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公开(公告)号：CN113772620A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010525014.0
申请日：2020-06-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请公开了一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法，通过制备图案化硅柱以及镀铜膜的硅片；对所述图案化硅柱侧壁化学修饰，使所述图案化硅柱达到侧壁疏水顶端亲水状态；退浸润过程发生，毛细液桥自组织装使图案化微纳阵列结构生长在铜膜上；利用化学反应去除所述铜膜，将图案转移到柔性衬底上，获得图案化有机半导体。利用毛细液桥制备的图案化阵列高质量且长程有序，并且这种转移方法操作简单，在柔性衬底上具有优异的拉伸形变，为可穿戴领域的发展提供了新的应用前景。
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公开(公告)号：CN113699506A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010432624.6
申请日：2020-05-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/52
摘要： 本申请公开了一种碘化亚铜薄膜的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得碘化亚铜薄膜；沉积完所述碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
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公开(公告)号：CN112899655A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911137333.8
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/46
摘要： 本发明公开了一种薄膜材料结晶的装置和方法，通过腔室；第一管路，所述第一管路与所述腔室的一端连通，且所述第一管路通入第一前驱体进入所述腔室；第二管路，所述第二管路与所述腔室的一端连通，且所述第二管路通入第二前驱体进入所述腔室；马弗炉，所述马弗炉采用包裹管式腔体，且所述马弗炉包裹在所述腔室的外侧；抽真空管路，所述抽真空管路的一端与所述腔室的另一端连通。解决现有技术中原子层沉积设备腔室为金属且腔体较大，对于腔室的升温和降温速度非常缓慢，不适宜活性较低的原子层沉积前驱体的技术问题，达到了维持衬底温度的恒定，保持腔室温度的均匀，实现了拓宽原子层沉积前驱体的选择，提高所沉积薄膜的结晶性的技术效果。
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公开(公告)号：CN113804646B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202010540000.6
申请日：2020-06-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N21/359 , G01J3/447 , G01J3/02
摘要： 一种近红外傅里叶变换偏振光谱仪，包括：激光干涉子系统及其探测单元、白光干涉子系统及其探测单元；所述激光干涉子系统及其探测单元包括激光器、分束器、动镜、探测器和传感器；所述白光干涉子系统及其探测单元包括光源、滤波片、斩波器、光阑、偏振器、补偿器、曲面反射镜、聚焦组件和锁相放大器。本发明使用偏振器，进行各向异性特征样品的红外光谱测量。在光路中加入精密针孔，限制光斑尺寸，滤去杂散光，探测光再经聚焦于探测器时可获得高对比度干涉图。
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公开(公告)号：CN113699506B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010432624.6
申请日：2020-05-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/52
摘要： 本申请公开了一种碘化亚铜薄膜的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得碘化亚铜薄膜；沉积完所述碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
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公开(公告)号：CN113699505A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010431946.9
申请日：2020-05-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，往所述反应腔室内通入所述铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入掺杂源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述杂质源包括氯源、溴源中的一种；沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
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公开(公告)号：CN113620236A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010375402.5
申请日：2020-05-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种有机半导体材料的阵列制备方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱的表面进行化学修饰，使所述硅柱的表面达到超疏水状态；在真空条件下对有机半导体材料进行热蒸发，使所述有机半导体材料的有机分子在处于超疏水状态的所述硅柱顶部表面结晶，在所述硅柱顶部表面形成预设厚度的有机半导体材料样品；将所述硅片的形成所述有机半导体材料样品转移到所述基底上，在所述基底上获得具有所述预设阵列形式的有机半导体材料阵列。一方面，由于采用热蒸镀的方法，因此，特别适用于难以液相微纳加工的有机半导体材料；另一方面，采用超疏水处理的硅柱表面结晶并平行转移的方式，保证阵列的微纳加工质量。
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公开(公告)号：CN113452335A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010224337.6
申请日：2020-03-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H03H3/007
摘要： 本公开提供了一种石英晶体谐振器的加工方法，包括：S1，在石英晶片的第一表面和第二表面依次沉积多层金属并在最外侧表面涂覆光刻胶，其中，第一表面和第二表面为石英晶片上相对的两表面；S2，对步骤S1得到的第一表面和第二表面进行光刻，以形成第一表面电极和第二表面电极的光刻胶图形；S3，刻蚀第一表面和第二表面的金属层，生成第一表面电极和第二表面电极；S4，激光切割步骤S3得到的结构，以得到至少一个初级石英晶体谐振器；S5，蒸镀初级石英晶体谐振器的其他两表面，以生成石英晶体谐振器的侧壁电极。解决了湿法刻蚀加工石英晶片所带来的横向刻蚀、侧壁垂直度及粗糙度较差等问题，提高了加工精度、降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN112824561A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN201911138128.3
申请日：2019-11-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种用于原子层沉积的样品台和方法，通过本体；第一硅片，所述第一硅片为第一尺寸的圆形硅片，且所述第一硅片设置在所述本体的上表面；第二硅片，所述第二硅片设置在所述第一硅片的下方，且所述第二硅片为第二尺寸的圆形硅片；第三硅片，所述第三硅片设置所述第二硅片的下方，且所述第三硅片为第三尺寸的矩形硅片，其中，所述第三硅片与所述第一硅片、所述第二硅片属于嵌套结构，在所述第三硅片的四周分别具有一矩形孔；限位条，所述限位条穿过所述本体与所述矩形孔相匹配，进而达到了样品台适用于多种尺寸的样品，对不同尺寸的样品起到良好的限位和固定作用，样品能够随设备升降及旋转，实现设备的原位监测功能的技术效果。
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公开(公告)号：CN112558205A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910921077.5
申请日：2019-09-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明实施例提供的一种菲涅耳波带片的中心结构的制作方法及波带片，所述方法包括：剥除原料光纤外表的涂覆层，获得预备光纤；对所述预备光纤进行拉伸，使所述预备光纤上剥除所述涂覆层的部分的直径达到目标直径范围，获得拉锥结构；基于所述拉锥结构的直径均匀度，在所述拉锥结构上确定至少两个切割位置，对所述切割位置进行切割获得用于制备菲涅耳波带片的中心结构。本发明通过采用原料光纤进行拉伸制备，并在拉伸获得的拉锥结构上基于直径均匀度切割获得中心结构，由此所获得的中心结构表面圆度好、直径均匀、尺寸可控，避免了采用拉模、液体灌注的制作方式容易出现模具内表面磨损、中心结构的尺寸难以控制的问题。
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