发明公开
- 专利标题: 一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法
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申请号: CN202010431946.9申请日: 2020-05-20
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公开(公告)号: CN113699505A公开(公告)日: 2021-11-26
- 发明人: 明帅强 , 赵丽莉 , 李楠 , 何萌 , 卢维尔 , 夏洋 , 高雅增 , 文庆涛 , 李培源 , 冷兴龙 , 刘涛 , 屈芙蓉
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 房德权
- 主分类号: C23C16/30
- IPC分类号: C23C16/30 ; C23C16/455 ; C23C16/52
摘要:
本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法,包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底,将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理,其中,加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源;所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种;待所述加热对象稳定在特定温度时,往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s,吹扫1‑180s,通入碘源0.001‑5s,吹扫1‑180s,往所述反应腔室内通入所述铜源0.001‑5s,吹扫1‑180s,通入掺杂源0.001‑5s,吹扫1‑180s,在反应腔室中进行原子层沉积,获得掺杂的碘化亚铜薄膜,其中,所述杂质源包括氯源、溴源中的一种;沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后,让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出;得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
公开/授权文献
- CN113699505B 一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法 公开/授权日:2022-08-30
IPC分类: