公开(公告)号：CN101087005A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710041778.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张永刚 ,  顾溢 ,  田招兵

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于波长扩展InGaAs光电探测器及其阵列的宽禁带透明缓冲层及窗口层及制作方法，包括采用禁带宽度大于波长扩展InGaAs材料且适合采用分子束外延方法生长又方便控制的含铝三元或四元系材料体系、可有效避免失配位错且适合于背面进光的透明梯度渐变缓冲层结构以及适合正面进光并可减小表面复合和提高量子效率的透明窗口层结构。本发明的宽禁带缓冲层及窗口层结构既适合于采用背面进光及倒扣封装结构的单元或阵列器件，也适合于采用常规正面进光结构的单元或阵列器件，具有很好的通用性。

公开(公告)号：CN100492670C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200710041778.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张永刚 ,  顾溢 ,  田招兵

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于波长扩展InGaAs光电探测器及其阵列的宽禁带透明缓冲层及窗口层及制作方法，包括采用禁带宽度大于波长扩展InGaAs材料且适合采用分子束外延方法生长又方便控制的含铝三元或四元系材料体系、可有效避免失配位错且适合于背面进光的透明梯度渐变缓冲层结构以及适合正面进光并可减小表面复合和提高量子效率的透明窗口层结构。本发明的宽禁带缓冲层及窗口层结构既适合于采用背面进光及倒扣封装结构的单元或阵列器件，也适合于采用常规正面进光结构的单元或阵列器件，具有很好的通用性。