公开(公告)号：CN114400280A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202111627590.7

申请日：2021-12-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 周娜 ,  毛海央 ,  李宏博 ,  李俊杰 ,  高建峰 ,  杨涛 ,  李俊峰

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/32 ,  G01J5/34

Abstract: 本发明涉及一种悬浮吸收层热电堆器件及其制作方法。本发明的第一方面提供了一种悬浮吸收层热电堆器件的制作方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和背面；在半导体衬底的正面由下至上依次形成支撑层、第一层热偶、第一绝缘层、第二层热偶、第二绝缘层；然后制作接触孔，填充接触孔以形成引线层；之后形成牺牲层，牺牲层覆盖第二绝缘层的部分表面，并且使引线层裸露；在牺牲层表面以及裸露的引线层和第二绝缘层表面覆盖吸光层，进行图形化；释放部分牺牲层使吸光层悬浮，以及对半导体衬底背面进行刻蚀形成背腔。本发明解决了现有技术中悬浮热电堆器件不易加工以及加工后结构机械稳定性差的问题。