支撑膜；淀积多晶硅，然后通过2次离子注入加光刻腐蚀分别形成P型和N型多晶硅热偶条，两热偶条之间淀积隔离层；光刻腐蚀隔离层，将热电堆之间的区域暴露出介质支撑膜形成吸收区；溅射一层金属形成金属连接；在吸收区表面淀积一层多晶硅或非晶硅层，然后经过Cl2、HBr干法不完全刻蚀形成表面为锥状森林结构的吸收层；光刻出腐蚀孔，通入XeF2气体进行干法刻蚀释放正面结构。本发明使用多晶硅作为吸收层材料，提高了传统SiNx吸收层的吸收率，且工艺简便。使用P/N型多晶硅作为热电偶，避免金属热偶与CMOS兼容性差的问题，有效提高了热电堆的塞贝克系数。
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公开(公告)号：CN106276773A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610797210.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种悬浮结构的MEMS红外光源及其制备方法。所述悬浮结构的MEMS红外光源包括薄膜悬浮结构及所述悬浮结构上的红外光源结构；所述薄膜悬浮结构为图形化的支撑层，所述支撑层为沉积在承载衬底上的凹弧状的四梁固支结构；所述红外光源结构包括：加热层、隔离层、图形化金属电极以及辐射层；所述加热层沉积在所述支撑层上面，所述图形化金属电极沉积在所述支撑层上面并且与所述加热层侧面相连；所述隔离层制备在所述加热层上面；所述辐射层制备在所述隔离层上表面；所述辐射层、隔离层、加热层和支撑层均悬浮在背部空腔的承载衬底上形成所述薄膜悬浮结构。本发明可以大幅减少热传导通路，降低热质量，提高红外光源的性能。
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公开(公告)号：CN206014405U
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201621032847.9
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本实用新型公开一种悬浮结构的MEMS红外光源。所述悬浮结构的MEMS红外光源包括薄膜悬浮结构及所述悬浮结构上的红外光源结构；所述薄膜悬浮结构为图形化的支撑层，所述支撑层为沉积在承载衬底上的凹弧状的四梁固支结构；所述红外光源结构包括：加热层、隔离层、图形化金属电极以及辐射层；所述加热层沉积在所述支撑层上面，所述图形化金属电极沉积在所述支撑层上面并且与所述加热层侧面相连；所述隔离层制备在所述加热层上面；所述辐射层制备在所述隔离层上表面；所述辐射层、隔离层、加热层和支撑层均悬浮在背部空腔的承载衬底上形成所述薄膜悬浮结构。本实用新型可以大幅减少热传导通路，降低热质量，提高红外光源的性能。
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