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公开(公告)号：CN111926379A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010621667.9
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热屏障装置及熔炼炉，其中，热屏障机构包括屏底和屏壁，屏底中心设有通孔，通孔用于通过待提拉的熔体，屏底包括第一层板、第二层板和侧板，侧板的一端与第一层板连接，第一层板靠近坩埚，第二层板远离坩埚，侧板另一端与第二层板连接，侧板的一侧、第一层板和第二层板围成通孔，侧板的另一侧、第一层板、第二层板和屏壁围成容置空腔；隔热机构设置在容置空腔内，隔热机构包括隔热件和保温件，隔热件设置在侧板一侧，隔热件的高度不小于侧板高度的二分之一，隔热件用于隔绝坩埚的热量散发至待提拉的熔体，容置空腔内部除隔热件外，填充保温件；本发明能够提高热屏与坩埚之间温度梯度，便于快速形成硅晶棒，提高硅晶棒的生产效率。
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公开(公告)号：CN116364533A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310573286.1
申请日：2023-05-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法，其中富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，对所述正面进行粗糙化处理，以使得所述正面呈不平整的形貌；在所述正面形成表面处理层，所述表面处理层的表面也呈不平整的形貌；以及在所述表面处理层上形成多晶硅膜层，本发明通过粗糙化处理第一衬底，使得第一衬底的正面和表面处理层的表面均呈不平整的形貌，从而使得形成的多晶硅膜层有稳定的取向演变和晶粒尺寸，使多晶硅膜层具有更高的晶界密度，从而能够得到高效率的电荷捕获多晶硅膜层。
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公开(公告)号：CN114855284A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210359258.5
申请日：2022-04-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种生长单晶硅的方法，该方法包括：在长晶炉的坩埚中放置硅料；对所述坩埚进行加热，以使所述硅料熔融为硅熔体；确定所述硅熔体的液面位置；通过磁场发生器向所述硅熔体施加超导磁场，并调整所述磁场发生器的位置，使所述超导磁场的最强点位于所述液面位置下方的预设范围内；将籽晶浸入所述硅熔体中，并向上旋转提拉所述籽晶，使所述硅熔体在所述籽晶下端凝固结晶，以得到单晶硅的晶棒。本发明将超导磁场最强点的位置设置在硅熔体液面下方来控制晶棒中的氧含量，不需要对热场结构进行复杂更改，成本低且拉晶成功率高。
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公开(公告)号：CN114808112A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210343801.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单晶生长方法及晶圆，所述单晶生长方法包括：提供熔体和经过掺杂的籽晶；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l0；将所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述熔体表面的长度l1，其中l0＞l1；利用所述熔体和所述经过掺杂的籽晶采用直拉法生长单晶。本发明使用经过掺杂的籽晶，能够精准控制单晶的P/N型及电阻率，避免了额外引入掺杂剂带来的用量难以控制的问题，保持了单晶的重复性。
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公开(公告)号：CN114023643A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111273132.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种SOI晶圆的表面处理方法，包括以下步骤：提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括背衬底、顶层硅和绝缘埋层，绝缘埋层位于背衬底和顶层硅之间，顶层硅的表面粗糙度大于在第一目标温度下，通过长时间热退火工艺对顶层硅的表面进行第一次平坦化处理；以及在第二目标温度下，通过快速热退火工艺对顶层硅的表面进行第二次平坦化处理，以将长时间热退火工艺和快速热退火工艺结合，优化了SOI晶圆，特别是SOI晶圆的表面粗糙度，使得经过上述两个工艺的平坦化处理的SOI晶圆的顶层硅的表面粗糙度满足工艺需求。
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公开(公告)号：CN113655094A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110902930.6
申请日：2021-08-06
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种确定硅片导电类型的方法。所述方法包括：测量所述硅片的电阻率，以得到第一电阻率；将所述硅片在空气中放置预设时间；放置预设时间之后再次测量所述硅片的电阻率，以得到第二电阻率；通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述硅片的导电类型。所述方法对于高电阻率(高于500ohm‑cm)可以快速准确的判断硅片导电类型，测试结果准确，操作简单，对设备要求低，成本低。
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公开(公告)号：CN113125854A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110376796.0
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；在所述刻蚀处理前后分别对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试，得到相应的第一电阻率和第二电阻率，通过对比所述第一电阻率和所述第二电阻率判断所述待测硅片的导电类型；或者，在所述刻蚀处理后测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况，根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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公开(公告)号：CN114808112B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210343801.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单晶生长方法及晶圆，所述单晶生长方法包括：提供熔体和经过掺杂的籽晶；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l0；将所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述熔体表面的长度l1，其中l0＞l1；利用所述熔体和所述经过掺杂的籽晶采用直拉法生长单晶。本发明使用经过掺杂的籽晶，能够精准控制单晶的P/N型及电阻率，避免了额外引入掺杂剂带来的用量难以控制的问题，保持了单晶的重复性。
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公开(公告)号：CN114334792A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111274089.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了一种SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法，属于半导体制造领域，具体包括步骤一，将半导体硅晶圆置于第一垂直炉管进行长时间热处理；步骤二，将长时间热处理后的所述半导体硅晶圆放入第二垂直炉管中，进行氧化减薄处理；步骤三，对氧化减薄后的所述半导体硅晶圆进行快速热退火处理，其中，在长时间热处理中，先将所述半导体硅晶圆置于纯氩气氛中进行保护，而后在1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛升温至目标温度再进行退火阶段，退火阶段，气氛为1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛或者纯氩气，n为不大于10的数值。通过本申请的处理方案，使半导体硅晶圆表面粗糙度小于5埃，且边缘无滑移线。
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公开(公告)号：CN111926380B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010621682.3
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏装置，所述热屏装置用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏装置包括壳体、支撑件、隔热板和方向控制组件，所述支撑件与所述隔热板设于所述壳体内，所述支撑件的一端与所述壳体内壁固定连接，所述方向控制组件与所述隔热板连接，所述支撑件用于作为所述隔热板的支点并与所述方向控制组件配合控制所述隔热板与所述壳体之间相对转动，所述隔热板的可转动夹角朝向所述单晶硅的柱面，所述壳体底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏装置及单晶生产炉，通过改变热屏设计，通过控制隔热板的方向和角度实现温度梯度的动态控制，从而实现拉速的控制。
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