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公开(公告)号：CN101982905B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010290432.2
申请日：2010-09-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法，自下而上为InP衬底、赝衬底和量子阱结构，其中赝衬底包括组分连续渐变缓冲层及单一组分缓冲层；制备方法即采用分子束外延法，首先在InP衬底上生长组分连续渐变的缓冲层；再生长单一组分的材料作为缓冲层，完成赝衬底的生长；生长完的赝衬底上生长相对赝衬底应变补偿的量子阱结构。本发明包含赝衬底的InP基应变量子阱结构既适合于需要采用与InP衬底具有大应变的量子阱的半导体激光器，也适合于其他新型电子或光电子器件，具有很好的通用性；应用此制备方法，为InP基量子结构和功能的设计和实现引入了更大的自由度。
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公开(公告)号：CN102260870A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110198078.5
申请日：2011-07-15
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C23F1/02 , C30B33/10 , H01L21/308 , H01L21/467 , G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除Si3N4。本发明弥补了全息干涉难以利用正性光刻胶制得二维介质柱型光子晶体的不足，与电子束曝光等方法相比，具有操作简单、价格低廉、控制精确，且能大面积制备等优点，能够很好的满足了制备亚微米尺寸二维介质型光子晶体的需要，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102176489A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110044512.4
申请日：2011-02-22
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0256 , H01L31/0304
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法，包括：采用分子束外延法或金属有机物气相外延法，在衬底上生长晶格匹配的缓冲层、光吸收层和宽禁带帽层得到光电探测器件外延结构；其中，生长过程中对光吸收层的带隙进行裁剪设定，在满足应用中对光电探测器长波端截止波长要求的前提下选取宽带隙。本发明材料生长方法简单，通过对光电探测器光吸收层带隙的裁剪设定，在基本不改变原有器件设计的前提下显著改善器件性能，探测率改善3倍以上；既适合一些不同种类的III-V族化合物材料体系光电探测器件的制作，也适合其他类型的光电器件及电子器件的制作及拓展到其他材料体系，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102130208A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010608360.1
申请日：2010-12-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种用分子束外延方法制作光电探测单元或焦平面器件的方法，包括：(1)应用分子束外延生长技术，在导电衬底上生长缓冲层、光吸收层和宽禁带帽层的外延结构，然后连续生长一层铍高掺杂或δ掺杂的异质窄禁带薄层作为扩散源层；(2)用常规图形加工工艺刻蚀扩散源层形成局部掺杂源图形，在钝化介质膜的保护下应用扩散技术形成pn结，扩散温度为450-600℃；然后制作电极构成光电探测单元或焦平面器件。本发明的方法具有普适性，简单，掺杂成结工艺结合了光电探测器件制作中台面型原位掺杂成结工艺成结方便和平面型扩散成结工艺钝化效果好的优点，简化器件工艺和提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN105609582A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510867591.7
申请日：2015-12-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/10 , H01L31/03042 , H01L31/035209 , H01L31/184
摘要： 本发明涉及一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法，探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III-V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III-V族材料。制备方法包括依次在衬底上生长p型高掺杂不含铋III-V族缓冲层、稀铋多量子阱结构吸收层以及p型高掺杂不含铋III-V族材料上接触层。本发明的探测器可以同时利用带间吸收和价带子带间吸收，增强对光的吸收，也可在太阳电池等利用光吸收的器件中进行应用，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105449017A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510947270.8
申请日：2015-12-16
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/0248 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/03046 , H01L31/0248 , H01L31/035236
摘要： 本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，在InP衬底上采用周期性InxGa1-xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的InxGa1-xAs、0.53
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公开(公告)号：CN103078009B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310013303.2
申请日：2013-01-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种光电探测器芯片制作方法，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。本发明旨在最大限度地降低光电探测器制作中由于加工工艺引入的附加暗电流。
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公开(公告)号：CN104073876A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410246865.6
申请日：2014-06-05
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C30B25/18
摘要： 本发明涉及一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，在分子束外延生长异质材料时，先关闭生长前一层材料所需的所有快门，经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门，即可；其中，0
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公开(公告)号：CN103779457A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410052172.3
申请日：2014-02-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： H01L33/305 , C23C16/301 , C23C16/44 , H01L21/02392 , H01L21/02543 , H01L21/02581
摘要： 本发明公开了一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法，通过在生长磷化铟（InP）材料时加入少量铋（Bi）元素形成全新的InPBi材料，获得室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi的元素百分含量为1.1％时，其室温光致发光谱的波长覆盖范围可以达到1.3-2.7μm，半峰宽达到650nm。本发明报道的InPBi单晶材料为世界上首次成功合成。此InPBi红外光源材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
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公开(公告)号：CN101976696B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010292223.1
申请日：2010-09-26
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备，采用禁带宽度大于In0.53Ga0.47As吸收层材料且大于常规InP的含铝砷化物材料作为上下接触层材料体系实现拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应。本发明采用宽禁带透明上接触层和下接触层材料体系，可以减小表面复合并提高量子效率，可利用分子束外延方法或金属有机物气相外延方法无需As/P切换而不间断生长，有利于在生长过程中保持平整的表面态，保证材料的高质量生长，可降低器件噪声，具有很好的通用性。
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