本申请公开了一种碘化亚铜薄膜的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得碘化亚铜薄膜；沉积完所述碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。